公开(公告)号：CN105140150B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201510470083.5

申请日：2015-08-04

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 宋旭波 ,  冯志红 ,  吕元杰 ,  王元刚 ,  顾国栋 ,  谭鑫 ,  徐鹏

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种高精度测量晶片横向对准误差的方法，涉及半导体器件与电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：1）在光刻版上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；2）在晶片上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺；3）通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺在视野中重叠或平行；4）通过计算读取晶片横向误差。本发明通过对光刻版和晶片设置的测量标尺，高精度的读取了晶片相对于光刻版的偏差，误差精度取决于l1与l2的差值，其l1和l2相差不大于0.1，故实现对晶片横向误差高精度的读取。

公开(公告)号：CN105140149B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201510469864.2

申请日：2015-08-04

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 宋旭波 ,  冯志红 ,  吕元杰 ,  王元刚 ,  顾国栋 ,  谭鑫 ,  徐鹏

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种高精度测量晶片纵向对准误差的方法，涉及半导体器件与电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：1）在光刻版上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；2）在晶片上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺；3）通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺在视野中重叠或平行；4）通过计算读取晶片纵向误差。本发明通过对光刻版和晶片设置的测量标尺，高精度的读取了晶片相对于光刻版的偏差，误差精度取决于l1与l2的差值，其l1和l2相差不大于0.1，故实现对晶片纵向误差高精度的读取。

公开(公告)号：CN107104142A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710381089.4

申请日：2017-05-25

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 宋旭波 ,  吕元杰 ,  敦少博 ,  冯志红

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1075

Abstract: 本发明公开了一种高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构，涉及GaN HEMT器件结构技术领域，自下而上包括接地层、衬底、沟道层、势垒层、绝缘介质、台面、填充区、栅极、源极和漏极；栅极和漏极下面为绝缘介质，栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区，填充区内填充金，接地层为金，栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区，然后填充金，由于金具有良好的导电性，因此栅极和漏极对地之间的寄生电导减小，从而降低了射频信号在衬底上的损耗，提高器件的射频性能。

公开(公告)号：CN103258843B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310208689.2

申请日：2013-05-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 王俊龙 ,  冯志红 ,  邢东 ,  梁士雄 ,  张立森 ,  杨大宝 ,  张雄文 ,  宋旭波 ,  何泽召 ,  蔚翠

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本发明包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本发明给出的在半绝缘衬底背面制作多孔结构，可以大幅降低肖特基二极管的寄生电容，提高肖特基二极管的截止频率，同时也可以增加肖特基二极管的散热能力，提高肖特基二极管用于倍频时的转换效率。

公开(公告)号：CN103325796A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310209249.9

申请日：2013-05-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 王俊龙 ,  冯志红 ,  邢东 ,  梁士雄 ,  张立森 ,  杨大宝 ,  张雄文 ,  宋旭波 ,  何泽召 ,  蔚翠

IPC: H01L27/144 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明公开了一种天线集成石墨烯PIN结太赫兹探测器，属于半导体器件领域。本发明包括衬底、设于衬底上的平面天线和石墨烯PIN结，所述平面天线与石墨烯PIN结之间设有空隙；在所述石墨烯PIN结的P区和N区设有第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极。与现有的太赫兹探测器，本发明制成的探测器的探测范围可以覆盖整个太赫兹频段，且响应速度快，约为皮秒量级，同时，本发明探测器成本低廉，制作工艺简单，因此，大大提高了太赫兹探测器的性能；同时，此探测器还可在室温工作正行工作，克服了现有探测器需要低温工作的缺陷，提高了其适应性；由于探测器集成了平面天线，还提高了对弱太赫兹信号的探测能力。

公开(公告)号：CN103280398A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310208785.7

申请日：2013-05-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 蔚翠 ,  冯志红 ,  李佳 ,  刘庆彬 ,  何泽召 ,  王俊龙 ,  宋旭波

IPC: H01L21/18

Abstract: 本发明公开了一种制备横向石墨烯PN结的方法，属于半导体器件及薄膜晶体生长领域领域。该发明首先在SiC衬底上制备n型掺杂的石墨烯，然后对石墨烯进行选择处理，包括掩膜或图形化处理或预沉积适量的p型掺杂元素，最后在氢气气氛或真空下进行退火，控制退火时间与温度，得到横向石墨烯PN结。该方法是通过对SiC衬底与石墨烯的界面控制，实现石墨烯掺杂类型、掺杂浓度的控制；与化学掺杂或静电调制等手段实现石墨烯PN结相比，该方法避免了化学掺杂带来的污染和晶格破坏，同时石墨烯PN结尺寸可控，且制备工艺简单。该方法为研究石墨烯PN结的新奇特性和实现各种石墨烯功能器件奠定了基础。

公开(公告)号：CN118969613A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411089229.7

申请日：2024-08-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 吕元杰 ,  薛源 ,  周国 ,  王元刚 ,  宋旭波 ,  刘方罡 ,  冯志红

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种用于改善功率特性的氮化镓器件结构及其制备方法、器件，该制备方法包括：在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长多个层叠的氮化镓沟道层和势垒层，形成氮化镓异质结多沟道结构；在氮化镓异质结多沟道结构的顶层的源区域、漏区域，分别制备源、漏欧姆接触，形成源极和漏极；对栅区域进行干法刻蚀，终止于第一层势垒层表面，形成第一凹槽；栅区域位于源区域和漏区域之间；对目标区域进行沟道电子浓度降低处理，目标区域为第一层势垒层中位于第一凹槽的下方且偏向漏极的一侧的区域；基于第一凹槽制备栅金属，形成栅极。本申请既能提升器件的电流密度、降低导通电阻，又能改善器件的耐压性能。

公开(公告)号：CN115842022A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202310004368.4

申请日：2023-01-03

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 吕元杰 ,  宋旭波 ,  刘京亮 ,  冯志红 ,  顾国栋 ,  梁士雄 ,  卜爱民

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种氮化镓双向TVS器件及制备方法。该器件包括：衬底；位于衬底上表面的N+氮化镓层；位于N+氮化镓层上表面的第一台面结构、第二台面结构和钝化层；位于第一台面结构上表面的第一正极和位于第二台阶结构上表面的第二正极；第一台面结构、第二台面结构、第一正极和第二正极均嵌入钝化层内，第一台面结构的下表面和第二台面结构的下表面相距预设距离，且第一台面结构和第二台面结构从下到上均由N‑氮化镓层、绝缘氮化镓层、P‑氮化镓层和P+氮化镓层构成；钝化层在对应第一正极的位置开设有第一电极窗口，在对应第二正极的位置开设有第二电极窗口。本发明能够降低氮化镓双向TVS器件的实现难度，并降低热烧毁的风险。

公开(公告)号：CN112951919B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110127406.6

申请日：2021-01-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 吕元杰 ,  刘宏宇 ,  徐森峰 ,  付兴昌 ,  王元刚 ,  宋旭波 ,  郭红雨 ,  冯志红

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述斜栅型氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述源电极和漏电极之间的栅介质层和栅电极；在所述n型氧化镓沟道层上、所述栅电极下方设有一刻蚀凹坑，所述刻蚀凹坑的深度从靠近所述源电极一端向靠近所述漏电极一端逐渐变浅，且栅源区域的沟道层未被刻蚀。本发明提供的斜栅型氧化镓场效应晶体管不仅可以有效平滑沟道电场分布，有效抑制沟道尖峰电场强度，进而大幅改善器件击穿电压，而且可以保持低的沟道电阻，从而有效降低氧化镓MOSFET的导通电阻。

公开(公告)号：CN112967923B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202110160989.2

申请日：2021-02-05

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 宋旭波 ,  梁士雄 ,  吕元杰 ,  王元刚 ,  敦少博 ,  韩婷婷 ,  马春雷 ,  冯志红

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种大尺寸晶圆上制备金刚石衬底太赫兹二极管的方法，属于半导体制造技术领域，包括：晶圆衬底上依次生长刻蚀终止层、缓冲层和N+层；在N+层上生长沉积键合层；在正面硅晶圆的正面生长键合层，高温直接键合形成正面结合层；在刻蚀终止层上沉积金刚石衬底；在金刚石衬底背面沉积键合层；在背面硅晶圆的正面生长键合层；高温直接键合形成背面结合层；在N+层正面沉积N‑层；在N‑层正面制作二极管电路；移除背面结合层及背面硅晶圆。本发明采用双面二氧化硅键合工艺，通过减薄肖特基二极管衬底厚度，降低寄生电容，提高截止频率；利用金刚石超高的热导率，增强散热能力，降低倍频器件的工作温度，提高肖特基二极管的倍频效率。