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公开(公告)号：CN119855478A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411986152.3
申请日：2024-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高温超导量子干涉器件及其制备方法，将高温SQUID芯片和高温超导磁通聚焦拾取线圈分别进行独立设计，再通过胶固化的形式将高温SQUID芯片和磁通聚焦拾取线圈组合固定在PCB基板上以形成高温超导量子干涉器件。该制备方式，使得约瑟夫森结和高温超导磁通聚焦拾取线圈不会被制备在同一层薄膜上，而由于高温超导磁通聚焦拾取线圈的制备难度较小，使得高温超导磁通聚焦拾取线圈的制备良率大幅提高，降低了由于约瑟夫森结制备难度大带来的大面积薄膜的损失，有效降低制备高温超导量子干涉器件的成本。此外，无需受约瑟夫森结制备工艺的限制，使得高温超导磁通聚焦拾取线圈的尺寸可以进一步增大，进而提升超导量子干涉器件的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN119023069A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310596040.6
申请日：2023-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J1/44
Abstract: 本发明提供一种超导条带光子探测器本征暗计数抑制方法和装置，至少包括如下步骤：步骤一，确定表征本征暗计数率的因变量；所述本征暗计数率的因变量包括暗计数率阈值电流和暗计数率上升速率；步骤二，确定影响本征暗计数率的初始自变量；所述初始自变量至少包括工艺参数；步骤三，根据表征本征暗计数率的因变量和影响本征暗计数率的初始自变量构建所有SSPD器件的暗计数率数据集；步骤四，对所述初始自变量进行处理得到新自变量；步骤五，建立新自变量中每个元素的神经网络数学模型；步骤六，基于所述神经网络数学模型对现有SSPD器件的制备进行指导抑制本征暗计数率。通过本发明的抑制方法能够获得高探测效率、低暗计数率的实用化SSPD器件。
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公开(公告)号：CN118687680A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310285295.0
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线单光子探测器双端读出系统及读出方法，所述双端读出系统包括超导纳米线单光子探测器及马赫增德尔电光调制器，超导纳米线单光子探测器用于在有光子照射时产生正向脉冲信号和负向脉冲信号；马赫增德尔电光调制器包括光分束器、光合束器、上波导臂及下波导臂，上波导臂用于传输第一光载波，并根据正向脉冲信号调制第一光载波的相位；下波导臂用于传输第二光载波，并根据负向脉冲信号调制第二光载波的相位。本发明提供的超导纳米线单光子探测器双端读出系统及读出方法能够解决现有超导纳米线单光子探测器采用的双端读出结构，利用同轴线进行信号传输时，信号损耗大、衰减大、漏热高的问题。
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公开(公告)号：CN118569326A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310177412.1
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06N3/063 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提供一种光神经网络及光神经网络芯片结构，所述光神经网络包括：光波导、光无源器件、光调制器及光探测器；其中，所述光波导用于传输光信号，所述光无源器件与所述光波导连接，共同构建光信号输入网络及光输出网络；所述光调制器用于改变在光波导中传输的光信号，所述光调制器的连接电路及调制电路采用超导材料；所述光探测器用于将光信号转换并输出为电信号。本发明提供的光神经网络及光神经网络芯片结构能够解决：现有光神经网络中采用的光调制器件中调制电路及连接电路的热量会造成信号串扰及能耗增加的问题及光输出端光强低导致光探测器无法读取光信号限制了光神经网络规模的问题。
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公开(公告)号：CN118297016A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410312394.8
申请日：2024-03-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高温超导回路电感提取方法，包括：根据高温超导回路的版图信息确定高温超导回路的环路、电流输入端口和电流输出端口；根据设置的网格大小对高温超导回路的版图进行网格化分割，并基于分割后的版图对高温超导回路的电感进行提取；基于高温超导材料参数、高温超导回路参数、算法参数和提取出的电感构建静态麦克斯韦方程组，并对静态麦克斯韦方程组进行迭代求解，得到高温超导回路的自感、互感和电流密度。本发明能够对复杂高温超导回路进行电感提取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118173619A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410300437.0
申请日：2024-03-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L31/0203 , H01L31/024 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , H01L25/04
Abstract: 本发明提供一种多通道超导单光子探测器，将正极焊盘和射频接头从自对准金属封装块上移除，正极焊盘设置于PCB走线板，射频接头设置于阵盘，有效利用了冷台空间，实现64通道的自对准SNSPD的集成布局；并且，本申请中自对准金属封装块相较于现有技术中自对准PCB封装板有更好的热接触，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN111430396B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010167335.8
申请日：2020-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/148 , B82Y10/00
Abstract: 本申请涉及一种基于超导纳米线的单光子偏振探测器件及其实现装置，包括：衬底；像元层，像元层置于衬底上；其中，像元层包括一个或多个超像元单元；每个超像元单元包括至少四个像元单元，像元单元由一条蜿蜒曲折的超导纳米线构成；且每个像元单元的超导纳米线结构的平行方向的角度各不同；利用四个超像元对偏振光的偏振角的光响应计数可以实现对线性偏振光的偏振态求解。与现有的半导体偏振探测器相比，本申请中的超导纳米线结构具有线偏振器和光子探测器的双重功能，不仅集合了超导纳米线结构单光子探测器自身的优点，还具有器件规模可拓展、结构简单等特点，有望应用于微弱光环境下的偏振探测及成像、量子通信、天文观测等。
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公开(公告)号：CN117310776A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311457025.X
申请日：2023-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导X射线探测装置及系统，包括超导X射线探测器、双端读出电路和低温腔体；所述超导X射线探测器包括曲折蜿蜒成一定光敏面积大小的超导微米线条，所述超导X射线探测器用于在吸收X射线的光子后产生两个正负脉冲信号分别传向微米线两端；所述双端读出电路包括两个偏置器元件，两个偏置器元件的射频和直流端分别连接所述超导X射线探测器的微米线条两端，两个偏置器元件的射频端连接测试设备；在偏置器元件的作用下，所述双端读出电路将两个正负脉冲信号读出并基于测试设备的测试结果能确定X射线入射位置；所述低温腔体内置所述超导X射线探测器，用于提供测试环境。本发明能够实现X射线探测的高灵敏度、高空间分辨率探测。
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公开(公告)号：CN111584707B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202010277519.X
申请日：2020-04-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法，采用ZEP‑520A电子束抗蚀剂作为双层胶的底层胶，AR‑P 6200型电子束抗蚀剂作为双层胶的顶层胶。本发明采用的两种抗蚀剂均可在邻二甲苯中显影，且去胶过程可于相同步骤中同时进行，工艺更为简单，通过与多种溶剂配合实现曲折纳米线结构的溶胶剥离；同时，利用两种抗蚀剂中心剂量的差距实现底切结构，具有流程简单、重复性好等优点。
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