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公开(公告)号：CN102213835A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110116553.X
申请日：2011-05-05
Applicant: 东南大学
IPC: G02B27/22
Abstract: 本发明公开了一种主动开关式三维显示镜片，包括前玻璃基板、后玻璃基板、外围堰、前透明电极、后透明电极、有色非极性油滴、至少两个亲水介质层、至少两个疏水介质层和至少两个内围堰；所述外围堰设置在前玻璃基板和后玻璃基板之间并且形成封闭的腔室；前透明电极、后透明电极、亲水介质层和疏水介质层和有色非极性油滴位于腔室内。本发明还公开了一种采用上述主动开关式三维显示镜片的主动开关式三维显示眼镜。本发明不会出现液晶开关式镜片或者偏振片镜片的对镜片方位的严格要求，即克服了其观察效果与观察视角关系密切的缺点。另外，本发明不仅三维图像显示质量与观察位置和头部转动无关而且串扰小。
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公开(公告)号：CN102051575A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201110002523.6
申请日：2011-01-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种超薄基板玻璃在蒸镀过程中不会发生破裂和偏移，以保证产品合格率，且操作简单、成本低廉的氧化镁蒸镀装置。它包括一块衬底玻璃，衬底玻璃的上部放置有一对超薄基板玻璃；带有两个方孔的铝箔覆盖衬底玻璃，方孔中心对准超薄基板玻璃；使用衬底玻璃固定夹子将铝箔和衬底玻璃固定在衬底玻璃下部的铝板上，由垫有铝片的超薄基板玻璃固定夹子将超薄基板玻璃固定在衬底玻璃上，铝板固定在其下部的铝架上。
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公开(公告)号：CN101246805B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200810024482.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01J63/08
Abstract: 本发明公开了一种等离子体平板光源，包括前基板和后基板，在前基板与后基板之间设有放电腔，在前基板和/或后基板上设有第一电极和第二电极且第一电极和第二电极位于所述放电腔内，在前基板上还设有介质层，所述第一电极和第二电极位于前基板与介质层之间，在介质层上设有保护膜，在后基板上设有厚荧光粉层，第一电极和/或第二电极位包括平面电极，在平面电极上连接有立体电极且立体电极立于平面电极上。本发明使等离子体的放电效率提高，等离子体平板光源的亮度提高，发光效率提高。
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公开(公告)号：CN101373196B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810155907.X
申请日：2008-10-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种测量MgO外逸电子发射电流的方法及其装置，涉及一种利用金属网板构成的GEM装置测量MgO外逸电子发射电流的技术领域。本发明在真空腔体下底板的上方设置放大电流读出板，放大电流读出板上分别设置信号读出机构和读出板引出电极，下金属带孔板上连接下金属板引出电极，上金属带孔板上连接上金属带孔板引出电极，上下金属带孔板之间设置双锥形通孔的绝缘带孔板与金属孔匹配贴合，成为电子放大区，控制电子漂移间距支撑的上方设置前基板，前基板的下表面涂覆MgO膜层。本发明提供一种以将微小的MgO外逸电子发射电流在电场作用下放大，同时抑制MgO的二次电子发射，使检测到的电流能够比较准确地反映MgO的外逸电子发射电流。
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公开(公告)号：CN101800141A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010158993.7
申请日：2010-04-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄荫罩式等离子体显示屏的封接方法：将荫罩、第一厚玻璃和第二厚玻璃清洗烘干；将荫罩置于第一厚玻璃和第二厚玻璃之间，并用第一封接夹和第二封接夹将两边固定；固定后置于抽真空的封接炉中开始预烧，预烧包括升温AB阶段、保温BC阶段和降温CD阶段；预烧完后，清理荫罩；将屏前玻璃基板、涂有封接框的后玻璃基板及荫罩上下表明对位贴合，置于第一厚玻璃和第二厚玻璃之间，形成封接组合体，再用第一封接夹和第二封接夹固定；将封接组合体放入封接炉中，设定烧结温度和时间，对超薄荫罩式等离子体显示屏进行封接，并充入工作气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101540262A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910031217.8
申请日：2009-04-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种真空紫外平板光源，包括前基板和后基板，前后基板由石英玻璃制成，在前基板与后基板之间设有放电腔体，在前基板上设置成对的平行电极，采用表面放电，或在前后基板设置电极，采用对向式放电方式，在电极表面上还设有介质层，在介质层上设有保护膜，放电腔体充入一定气压的工作气体，可以由Ne和Xe气的混合气体构成，在电极间施加交流脉冲，工作气体放电，在维持电流脉冲的作用下，持续产生147nm和172nm的真空紫外光，通过石英基板出射到光源外面需要处理的表面上。本发明可以产生真空紫外光的面光源，对大面积处理表面具有优越性。可以实现单面和双面真空紫外平板光源，适合不同的应用场合。
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公开(公告)号：CN101477940A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810236256.7
申请日：2008-11-19
Applicant: 东南大学
IPC: H01J63/08
Abstract: 一种等离子平板光源，涉及等离子体平板光源的技术领域，尤其涉及一种等离子体平板光源的低频驱动模式的技术领域。本发明包括前基板、后基板、放电腔，放电腔设置在前基板与后基板之间，前基板与放电腔之间平行等距设置若干条平行电极，平行电极与放电腔之间设置保护膜；后基板与放电腔之间设置荧光粉混合层。本发明目的是针对现有等离子体平板光源工作模式中负辉区放电模式，提出一种低频方波驱动模式，使等离子体平板光源产生正柱区放电的工作模式，同时改善发光效率和发光亮度。
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公开(公告)号：CN101246805A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810024482.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01J63/08
Abstract: 本发明公开了一种等离子体平板光源，包括前基板和后基板，在前基板与后基板之间设有放电腔，在前基板和/或后基板上设有第一电极和第二电极且第一电极和第二电极位于所述放电腔内，在前基板上还设有介质层，所述第一电极和第二电极位于前基板与介质层之间，在介质层上设有保护膜，在后基板上设有厚荧光粉层，第一电极和/或第二电极位包括平面电极，在平面电极上连接有立体电极且立体电极立于平面电极上。本发明使等离子体的放电效率提高，等离子体平板光源的亮度提高，发光效率提高。
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公开(公告)号：CN108254945B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201810014651.4
申请日：2018-01-08
Applicant: 东南大学
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明公开了一种反射式超表面显示器件及彩色图像显示方法，该器件由上至下依次设置白光背光源(101)、偏振分光片(102)、金属超表面层(103)、缓冲层(104)、ITO薄膜(105)、调制层(106)、金属反射层(107)、基底层(108)，该器件还包括直流电压源(109)；其中，所述金属超表面层(103)、缓冲层(104)、ITO薄膜(105)、调制层(106)、金属反射层(107)和基底层(108)共同构成滤色结构；改变外界电压源电压可以调制反射光的颜色和亮度，通过时分复用法，实现彩色图像显示。本发明具有颜色动态调节范围大、像素尺寸小等优点；对超高分辨率显示和全息成像领域具有启示意义和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111430465A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010373328.3
申请日：2020-05-06
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本文提出了一种N型垂直槽栅金属氧化物半导体器件栅极引入应力的结构，包括：N型漏极接触，在其上为N型外延层，在N型外延层中设有氧化物埋层，在氧埋层中设有源极多晶硅埋层，在氧埋层上方设有多晶硅栅极，在多晶硅栅极中间设有氮化硅应力层，在栅极两侧设有P型沟道区和N型源极区，在器件上表面有源极区金属接触。其特征在于其特征在于，通过优化工艺流程，无需挖槽，就可以在垂直金属氧化物半导体的栅极处淀积氮化硅应力层来引入应力，可以有效提升垂直沟道器件的性能。在器件击穿电压几乎不变的情况下，有效降低导通电阻。
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