公开(公告)号：CN104617144A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510020600.9

申请日：2015-01-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  王佳丽 ,  顾春德 ,  张艺 ,  张春伟 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368

Abstract: 一种高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的一侧连接有漏极金属，在N型衬底的另一侧设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区，在P型基区中设有N型源区和P型体接触区，在N型漂移区的表面设有绝缘层，在绝缘层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在N型源区和P型体接触区连接有源极金属，其特征在于所述的绝缘层采用多阶栅氧化层结构，整体呈对称的多级“台阶”状，这种结构的优点在于保持器件击穿电压和导通电阻等其他电学参数基本不变的前提下，显著提高器件的UIS能力和可靠性，延长器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN104600120A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510021174.0

申请日：2015-01-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  孙陈超 ,  王剑锋 ,  叶然 ,  张春伟 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/42364

Abstract: 一种P型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：N型衬底、N型外延层，在N型外延层中形成有P型轻掺杂漏区和N阱，N阱的一侧和所述P型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述P型轻掺杂漏区中形成有P型重掺杂漏区；在所述N阱中形成有P型重掺杂源区，在N阱的另一侧形成有N型重掺杂引出区，N型重掺杂引出区穿过N型外延层与N型硅衬底相接触；在N阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于P型重掺杂源区及P型轻掺杂漏区的边界上方；在N型重掺杂引出区和P型重掺杂源区上连接有源极金属，在P型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有P型掺杂区且所述P型掺杂区位于N阱中。

公开(公告)号：CN102956696B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210343232.8

申请日：2012-09-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈扬 ,  朱荣霞 ,  刘斯扬 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06

Abstract: 一种大电流P型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有P型外延层，在P型外延层内部设有P型缓冲阱区、N型体区和P型中心缓冲阱区，在P型缓冲阱区内设有N型漏区，在N型体区中设有P型源区和N型体接触区，在P型中心缓冲阱区内设有P型基区和N型发射区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层，其特征在于，晶体管为对称型结构，N型漏区上的漏极金属分别与对应的P型基区上的基极金属通过金属层连通，并从N型发射区输出，这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。

公开(公告)号：CN102760761B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201210227096.6

申请日：2012-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  唐正华 ,  潘红伟 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型阴区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型阴区、多晶硅栅和P型阳区的表面设有钝化层，其特征在于，在浅P型阱区正下方还设有与其共用一块光刻板但采用高能量离子注入形成的深P型阱区，该区域有效地减小了体区的导通电阻，提高器件的电流能力的同时，降低了工作过程中发生闩锁的风险。

公开(公告)号：CN103792478A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410061156.0

申请日：2014-02-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  戴佼容 ,  孙陈超 ,  顾春德 ,  叶伟 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提出一种绝缘栅双极型晶体管直流特性仿真方法，包括以下步骤：获取不同温度下、不同宽长比绝缘栅双极型晶体管的直流特性测试数据；建立绝缘栅双极型晶体管的直流宏模型，在NMOS晶体管与PNP晶体管组合的基础上，加入一个压控漂移区电阻表示绝缘栅双极型晶体管的电导调制效应；获取绝缘栅双极型晶体管直流宏模型的初步模型文件；提取绝缘栅双极型晶体管25℃时的直流宏模型的模型参数；继续将85℃及125℃时的测试数据载入MBP，对绝缘栅双极型晶体管直流宏模型进行温度参数的提取；保存绝缘栅双极型晶体管直流宏模型的模型参数；在Cadence中仿真得到绝缘栅双极型晶体管的输出特性，完成对绝缘栅双极型晶体管仿真方法的建立。

公开(公告)号：CN103529897A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310535118.X

申请日：2013-11-01

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨棒 ,  张允武 ,  祝靖 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种高电源抑制比的纯MOS结构电压基准源，包括启动电路、IPTAT产生电路、VPTAT产生电路、VGS产生电路和PSRR增强反馈电路；启动电路连接至IPTAT产生电路，IPTAT产生电路的输出分别连接VPTAT产生电路和VGS产生电路，VPTAT产生电路的输出与VGS产生电路的输出叠加形成Vref基准电压输出，该输出基准电压通过PSRR增强反馈电路反馈给IPTAT产生电路，形成闭合的反馈环路。

公开(公告)号：CN103280462A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310199860.8

申请日：2013-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  林婧婧 ,  叶伟 ,  张春伟 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种高鲁棒性的P型对称横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有P型漂移阱、P型缓冲阱和N型体接触区各两个，在P型缓冲阱内分别设有P型漏区和P型源区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、N型体接触区、P型源区、多晶硅栅和P型漏区的表面设有钝化层，其特征在于，在两个P型漂移阱上表面还各设有与低压P型阱共用一块光刻板，采用低能量离子注入形成的第一和第二浅P型阱，该区域有效地优化了表面电场分布，降低了最高晶格温度，提高了二次崩溃电流，增强了器件在ESD过程中的鲁棒性。

公开(公告)号：CN103105571A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201310025968.5

申请日：2013-01-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  黄栋 ,  朱荣霞 ,  张春伟 ,  宋慧滨 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/02

Abstract: 本发明公开了一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法，包括以下步骤：步骤10）获取绝缘栅双极型晶体管的测试导通特性和测试输出特性；步骤20）建立仿真程序内部集成模型的仿真电路；步骤30）建立实际集电极电压与修正集电极电压的对应关系；步骤40）得到实际集电极电压与修正集电极电压的修正系数；步骤50）仿真建立一次修正的实际导通特性；步骤60）建立实际栅极电压与修正栅极电压的对应关系；步骤70）得到实际栅极电压与修正栅极电压的修正系数；步骤80）仿真建立二次修正的实际输出特性。该方法可以解决注重集成电路仿真程序PSPICE内部集成的绝缘栅双极型晶体管模型的电流特性精确度不高的问题。

公开(公告)号：CN102759544A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210234394.8

申请日：2012-07-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  张春伟 ,  卫能 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01N25/20

Abstract: 一种大功率碳化硅二极管热阻测试方法，将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温箱调至25℃，为二极管加一极短暂的单脉冲电流，测试不同脉冲电流大小对应的二极管压降。然后将温箱温度升至125℃，测量不同脉冲电流大小对应的二极管压降，并与25℃下所测数值进行比较，在保证压降有明显变化的前提下取一最大电流。将温箱温度降至25℃，为二极管加直流电流，大小为前面所选取的电流，待结温稳定后测量二极管压降。改变温箱温度，然后以脉冲电流测试此时二极管的压降，直至某一温度下二极管的压降与灌直流时二极管上压降相等，我们就认为此时温箱的温度即为等效结温。根据等效结温利用热阻计算公式求出二极管的热阻。

公开(公告)号：CN102130153B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201010600170.5

申请日：2010-12-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 时龙兴 ,  刘斯扬 ,  祝靖 ,  朱奎英 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265

Abstract: 一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法，包括P型绝缘体上硅硅片，第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，N型漂移区内设N型缓冲层和P型阳极接触区，而P型沟道区内设N型阴极接触区和P型体接触区，N型漂移区上方设有第一场氧化层和栅氧化层，并且栅氧化层向右延伸至P型沟道区的上方，栅氧化层上方设有多晶硅，作为栅极，在制造中先在第一P型外延层右区注入形成P型埋层，然后在第二P型外延层右区注入形成P型高能离子注入层并且二者连通，浓度由下至上变大形成导电通路，能有效抑制闩锁效应的发生。