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公开(公告)号：CN115423007A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211018307.5
申请日：2022-08-24
Applicant: 东南大学
IPC: G06K9/62 , G06V20/59 , G06V20/56 , G06V20/58 , G06V20/40 , G06V20/62 , G06V40/16 , G08G1/01 , G08G1/052 , G08B31/00 , G08B21/06
Abstract: 本发明公开了一种基于车载视频识别的营运车辆驾驶员画像分类方法，包括：采集数据，生成主动安全预警信息详细数据表；生成超时疲劳驾驶记录表；提取每一位驾驶员对应的预警记录，生成预警次数记录表；提取预警视频记录数据中的关键数据，计算评价指标；计算车道偏移量；根据评价指标和车道偏移量刻画驾驶员在不同预警类型下的反应程度，得到不同预警类型下驾驶员的分类结果。本发明通过对视频信息的深入提取刻画驾驶员的驾驶行为，根据驾驶行为对驾驶员进行分类来，通过车载实时视频，可以高效准确的捕捉驾驶员的行车特征，对驾驶行为归类、用户画像分析可以为重点营运车辆的行车安全评价体系的建立提供有力理论支撑。
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公开(公告)号：CN104600098A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510021811.4
申请日：2015-01-15
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0684 , H01L29/42368
Abstract: 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有N型重掺杂源区，在P阱的另一侧形成有P型重掺杂引出区，P型重掺杂引出区穿过P型外延层与P型硅衬底相接触；在P阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于N型重掺杂源区及N型轻掺杂漏区的边界上方；在P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上连接有源极金属，在N型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有N型掺杂区且所述N型掺杂区位于P阱中。
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公开(公告)号：CN104600098B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510021811.4
申请日：2015-01-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有N型重掺杂源区，在P阱的另一侧形成有P型重掺杂引出区，P型重掺杂引出区穿过P型外延层与P型硅衬底相接触；在P阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于N型重掺杂源区及N型轻掺杂漏区的边界上方；在P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上连接有源极金属，在N型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有N型掺杂区且所述N型掺杂区位于P阱中。
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公开(公告)号：CN104022112B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201410312125.8
申请日：2014-07-02
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括P型半导体衬底，其上设有P型接触区、源区及漏区，源区及漏区位于P型接触区内且源区和漏区以叉指结构交替分布在P型半导体衬底的表面，在源区和漏区之间区域的正上方设有多晶硅栅极，在源区和多晶硅栅极之间及漏区和多晶硅栅极之间都设有轻掺杂漏区，在源区与P型接触区之间设有N型区，在P型接触区与N型区之间及N型区与源区外侧之间均设有场氧化层且场氧化层位于P型半导体衬底的表面，在P型接触区、源区、轻掺杂漏区、漏区、场氧化层及多晶硅栅极上方设有氧化层，P型半导体衬底由衬底电极引出，源区由金属源电极引出，漏区和N型区均由金属漏电极引出。该结构可以在更小的面积开销下达到更强的静电释放能力。
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公开(公告)号：CN104698279A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510121313.7
申请日：2015-03-19
Applicant: 东南大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管电容-电压特性测试电路中的串联电阻的计算测定方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容-电压特性测试；然后基于针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性的修正模型，将数据带入模型中修正出实际电容-电压曲线；最后将输入频率为时，某一扫描电压点对应的测试电容值和实际电容值带入串联电阻的公式，即可得到串联电阻的值。本发明计算方法中模型参数选取较灵活，可以选择积累区与耗尽区区间中的任意C-V测试数据离散点计算串联电阻；也无需考虑电路中器件的结构参数，弥补了传统计算方法中对氧化层电容存在估算误差的缺陷，适用范围广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104022112A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410312125.8
申请日：2014-07-02
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括P型半导体衬底，其上设有P型接触区、源区及漏区，源区及漏区位于P型接触区内且源区和漏区以叉指结构交替分布在P型半导体衬底的表面，在源区和漏区之间区域的正上方设有多晶硅栅极，在源区和多晶硅栅极之间及漏区和多晶硅栅极之间都设有轻掺杂漏区，在源区与P型接触区之间设有N型区，在P型接触区与N型区之间及N型区与源区外侧之间均设有场氧化层且场氧化层位于P型半导体衬底的表面，在P型接触区、源区、轻掺杂漏区、漏区、场氧化层及多晶硅栅极上方设有氧化层，P型半导体衬底由衬底电极引出，源区由金属源电极引出，漏区和N型区均由金属漏电极引出。该结构可以在更小的面积开销下达到更强的静电释放能力。
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公开(公告)号：CN110054444A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910362793.4
申请日：2019-04-30
Applicant: 东南大学
IPC: C04B28/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于低温环境的水泥基材料自修复剂及其应用。所述自修复剂适用于低温或者常温环境；所述自修复剂包括以下按照质量百分比的组分：低温菌粉2.0wt%~3.0wt%、钙源29.0wt%~30.0wt%、离子水67.0wt%~69.0wt%。与现有技术相比，本发明采用的微生物在低温环境中能有良好的矿化能力，与外加的钙源反应形成具有胶凝作用的碳酸盐矿物，矿物稳定性好、耐久性强，能有效填补水泥基材料在服役过程中产生的裂缝，因此具有良好的市场前景。
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公开(公告)号：CN104698279B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510121313.7
申请日：2015-03-19
Applicant: 东南大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管电容‑电压特性测试电路中的串联电阻的计算测定方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容‑电压特性测试；然后基于针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性的修正模型，将数据带入模型中修正出实际电容‑电压曲线；最后将输入频率为时，某一扫描电压点对应的测试电容值和实际电容值带入串联电阻的公式，即可得到串联电阻的值。本发明计算方法中模型参数选取较灵活，可以选择积累区与耗尽区区间中的任意C‑V测试数据离散点计算串联电阻；也无需考虑电路中器件的结构参数，弥补了传统计算方法中对氧化层电容存在估算误差的缺陷，适用范围广泛。
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公开(公告)号：CN104617144A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510020600.9
申请日：2015-01-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/42356 , H01L29/42368
Abstract: 一种高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的一侧连接有漏极金属，在N型衬底的另一侧设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区，在P型基区中设有N型源区和P型体接触区，在N型漂移区的表面设有绝缘层，在绝缘层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在N型源区和P型体接触区连接有源极金属，其特征在于所述的绝缘层采用多阶栅氧化层结构，整体呈对称的多级“台阶”状，这种结构的优点在于保持器件击穿电压和导通电阻等其他电学参数基本不变的前提下，显著提高器件的UIS能力和可靠性，延长器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116751563A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310204571.6
申请日：2023-03-06
Applicant: 东南大学 , 中铁四局集团有限公司
IPC: C09K3/22
Abstract: 本发明涉及一种适用于工程施工现场的抑尘剂及其制备方法，所有原料的质量份数分别为：氯化镁1.5‑4份、三乙醇胺2‑3.5份、聚丙烯酰胺2.5‑3.75份、十二烷基苯磺酸钠0.5‑2.25份以及水100‑200份；该抑尘剂有效抑尘期长，对空气颗粒物削减能力强，应用成本较低廉，综合抑尘效果理想。
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