公开(公告)号：CN117677901A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202280050708.0

申请日：2022-06-14

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 今井翔太 ,  安达勋

IPC: G03F7/023 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  C08F222/20

Abstract: 本发明的课题是提供新的正型感光性树脂组合物。解决手段是一种正型感光性树脂组合物，其包含下述(A)成分、下述(B)成分、下述(C)成分和下述(D)成分、或下述(A’)成分、下述(B)成分、下述(C)成分、下述(D)成分和下述(E)成分，进一步包含溶剂。(A)成分：具有酸交联性基的碱溶性树脂(A’)成分：不具有酸交联性基的碱溶性树脂(B)成分：醌重氮化合物(C)成分：光产酸剂(D)成分：PED稳定性改进剂(E)成分：分子中具有至少2个酸交联性基的化合物。

公开(公告)号：CN113383036B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202080012493.4

申请日：2020-02-13

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 上林哲 ,  远藤贵文 ,  桥本雄人 ,  远藤勇树 ,  岸冈高广 ,  坂本力丸

IPC: C08K5/3435 ,  C08K5/372 ,  C08L101/02 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  C08G63/58

Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6～40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。

公开(公告)号：CN117539127A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311485456.7

申请日：2018-01-09

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  滨田聪志 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  C08G12/34

Abstract: 本发明提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的式(1)(式(1)中的R1、R2和R3各自表示氢原子、可以被氧原子、硫原子或酰胺键中断的碳原子数1～20的烷基，R1、R2和R3彼此可以相同也可以不同，可以彼此结合而形成环结构。)所示的化合物。将该组合物在可以具有高低差的半导体基板上进行涂布、烧成而形成抗蚀剂下层膜，在该抗蚀剂下层膜上任意选择地经由无机抗蚀剂下层膜而形成抗蚀剂膜，通过光或电子射线的照射与显影来形成抗蚀剂图案，按照抗蚀剂图案对下层膜等进行蚀刻，按照被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工来制造半导体装置。

公开(公告)号：CN117480633A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280042133.8

申请日：2022-07-05

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 畑中辰也 ,  冈麻里

IPC: H01M4/1391

Abstract: 作为能够减少氟系粘结剂的使用量、同时维持电池特性的电极形成用组合物，提供如下的电极形成用组合物：该组合物包含有机化合物、氟系粘结剂、导电性碳材料和活性物质，上述有机化合物具有4个以上的酸性官能团和/或其盐，其含量为全部固体成分中的0.001～0.5质量％，上述氟系粘结剂的含量为全部固体成分中的0.01～1.0质量％。

公开(公告)号：CN117396811A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280038392.3

申请日：2022-03-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  加藤宏大

IPC: G03F7/11

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成光刻特性优异、在湿蚀刻中可以实现高蚀刻速度的抗蚀剂下层膜的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有[A]包含具有至少2个羟基的硅氧烷单元结构的聚硅氧烷[B]硝酸、和[C]溶剂。

公开(公告)号：CN117384078A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311169574.7

申请日：2017-12-26

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 北浩 ,  结城达也

IPC: C07D207/416 ,  C09K19/56 ,  G02F1/1337 ,  C08G73/10

Abstract: 本发明涉及新型聚合物和二胺化合物、液晶取向剂、液晶取向膜和液晶表示元件。一种下述式(1)所示的二胺化合物的制造方法，所述方法包括：使下述式(A)所示的双马来酰亚胺化合物与下述式(B)所示的化合物中P1为氨基的二氨基化合物反应，或者与下述式(B)所示的化合物中P1为硝基的硝基氨基化合物反应的工序；下述式(1)所示的二胺，以及由其得到的聚合物；含有该聚合物的液晶取向剂。R表示氢原子或1价有机基团基，在相同马来酰，R1表示氢原子亚胺、C环1至上C存5的任选为直链或支链的烷基在两个的R1任选彼此相同或、芳不同2价有机基团，存在两个的，W2R表示1任选一起形成2价有机基团C3至，ArC61的亚烷基表示芳环，，WL11表示单键或表示碳原子数1至20的亚烷基。

公开(公告)号：CN117384076A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311169571.3

申请日：2017-12-26

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 北浩 ,  结城达也

IPC: C07D207/416 ,  C09K19/56 ,  G02F1/1337

Abstract: 本发明涉及新型聚合物和二胺化合物、液晶取向剂、液晶取向膜和液晶表示元件。一种下述式(1)所示的二胺化合物的制造方法，所述方法包括：使下述式(A)所示的双马来酰亚胺化合物与下述式(B)所示的化合物中P1为氨基的二氨基化合物反应，或者与下述式(B)所示的化合物中P1为硝基的硝基氨基化合物反应的工序；下述式(1)所示的二胺，以及由其得到的聚合物；含有该聚合物的液晶取向剂。R表示氢原子或1价有机基团基，在相同马来酰，R1表示氢原子亚胺、C环1至上C存5的任选为直链或支链的烷基在两个的R1任选彼此相同或、芳不同2价有机基团，存在两个的，W2R表示1任选一起形成2价有机基团C3至，ArC61的亚烷基表示芳环，，WL11表示单键或表示碳原子数1至20的亚烷基。

公开(公告)号：CN117355579A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280037097.6

申请日：2022-06-06

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 广饭美耶 ,  广井佳臣 ,  上田祐挥 ,  铃木康平 ,  深泽菜月

IPC: C09D131/04

Abstract: 涂覆膜，其是涂布含有共聚物的涂覆膜形成用组合物而得到的，所述涂覆膜用于抑制生物物质的附着，前述共聚物为非水溶性，前述共聚物具有下述式(A)表示的重复单元(A)、及下述式(B)表示的重复单元(B)，前述共聚物中的前述重复单元(A)与前述重复单元(B)的摩尔比率(A:B)为89:11～50:50。(式中，R1～R3各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，X1及X2各自独立地表示单键、酯键、醚键、酰胺键或可被氧原子中断的碳原子数1～5的亚烷基。)

公开(公告)号：CN117279980A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280029864.9

申请日：2022-04-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 中家直树 ,  古川智规

IPC: C08G73/06

Abstract: 一种含三嗪环的聚合物，其特征在于，所述含三嗪环的聚合物包含由下述式(1)表示的重复单元结构，具有至少一个三嗪环末端，该三嗪环末端的至少一部分被具有交联基团的氨基封端。式中，R和R’相互独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基，Ar表示具有酚性羟基的二价基团。*表示化学键，

公开(公告)号：CN117177941A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202380011130.2

申请日：2023-01-13

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荒木惠 ,  末村尚彦 ,  中田豪 ,  大西耀 ,  杉泽雅敏 ,  刘佳昊

IPC: C01B33/149

Abstract: 本发明提供一种即使在室温甚至加温的保管中粘度变化也少的硅溶胶和其制造方法，所述硅溶胶是用硅烷化合物覆盖二氧化硅粒子的表面，将其稳定地分散在有机溶剂或聚合性单体中而成。本发明提供了一种硅溶胶，其特征在于，含有二氧化硅粒子，所述二氧化硅粒子的平均粒径分布具有至少2个峰，作为所述至少两个峰，位于D50～D90的范围内的最大峰a存在于35nm以上且200nm以下的范围内，位于D10～D50的范围内的最大峰b存在于5nm以上且小于35nm的范围内，该二氧化硅粒子至少在其部分表面上含有通过Si‑C键与硅原子直接键合的有机基团和由甲氧基或乙氧基构成的烷氧基，所述烷氧基以0.6～3.0个/nm2的比例与该二氧化硅粒子的表面结合。存在于所述峰a的区域中的二氧化硅粒子A、存在于所述峰b的区域中的二氧化硅粒子B或这两者被硅烷化合物覆盖。