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    利用积分复位以支持减少数目的微分器的CIC抽取滤波器
    61.
    发明公开
    利用积分复位以支持减少数目的微分器的CIC抽取滤波器 审中-实审

    公开(公告)号：CN110581699A

    公开(公告)日：2019-12-17

    申请号：CN201910485661.0

    申请日：2019-06-05

    申请人： 意法半导体国际有限公司

    发明人： A·巴尔 ,  V·辛格 ,  H·辛格

    IPC分类号： H03H17/02

    摘要： 本公开的实施例涉及利用积分复位以支持减少数目的微分器的CIC抽取滤波器。级联积分梳状(CIC)抽取滤波器包括N个积分器级、N-1个微分器级和抽取器，抽取器被耦合以接收从N个积分器级输出的积分信号，并且产生向N-1个微分器级输入的抽取信号。抽取器周期性地断言积分复位信号。响应于积分复位信号的断言，N个积分器级中的最后积分器级被复位。

    通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知
    62.
    发明公开
    通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知 审中-实审

    公开(公告)号：CN110276235A

    公开(公告)日：2019-09-24

    申请号：CN201910072433.0

    申请日：2019-01-25

    申请人： 意法半导体公司 ,  意法半导体国际有限公司

    发明人： M·乔达里 ,  A·库马 ,  G·辛格 ,  R·巴勒

    IPC分类号： G06K9/00 ,  G01D21/02 ,  A61B5/11

    摘要： 本公开的实施例涉及通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知。分布式计算系统用于自主地了解智能装置的环境情境中的人工智能。原始情境数据由与智能装置相关联的传感器检测。原始情境数据由智能装置预处理，并且然后被提供至基于云的服务器以进行进一步处理。在基于云的服务器处，各种特征数据集合从经预处理的情境数据而获得。各种特征数据集合被与对应的分类参数相比较，以确定在情境中发生的连续事件的分类和/或瞬态事件的分类(如果有的话)。连续事件和瞬态事件的所确定的分类将被用于自主地配置智能装置或者另一相关智能装置，以适应情境。

    引线框架表面精整
    63.
    发明公开
    引线框架表面精整 有权

    公开(公告)号：CN110265377A

    公开(公告)日：2019-09-20

    申请号：CN201910186241.2

    申请日：2019-03-12

    申请人： 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体国际有限公司

    发明人： P·克雷马 ,  J·巴泰莫斯 ,  D-G·梁

    IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/48

    摘要： 本公开涉及引线框架设计，其包括涂覆有电镀铜层、贵金属以及粘合促进化合物的铜合金基材。这些层补偿在基材中的划痕或者表面不平整部，同时促进从引线框架到导电连接件的粘合，并且通过将它们耦合到引线框架上的多层涂层的不同层来促进从引线框架到包封剂的粘合。多层涂层的第一层是软电镀铜，其用于使基材的表面平滑。多层涂层的第二层是薄的贵金属，其用于促进引线框架的引线和导电连接件之间的机械耦合。多层涂层的第三层是粘合促进化合物，其用于促进与引线框架周围的包封剂的机械耦合。

    用于深度学习加速的数据体雕刻器
    64.
    发明公开
    用于深度学习加速的数据体雕刻器 审中-实审

    公开(公告)号：CN110197276A

    公开(公告)日：2019-09-03

    申请号：CN201910143139.4

    申请日：2019-02-26

    申请人： 意法半导体国际有限公司 ,  意法半导体股份有限公司

    发明人： S·P·辛格 ,  T·勃伊施 ,  G·德索利

    IPC分类号： G06N3/063 ,  G06N3/08 ,  G06N3/04

    摘要： 本公开涉及用于深度学习加速的数据体雕刻器。设备的实施例包括板载存储器、应用处理器、数字信号处理器(DSP)集群、可配置的加速器框架(CAF)和至少一个通信总线架构。通信总线将应用处理器、DSP集群和CAF通信地耦合到板载存储器。CAF包括可重配置的流交换器和数据体雕刻单元，其具有耦合到可重配置的流交换器的输入和输出。数据体雕刻单元具有计数器、比较器和控制器。数据体雕刻单元被布置为接收形成三维(3D)特征图的特征图数据的流。3D特征图被形成为多个二维(2D)数据平面。数据体雕刻单元还被布置为标识3D特征图内的3D体，3D体在尺寸上小于3D特征图、并且从3D特征图隔离在3D体内的数据以用于在深度学习算法中进行处理。

    用于有源电桥应用的原位过电压保护
    65.
    发明授权
    用于有源电桥应用的原位过电压保护 有权

    公开(公告)号：CN106329484B

    公开(公告)日：2019-07-12

    申请号：CN201510958980.0

    申请日：2015-12-18

    申请人： 意法半导体国际有限公司

    发明人： S·索纳

    IPC分类号： H02H7/122 ,  H02H7/125

    CPC分类号： H02M1/32 ,  H02H7/1222 ,  H02M5/458 ,  H02P29/0241

    摘要： 本公开涉及用于有源电桥应用的原位过电压保护，具体地，涉及一种过电压保护设备，保护接收电源电压的半电桥电路。该过电压保护设备包括高速过电压检测器，该高速过电压检测器接收电源电压、检测是否存在过电压情况并且输出过电压信号，在该半电桥电路的开关会被过电压情况破坏之前，该过电压信号使这些开关禁用。在半电桥的两个开关被禁用的情况下，整个电源电压出现在这两个串联开关上，由此，每个开关仅接收整个电压的一半。因此，通过快速禁用半电桥的这两个开关，每个开关只需要等于整个半电桥电路的最大电压额定值的一半的最大电压额定值。这引起半电桥电路的开关的大小和成本降低。

    具有改进的访问电阻的双端口存储器单元
    66.
    发明公开
    具有改进的访问电阻的双端口存储器单元 审中-实审

    公开(公告)号：CN109962071A

    公开(公告)日：2019-07-02

    申请号：CN201811584367.7

    申请日：2018-12-24

    申请人： 意法半导体国际有限公司

    发明人： T·沙玛 ,  T·罗伊 ,  S·库马尔

    IPC分类号： H01L27/11 ,  H01L21/8244 ,  G11C11/417

    摘要： 本公开的实施例涉及具有改进的访问电阻的双端口存储器单元。本公开涉及双端口静态随机存取存储器(SRAM)单元的电路布局。存储器单元包括在衬底中的有源区，其中在有源区上具有多晶硅栅电极以限定存储器单元的晶体管。通过将第一端口的有源区定位为与第二端口的有源区相对并且将电源线节点固定在存储器单元的中央部分，八晶体管(8T)存储器单元布局包括减小的纵横比和非多晶硅位线放电路径布线。

    对于过程、温度和电压变化而具有稳定频率的CMOS振荡器
    68.
    发明授权
    对于过程、温度和电压变化而具有稳定频率的CMOS振荡器 失效

    公开(公告)号：CN105391424B

    公开(公告)日：2018-10-30

    申请号：CN201510542100.1

    申请日：2015-08-28

    申请人： 意法半导体国际有限公司

    发明人： V·拉纳 ,  G·拉加尔

    IPC分类号： H03K3/011

    摘要： 本公开涉及对于过程、温度和电压变化而具有稳定频率的CMOS振荡器。时钟信号生成电路被配置为生成具有跨越多个运行条件的变化而被保持的频率的时钟信号，多个运行条件的变化例如供应电压、温度以及处理时间的改变。在实施例中，PVT补偿的CMOS环形振荡器的生成的时钟信号的频率扩展被配置用于补偿供应电压的变化以及用于经由过程和温度补偿电路来补偿过程和温度的变化。PVT补偿的CMOS环形振荡器包括经调节的电压供应电路，以生成抵抗由于总供应电压的改变而导致的变化的供应电压。