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公开(公告)号：CN111785704A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010691588.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 陈纬铭
IPC: H01L23/544 , H01L23/488
Abstract: 本公开提供一种覆晶薄膜和显示装置，覆晶薄膜包括基板和芯片，所述基板朝向所述芯片的一侧设置有多个内引脚，所述芯片朝向所述基板的一侧设置有多个金凸块；其中，所述覆晶薄膜还包括对位结构，其能够在所述金凸块与对应的所述内引脚绑定结合过程中确定两者是否发生偏移。本公开实施例的一种覆晶薄膜和显示装置中，设置了对位结构，可用于在基板与芯片结合后检测基板上内引脚与芯片上金凸块之间的对位情况，该对位结构由于设置在覆晶薄膜的基板与芯片上，而不是外部检测装置，因此不受检测空间的限制，可对任意覆晶薄膜的对位情况进行有效准确的检测，同时，由于不是使用AOI检查机等外部检测设备，可在提高检测效率的同时降低成本。
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公开(公告)号：CN111640722A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010532021.3
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60
Abstract: 本申请公开了一种芯片封装方法和芯片封装器件，本申请公开的芯片封装方法先在芯片功能面上的每个焊盘位置处分别形成金属凸块，然后在金属凸块的外围形成绝缘层，再利用带有焊料粒子的导电胶将金属凸块远离焊盘的一侧表面与衬底表面的导电部电连接，且绝缘层远离功能面的表面与衬底接触。其中，绝缘层远离芯片功能面的表面高于金属凸块远离功能面的表面，导电胶位于绝缘层围设的区域内。当利用带有焊料粒子的导电胶将金属凸块与导电部电连接之后，绝缘层覆盖金属凸块以及导电部的侧壁，能够避免金属凸块的侧壁与其他金属凸块或者显示装置之外的其他器件横向导通的问题，降低显示装置出现短路的几率，提高显示装置内部电连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN111640676A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010531380.7
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本申请公开了一种形成金属凸块的方法以及半导体器件。本申请公开的形成金属凸块的方法先在在晶圆正面形成绝缘层，绝缘层对应焊盘设置有贯通的第一开口，第一开口靠近焊盘位置处的尺寸小于其远离焊盘位置处的尺寸，且第一开口靠近焊盘位置处的尺寸小于焊盘的尺寸；然后在第一开口内形成金属凸块；再去除未被金属凸块在晶圆上的正投影覆盖的绝缘层。在第一开口内形成的金属凸块靠近焊盘位置处的尺寸小于焊盘的尺寸，也小于其远离焊盘位置处的尺寸，使得金属凸块的体积小于现有技术中两端尺寸基本一致的金属凸块的体积，从而能够在不减小金属凸块电连接接触面积的前提下减少金属的使用量，在不影响半导体器件可靠性的前提下节约成本。
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公开(公告)号：CN111638624A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010502590.3
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 陈运生
IPC: G03F1/00
Abstract: 本公开提供一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件，所述掩膜版包括掩膜基板，掩膜基板沿其第一预定方向间隔设置有用以形成目标图形的多个第一区域以及环绕所述多个第一区域设置的第二区域，第一区域和第二区域中的一者为遮光区，所述第一区域和第二区域中的另一者为透光区；其中，多个第一区域中存在至少一个目标第一区域，所述目标第一区域的至少一侧满足在沿所述第一预定方向预设距离阈值内不存在其余所述第一区域。本公开实施例的提供了一种新的掩膜版的结构，将掩膜版中分布不均匀、不紧密的区域的开窗图案进行收缩设计，在烘烤过程中，收缩图形受热向外扩张后的形状与原始设计相同，提高了半导体器件的制备精度，节约了制备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111627880A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010499138.6
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/00 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种半导体凸块及其制备方法、封装结构。制备方法包括：提供基底；在基底上形成凸块下金属层；对凸块下金属层进行第一次构图工艺，以在凸块下金属层上形成第一金属功能层；对凸块下金属层和第一金属功能层进行第二次构图工艺，形成覆盖第一金属功能层表面的第二金属功能层。采用两次构图工艺分别形成第一金属功能层以及覆盖在第一金属功能层上的第二金属功能层，可以避免第一金属功能层直接暴露在空气中，从而可以有效避免第一金属功能层(活性较强，如铜等)在空气中发生氧化和腐蚀等导致失效的现象发生，提高半导体凸块的制作良率，并能够有效避免应用该半导体凸块的芯片发生漏电情况，提高芯片的安全性能。
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公开(公告)号：CN111599728A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010486213.5
申请日：2020-06-01
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本申请公开了一种晶圆载台及半导体制造设备，所述晶圆载台设置有承载台，还包括至少一个检测传感器，所述检测传感器至少用于检测所述承载台上是否放置有晶圆，检测传感器的工作可靠，可准确地检测所述承载台上是否放置有晶圆，从而保证了半导体制造设备的工作可靠性，避免了因误检测而导致的晶圆划伤和压裂的风险。
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公开(公告)号：CN111599727A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010486209.9
申请日：2020-06-01
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本申请公开了一种晶圆表面附着物清除设备，包括：第一吸盘，用于吸附固定待处理的晶圆；驱动装置，与所述第一吸盘传动连接，可使所述第一吸盘以其中心旋转；清除装置，包括设置在所述第一吸盘一侧的摩擦体，所述摩擦体的摩擦面至少可与所述第一吸盘上固定的晶圆的边缘位置接触，以使所述摩擦体在所述第一吸盘带动晶圆转动时可至少摩擦晶圆的边缘位置；工作时，将边缘有漏镀的晶圆固定至所述第一吸盘上，通过驱动装置驱动第一吸盘转动以使晶圆转动，然后通过将清除装置的摩擦体的摩擦面接触晶圆的边缘位置，通过摩擦体对漏镀的位置进行磨削，达到去除漏镀的目的。
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公开(公告)号：CN111554599A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010346337.3
申请日：2020-04-27
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 许玉斌
IPC: H01L21/673
Abstract: 本申请公开了一种承载晶圆料盒的治具、晶圆料盒装置及装载晶圆的方法。承载晶圆料盒的治具包括：楔形载台，楔形载台的倾斜面上设置有凹槽，凹槽的底部包括镂空区和非镂空区，非镂空区用于承载框架的边缘，以使得框架的至少部分位于凹槽内；升降托举组件，包括驱动件和与驱动件连接的托举手臂，托举手臂在驱动件的作用下从凹槽的镂空区作用于对应位置处的晶圆承载区内的晶圆，以使得晶圆与相邻的其他晶圆位置错开，晶圆表面的刻号露出。本申请提供的承载晶圆料盒的治具，能够利用托举手臂将晶圆升起，使其刻号露出，省去人工夹持晶圆的操作，减少因夹持造成的晶圆损伤，而且方便读取刻号、核对刻号。
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公开(公告)号：CN111554586A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010537933.X
申请日：2020-06-12
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 张文斌
IPC: H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/467
Abstract: 本申请公开了一种芯片封装体的制备方法，该芯片封装体的制备方法包括提供芯片/晶圆，芯片/晶圆具有主动面和与主动面相对的背面，芯片/晶圆的主动面上设置有连接件，连接件用于与键合基板键合；将芯片/晶圆与临时基板键合；在芯片/晶圆的背面上形成散热槽。通过上述方式，本申请能够提高芯片的散热效率。
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