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公开(公告)号：CN115051681A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210788708.2
申请日：2022-07-06
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种低杂波铌酸锂薄膜声表面波滤波器及其制备方法；该方法包括：支撑衬底、介质层、铌酸锂薄膜和叉指换能器；所述介质层包括介电薄膜层和预埋介电材料，预埋介电材料嵌入设置在铌酸锂薄膜内部且呈周期性分布，介电薄膜层设置在支撑衬底和铌酸锂薄膜之间，且介电薄膜层和预埋介电材料相邻；本发明通过在压电薄膜层即介电薄膜层中内埋介电材料，抑制杂波信号，降低宽带单晶薄膜声表面波滤波器通带的杂波干扰，提升滤波器通带平坦度，实现单晶薄膜声表面波滤波器整体性能提升，实用性高。
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公开(公告)号：CN113463195B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110777693.5
申请日：2021-07-09
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种生长梯度掺杂Yb:YAG单晶的方法，先配置不同掺杂浓度的Yb:YAG胚料，再将不同胚料按照浓度由高到低的顺序依次由前至后放置于舟型钼坩埚中，舟型钼坩埚头部放入籽晶，再将舟型钼坩埚放入晶体生长炉内的可移动分体式加热器中。加热器由多个独立加热单元组成，加热器中部加热功率最高，每个加热单元的位置和加热功率可分别控制。利用此加热器可以较精细调节胚料周围轴向温度梯度并形成可控的窄熔区，坩埚不动，移动加热器使窄熔区按需移动从而实现晶体生长。本发明实现了分凝系数接近于1的Yb:YAG梯度掺杂，材料内部微结构满足其功能要求，并且浓度梯度可控。
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公开(公告)号：CN111555732B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010397564.9
申请日：2020-05-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本专利涉及一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括硅晶圆以及有机感光膜支撑墙和有机感光膜盖板，在硅晶圆上方形成具有膜层结构的功能芯片；在功能芯片的两肩处形成有向上凸起的焊盘电极；在焊盘电极的周围安装有机感光膜支撑墙，所述有机感光膜支撑墙通过热固化连接在硅晶圆上；在功能芯片正下方设置有功能区下空腔；在所述有机感光膜支撑墙的上方安装有机感光膜盖板，从而在功能芯片上方形成功能区上空腔；在所述有机感光膜盖板以及所述有机感光膜支撑墙上设置有相同圆心不同直径的电极孔，并在电极孔内镀有金属。本专利制备工艺简单、成本较低、适合大规模稳定量产。
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公开(公告)号：CN114718986A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210444686.8
申请日：2022-04-26
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： F16F15/08
摘要： 本发明公开了一种电子设备全悬浮式隔振隔冲方法及结构，将电子设备的敏感器件分别全悬浮置于封闭外壳内，敏感器件与外壳内壁之间的空隙通过灌封胶填充；灌封之前完成电子设备各组成部分之间的连接关系；灌封胶作为阻尼介质，其振动传递函数满足电子产品工作要求，振动冲击激励源通过外壳和灌封胶传递给敏感器件时，在灌封胶的阻尼作用下，实现电子设备隔振隔冲。本发明能够隔离三个方向的振动或者冲击，保证电子设备内部器件免受外部力学环境影响。
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公开(公告)号：CN114337595A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210003651.0
申请日：2022-01-04
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种温度补偿型宽带声表面波滤波器；该滤波器包括：压电基底、金属电极和温度补偿层；金属电极设置在压电基底上，温度补偿层为设置在压电基底上且不与金属电极重合的部分；本发明能够实现相对带宽大于10％以上，频率温度系数优于‑30ppm/℃的温度补偿型宽带声表面波滤波器，提高了宽带声表面波滤波器性能，使其满足更多射频系统对于高稳定性宽频范围信号提取的需要；同时，本发明在工艺方面容易实现，在任意频段均可推广，可推广性强，具有良好的额经济效益。
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公开(公告)号：CN110708035B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201911001605.1
申请日：2019-10-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法，包括如下步骤：1）清洗晶片；2）在晶片的器件面上制作声表面波器件的金属芯片；3）在金属芯片的金属面制作温度补偿层；4）在温度补偿层上开槽并涂覆吸声胶。本发明能够有效地阻断温度补偿层上表面上表面波的传播路径，并吸收掉温度补偿层上表面上表面波，提高TCSAW的电性能指标。
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公开(公告)号：CN114244312A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111613630.2
申请日：2021-12-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种FBAR滤波器电路结构，一种FBAR滤波器电路结构，其特征在于：包括滤波模块和陷波模块，所述陷波模块与滤波模块的输入端或输出端相连，用于在FBAR滤波器电路的阻带形成一个传输零点。本发明通过采用串联的陷波模块和滤波模块，其中的陷波模块可以在FBAR滤波器电路的阻带形成一个传输零点，从而可以提高带外抑制，通过调整陷波模块中第一谐振器的谐振频率，能够准确控制FBAR滤波器电路传输零点的位置。
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公开(公告)号：CN114244304A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111613628.5
申请日：2021-12-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种温度补偿型声表面波器件杂波的抑制方法，包括以下步骤：1）清洗晶片；2）在晶片的器件面上制作声表面波器件的金属叉指层；3）在晶片上制作平坦化的温度补偿层，并该温度补偿层将金属叉指层覆盖；4）在温度补偿层位于金属叉指层上侧的部分中加工若干通孔或盲孔。本发明通过在温度补偿层中设置若干通孔或盲孔，可以有效地抑制带外杂波，增加通带带宽。其中采用光刻加刻蚀的方法可以做出各种形状和尺寸的通孔或盲孔。
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公开(公告)号：CN114236884A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111587131.0
申请日：2021-12-23
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G02F1/11
摘要： 本发明涉及一种基于铌酸锂的高速高阈值声光调制器，属于光电子领域；所述声光调制器包括声光介质、键合层、换能器和表电极；声光介质的通声面通过键合层安装有换能器，换能器表面镀设有表电极，所述声光介质为铌酸锂晶体，铌酸锂晶体[100]轴垂直于声光介质的通声面，铌酸锂晶体[010]轴位于声光介质的通声面内，铌酸锂晶体的[010]轴与入射光之间的夹角为0.5°±0.3°本发明采用铌酸锂晶体作为声光介质，提高了铌酸锂晶体的声光优值，并且还提高了声光器件承受高功率激光的能力；同时本发明还在声光介质的通光面镀制增透膜，提高声光器件对光能量的利用率，整体而言，本发明能够较好的满足高速高阈值的调制要求。
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公开(公告)号：CN114217664A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111335414.6
申请日：2021-11-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明提出一种梳谱传输控制方法、装置及电路，包括：根据频率和幅度构建梳谱原始数据；将所述梳谱原始数据输出至处理模块进行预存储；响应于梳谱信号输出命令，读取所述处理模块中的所述梳谱原始数据并输出至数模转换器；本发明可根据需要，产生任意频点、任意频率间隔、任意谱线数量、任意幅度的梳谱信号，实现梳谱频率和幅度的实时在线配置。
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