- 专利标题： 温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法
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申请号： CN201911001605.1申请日： 2019-10-21
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公开(公告)号： CN110708035B公开(公告)日： 2022-04-01
- 发明人: 董加和 , 冷俊林 , 陆川
- 申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
- 申请人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
- 当前专利权人： 中电科技集团重庆声光电有限公司
- 当前专利权人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构： 重庆博凯知识产权代理有限公司
- 代理商 孙根
- 主分类号： H03H9/02
- IPC分类号： H03H9/02 ; H03H3/10
摘要：
本发明公开了一种温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法，包括如下步骤：1）清洗晶片；2）在晶片的器件面上制作声表面波器件的金属芯片；3）在金属芯片的金属面制作温度补偿层；4）在温度补偿层上开槽并涂覆吸声胶。本发明能够有效地阻断温度补偿层上表面上表面波的传播路径，并吸收掉温度补偿层上表面上表面波，提高TCSAW的电性能指标。
公开/授权文献
- CN110708035A 温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法 公开/授权日：2020-01-17
