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公开(公告)号：CN100536130C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710046995.5
申请日：2007-10-12
Applicant: 上海大学 , 上海蓝宝光电材料有限公司 , 华东微电子技术研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L23/36 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及了一种高散热多芯片集成大功率白光发光二极管模块及其制备方法。本发明采用多颗大功率发光二极管LED芯片集成在氮化铝AlN和低温共烧陶瓷LTCC叠层基板上，从衬底、粘结层和基板三个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力。其制备方法包括如下工艺步骤：按设计确定发光二极管LED芯片颗数、烧制叠层基板和电极层、通过共晶工艺将大功率发光二极管LED芯片键合到氮化铝AlN层、线键合和硅胶灌封。本模块散热性能好，提高了多芯片集成大功率发光二极管的光效及可靠性，可应用于照明领域。
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公开(公告)号：CN101509144A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910046584.5
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C30B29/38 , C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11－20)面GaN薄膜质量的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到800－950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150－500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1－50sccm，对应于摩尔流量：4E－6mole/min－3E－4mole/min；然后降低压力至100－300torr，升温到1000－1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U－GaN)层，TMGa流量为10－150sccm，对应于摩尔流量：4E－5mol/min－7.5E－4mole/min；接着关闭TMGa的流量计，通入硅烷(SiH4)或者二茂镁(Cp2Mg)，生长一层SiNx或者Mg3N2阻挡层，厚度为1－100nm，然后再升温到1050－ 1150℃，在氢气气氛下生长高温U－GaN约1um，TMGa流量为20－200sccm，对应于摩尔流量：8E－5mol/min－1E－3mole/min。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，而高温U－GaN的目的是提高薄膜质量，改善表面平整度。
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公开(公告)号：CN101188224A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710046995.5
申请日：2007-10-12
Applicant: 上海大学 , 上海蓝宝光电材料有限公司 , 华东微电子技术研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L23/36 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及了一种高散热多芯片集成大功率白光发光二极管模块及其制备方法。本发明采用多颗大功率发光二极管LED芯片集成在氮化铝AlN和低温共烧陶瓷LTCC叠层基板上，从衬底、粘结层和基板三个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力。其制备方法包括如下工艺步骤：按设计确定发光二极管LED芯片颗数、烧制叠层基板和电极层、通过共晶工艺将大功率发光二极管LED芯片键合到氮化铝AlN层、线键合和硅胶灌封。本模块散热性能好，提高了多芯片集成大功率发光二极管的光效及可靠性，可应用于照明领域。
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公开(公告)号：CN101078481A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710042988.8
申请日：2007-06-28
Applicant: 上海隆光蜃景光电科技有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Inventor： 谢金崇
Abstract: 本发明涉及大功率LED天花灯，包括大功率Led灯头、底座，所述的大功率Led灯头固定于底座上端，该底座的下端设有悬挂固定组件。与现有技术相比，本发明具有结构简单、安装方便、外形美观、散热效果好等特点。
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公开(公告)号：CN101005733A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610148260.9
申请日：2006-12-29
Applicant: 上海芯光科技有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Inventor： 孙卓
Abstract: 本发明涉及光电子器件技术领域，具体地说是一种薄型半导体照明平面集成光源模块的制造方法，其工艺步骤为：电路板表面镀铜膜；按设计的造型对铜膜进行图形化刻蚀处理；在作为电极的电路板铜膜连线表面镀锡膜，在非连线区域的铜膜表面镀高反射率的金属薄膜作为反光层；将LED芯片贴装焊接在具有连线的锡膜表面制得LED阵列；将具有散光结构的透明保护层罩住LED阵列形成光源模块；将光源驱动电路与光源模块相连而得到平面集成光源模块。本发明与现有技术相比，产品轻而薄；光源的光通量高；光源模块的可靠性和寿命提高；提高了光输出效率；制作工艺简单，易于规模生产，制造成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101958236B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200910055072.5
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。
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公开(公告)号：CN102818161A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210324521.3
申请日：2012-09-04
Applicant: 上海九高节能技术有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: F21S2/00 , F21V5/04 , F21Y101/02
Abstract: 本发明提供了一种LED灯具，包括：壳体，位于壳体内的LED灯泡，罩设在LED灯泡外围并与壳体相连的反光杯；沿反光杯的周向与其相连的菲涅尔透镜，其位于LED灯泡的顶端，且菲涅尔透镜向远离LED灯泡的方向凸出。上述LED灯具，通过在LED灯泡的顶端增设菲涅尔透镜，且菲涅尔透镜向远离LED灯泡的方向凸出，由菲涅尔透镜的光学特性可知LED灯泡发出的光到达菲涅尔透镜后发生折射，大部分光线平行于反光杯的中心线照射出去，即大部分光线以准直光线射出，减少了汇集在焦点的光线，从而减少了发散光线，进一步减小了LED灯泡发出的光的出射角，即进一步减小了LED灯具的出射角，从而进一步增大了LED灯具的照射距离。
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公开(公告)号：CN101956233B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910055070.6
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种镓酸锂晶体的制备方法，包括：将Li2CO3和Ga2O3作为原料混合后压块得到成型体，烧结所述成型体；在真空条件下加热所述成型体得到熔体，将籽晶下到所述熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。按照本发明，在烧结的过程中，可以提高原料纯度，降低晶体生长的挥发。然后，将成型体在真空条件下加热形成熔体，取籽晶下到熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶以降低温场的不均匀性，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。采用冷心下种，可以使固液界面的顶端与籽晶中心重合防止晶体偏心生长，有利于挥发性物质的排出，从而提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN102661555A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210163171.7
申请日：2012-05-23
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海九高节能技术有限公司
IPC: F21S8/00 , F21V29/00 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种LED射灯，包括设有透气孔的外壳、设置于所述壳体的透光孔的透光片、设置于所述壳体内部的芯片及反光杯，还包括设置于所述外壳内的散热器，所述散热器包括散热底座部和散热主体部，所述芯片固定置于所述散热底座部，所述散热底座部设有供导线伸入与所述芯片相连接的接线孔。本发明所提供的LED射灯具有很好的散热效果，可以提高芯片的发光率，延长芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102623619A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210113628.3
申请日：2012-04-17
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种基于硅基的LED芯片封装方法及LED芯片发光器件，属半导体器件领域。其在IC芯片封装生产线上对LED芯片进行封装：利用硅片作承载体，采用“键合”方式将LED芯片直接固定在硅片上；用液态玻璃在硅片表面及各个LED芯片之间形成绝缘层；对硅片置有LED芯片的一面进行抛光；采用“镀膜”法在固化后的玻璃以及LED芯片的表面制备连接电极；对硅片进行切割，得到LED发光器件或LED发光器件模块产品。其降低了LED封装成本，为现有集成电路IC芯片封装生产线的应用和使用扩展了一个全新的领域，特别适于大功率LED发光器件的生产，在相同外部环境条件或电源功率的情况下可输出更大的光功率。可广泛用于LED发光器件的生产/制造领域。
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