公开(公告)号：CN110010483B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201811176942.X

申请日：2018-10-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 马飞 ,  冯光建 ,  王永河 ,  程明芳 ,  郭丽丽 ,  郑赞赞 ,  陈雪平 ,  郁发新

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/552

摘要： 本发明公开了一种电磁屏蔽功能的射频芯片三维封装工艺，包括如下步骤：101）柔性电路板处理步骤、102）安置功能芯片步骤、103）封装步骤；本发明提供避免了芯片间的电磁干扰的一种电磁屏蔽功能的射频芯片三维封装工艺。

公开(公告)号：CN110010475B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201811176802.2

申请日：2018-10-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  陈雪平 ,  刘长春 ,  丁祥祥 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳 ,  郁发新

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种射频芯片系统级封装的散热模块制作工艺，包括如下步骤：101）盖板处理步骤、102）底座处理步骤、103）封装步骤；本发明提供避免大大提高模块的散热能力的一种射频芯片系统级封装的散热模块制作工艺。

公开(公告)号：CN111403332A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010128859.6

申请日：2020-02-28

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郁发新 ,  冯光建 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种超厚转接板的制作方法，包括以下步骤：A，在双层SOI硅片转接板表面制作TSV，对TSV进行金属填充，减薄转接板背面，在转接板背面制作凹槽；B，在凹槽内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板背面制作RDL和焊盘；C，对转接板TSV面做空腔刻蚀，腐蚀掉空腔内TSV；D，在空腔内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板TSV面制作RDL和焊盘；E，切割转接板成单一芯片，得到具有上下互联结构的转接板。

公开(公告)号：CN111223926A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN202010319858.X

申请日：2020-04-22

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 马飞 ,  冯光建 ,  黄雷

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L23/473 ,  H01L21/335

摘要： 本发明提供一种卷式GaN基半导体器件及其制备方法，该器件包括：第二半导体衬底；键合材料层；中空且封闭的卷式管状结构，由外向内包括：具有压应力及张应力的两层SiN层、第二AlyGa1-yN层、GaN层及第一AlxGa1-xN层，0

公开(公告)号：CN110676214A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910905495.5

申请日：2019-09-24

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郁发新 ,  冯光建 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/48 ,  H01L23/528

摘要： 本发明公开了一种金属填充弯管的垂直互联方法，具体包括如下步骤：101)转接板制作步骤、102)注入金属步骤、103)成型步骤；本发明通过在高温下使金属熔融，然后在真空和大压力作用下，把液态金属填入到弯孔里面，冷却后形成弯孔内金属填充，同时避免了进行种子层沉积在沟槽这一步，节省了成本的一种金属填充弯管的垂直互联方法。

公开(公告)号：CN110010565A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811595174.1

申请日：2018-12-25

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  马飞 ,  程明芳 ,  王永河 ,  郁发新

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/42

摘要： 本发明公开了一种用于射频微系统中大功率组件的双层相变散热器及其制作方法，具体处理包括如下步骤：101）散热转接板制作步骤、102）射频芯片转接板制作步骤、103）键合步骤；本发明提供新的带走大量热量，达到降低芯片温度的一种用于射频微系统中大功率组件的双层相变散热器及其制作方法。

公开(公告)号：CN110010504A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811176852.0

申请日：2018-10-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  郭丽丽 ,  郑赞赞 ,  陈雪平 ,  刘长春 ,  丁祥祥 ,  王永河 ,  郁发新

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/48 ,  H01L23/552

摘要： 本发明公开了一种具有电磁屏蔽功能的射频模块制作工艺，包括如下步骤：101）盖板处理步骤、102）底座处理步骤、103）封装步骤；本发明提供具有良好电磁屏蔽的效果的一种具有电磁屏蔽功能的射频模块制作工艺。

公开(公告)号：CN110010501A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811177019.8

申请日：2018-10-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  刘长春 ,  郑赞赞 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳 ,  郭丽丽 ,  郁发新

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开了一种防辐射型系统级封装光电模块工艺，包括如下步骤：101）盖板制作焊盘步骤、102）盖板上制作空腔步骤、103）盖板上制作通孔步骤、104）底座上制作凹坑步骤、105）底座处理步骤、106）封装步骤；本发明提供有效避免模块内部光电芯片被辐射，同时适合批量生产的一种防辐射型系统级封装光电模块工艺。

公开(公告)号：CN110010486A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811176982.4

申请日：2018-10-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳 ,  郭丽丽 ,  郑赞赞 ,  陈雪平 ,  郁发新

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种密闭结构的系统级射频芯片封装工艺，包括如下步骤：101）盖板上制作金属墙步骤、102）底座初步处理步骤、103）底座二次处理步骤、104）封装步骤；本发明提供整个密闭结构的制作工艺简单化的一种密闭结构的系统级射频芯片封装工艺。

公开(公告)号：CN110010485A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811176970.1

申请日：2018-10-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  郭丽丽 ,  郑赞赞 ,  陈雪平 ,  刘长春 ,  丁祥祥 ,  王永河 ,  郁发新

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/52 ,  H01L23/043 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10

摘要： 本发明公开了一种具有光路转换功能的密闭型光电模块制作工艺，包括如下步骤：101）键合处理步骤、102）玻璃板处理步骤、103）底座处理步骤、104）盖板处理步骤、105）密封步骤；本发明提供光电芯片的完全密闭的一种具有光路转换功能的密闭型光电模块制作工艺。