卷式GaN基半导体器件及其制备方法

发明公开

CN111223926A 卷式GaN基半导体器件及其制备方法有权

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专利标题： 卷式GaN基半导体器件及其制备方法
申请号： CN202010319858.X

申请日： 2020-04-22
公开(公告)号： CN111223926A

公开(公告)日： 2020-06-02
发明人: 马飞 , 冯光建 , 黄雷
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
申请人地址： 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
专利权人： 浙江集迈科微电子有限公司
当前专利权人： 浙江集迈科微电子有限公司
当前专利权人地址： 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
代理机构： 上海光华专利事务所
代理商 贺妮妮
主分类号： H01L29/778
IPC分类号： H01L29/778 ; H01L23/473 ; H01L21/335

卷式GaN基半导体器件及其制备方法

摘要：

本发明提供一种卷式GaN基半导体器件及其制备方法，该器件包括：第二半导体衬底；键合材料层；中空且封闭的卷式管状结构，由外向内包括：具有压应力及张应力的两层SiN层、第二AlyGa1-yN层、GaN层及第一AlxGa1-xN层，0

公开/授权文献

CN111223926B 卷式GaN基半导体器件及其制备方法公开/授权日：2020-07-24

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/778	.....带有二维载流子气沟道的，如HEMT