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公开(公告)号：CN114429894B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202111538506.4
申请日：2021-12-15
Applicant: 南京师范大学
IPC: H01J37/244 , H01J37/20
Abstract: 本发明公开了利用E‑T型二次电子探测器获得扫描成像固定装置及其方法，包括第一组件、第二组件、螺丝和铜网样品,所述第二组件上设有一排锁紧孔和一排凹槽；所述第一组件上设有样品放置槽，其中铜网样品放置在每个所述样品放置槽上，其中螺丝穿过对应的锁紧孔将第二组件固定在所述第一组件的顶部。所述方法将铜网透射样品置于凹槽型样品台中，通过凹槽型设计与物镜极靴底部形成相对闭合空间来抑制E‑T型二次电子探测器从样品上表面获得表面信息，从而达到扫描透射成像的目的。本发明所述方法工艺简单、成像效果好、可重复性强，适用于各种扫描电子显微镜。
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公开(公告)号：CN116686062A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180084393.7
申请日：2021-12-02
Applicant: ICT半导体集成电路测试有限公司
IPC: H01J37/244
Abstract: 提供了用于测量带电粒子束装置的初级带电粒子束(123)的电流的电流测量模块(100)，电流测量模块(100)包括检测单元(160)，所述检测单元(160)经配置为用于检测在初级带电粒子束(123)撞击在带电粒子束装置的射束收集器(140)的导电表面(142)上时释放的次级带电粒子和/或背散射带电粒子(127)。
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公开(公告)号：CN115602513B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111082907.3
申请日：2021-09-15
Applicant: 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种用于离子植入机的气体有效利用率的监测方法，包含以下步骤：计算单位气体消耗量，其中单位气体消耗量为钢瓶端气体流量与机台植入参数的函数；将单位气体消耗量与预定阈值进行比较；以及基于比较结果判断气体用量是否异常。该方法引入包含扫描次数、扫描速度和植入剂量在内的离子植入参数，结合钢瓶端气体流量大小建立气体量理论模型，能够实时监测用于离子植入机的气体的有效利用率。本发明同时提供一种用于执行该监测方法的系统。
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公开(公告)号：CN116646229A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310893955.3
申请日：2023-07-20
Applicant: 北京惠然肯来科技中心(有限合伙)
IPC: H01J37/244 , H01J37/141 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种带电粒子探测系统、探测方法及扫描电子显微镜；该带电粒子探测系统包括：沿入射电子束方向依次设置的第一探测器组件、第二探测器组件及物镜；其中，第一探测器组件用于接收入射电子束作用于待测样品上产生的第一信号电子；第二探测器组件用于接收入射电子束作用于待测样品上产生的第二信号电子，第二探测器组件设置有第一通孔，第一信号电子穿过第一通孔；物镜为电磁透镜，用于汇聚入射电子束以及第一信号电子、第二信号电子。基于上述方案，本发明简化了带电粒子探测系统的结构，设备的加工难度较低，降低了带电粒子探测系统的加工成本，降低了带电粒子探测系统在使用过程中的调试难度。
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公开(公告)号：CN116635974A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180085492.7
申请日：2021-12-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/244
Abstract: 公开了一种用于带电粒子检测器的改进的读出电路和一种用于操作该读出电路的方法。一种改进的电路包括：被配置为接收表示传感器层的输出的信号并且包括第一输入端子和输出端子的放大器、连接在第一输入端子与输出端子之间的电容器、以及与电容器并联连接在第一输入端子与输出端子之间的电阻器。该电路可以被配置为在第一模式和第二模式下操作。电容器可以使用电容器的电容值可调节，以使得能够对在第一模式下操作的电路的增益进行控制并且对在第二模式下操作的电路的带宽进行控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116631830A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310893962.3
申请日：2023-07-20
Applicant: 北京惠然肯来科技中心(有限合伙)
IPC: H01J37/10 , H01J37/147 , H01J37/244 , H01J37/28
Abstract: 本发明涉及一种偏转探测系统、探测方法及扫描电子显微镜。该偏转探测系统包括：物镜、偏转器组件、多组探测器组件以及样品台，入射电子束通过物镜汇聚后，作用在待测样品上产生不同的电子和/或射线的散射信号；偏转器组件设在物镜内，用于使不同的散射信号以不同角度方向偏转；多组所述探测器组件均设于物镜上方，分别用于接收相应偏转角度方向的散射信号；样品台用于放置待测样品。基于上述方案，本发明提供的偏转探测系统可以基于各种不同类型、不同电子能量的散射信号对待测样品进行探测，可以应用于各种不同的使用模式，应用范围更广。
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公开(公告)号：CN110021513B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201811591747.3
申请日：2018-12-20
Applicant: FEI 公司
IPC: H01J37/26 , H01J37/244 , G01N1/28
Abstract: 公开了用于TEM薄片制备的样品取向的方法。衬底可对准以用于离子束铣削或其他检查或处理，其通过基于来自所述衬底的电子束反向散射从所述衬底获得电子沟道图案（ECP）或其他电子束反向散射图案。所述ECP随衬底晶体取向而变化，并且与处于最大值、最小值或中点处或附近的ECP图案值相关的倾斜角被用于确定衬底倾斜。然后使用连接所述衬底的倾斜台或通过调整离子束轴来补偿或消除此倾斜。在典型的实例中，电路衬底“块”被对准以用于离子束铣削以揭示用于评估电路处理的电路特征。
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公开(公告)号：CN111758144B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201880090114.6
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/04 , H01J37/067 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/30
Abstract: 本发明提高通过向试样照射非聚焦的离子束加工试样的离子铣削装置的加工精度、或加工面形状的再现精度。为此，具有试样室(6)、设置于试样室的离子源位置调整机构(5)、经由离子源位置调整机构安装于试样室且射出离子束的离子源(1)、以及以旋转中心为轴旋转的试样台(2)，若将离子束的离子束中心(B0)和旋转中心(R0)一致时的旋转中心的延伸方向设为Z方向，且将与Z方向垂直的面设为XY面，则离子源位置调整机构(5)能够调整离子源(1)的XY面上的位置及Z方向的位置。
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公开(公告)号：CN115938897A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210942314.8
申请日：2022-08-08
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 三田村茂宏
IPC: H01J37/28 , H01J37/06 , H01J37/10 , H01J37/22 , H01J37/244 , G01N23/2254
Abstract: 本发明提供一种阴极发光分光装置。阴极发光分光装置(100)具备电子枪(10)、反射镜(20)、标准具元件(30)、检测器(40)以及控制装置(50)。标准具元件(30)包括第一半反镜和第二半反镜。第二半反镜设置在与第一半反镜相向的位置。第一半反镜使通过反射镜(20)会聚后的阴极发光(CL2)的一部分反射并使一部分透过。第二半反镜使透过了第一半反镜的阴极发光的一部分反射并使一部分透过。第一半反镜和第二半反镜使第一半反镜与第二半反镜之间的阴极发光发生干涉，从而使特定波长的阴极发光(CL3)从第二半反镜透过。检测器(40)对透过了第二半反镜的阴极发光(CL3)的强度进行检测。
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公开(公告)号：CN111312572B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010116388.7
申请日：2020-02-25
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种离子注入机台的监控方法，所述离子注入机台的监控方法包括，提供一反应腔，所述反应腔内具有离子源；通过所述离子源形成离子束，所述离子束具有多个离子；对多个所述离子进行检测，以得到多个所述离子的原子质量和电流；通过多个所述离子的所述原子质量和所述电流确定所述离子束是否合格。即通过对所述离子束的多个所述离子进行检测，得到多个所述离子的原子质量和电流，由此，根据多个所述离子的所述原子质量和所述电流确定所述离子束是否合格，进而确定所述离子注入机的稳定性，进一步的，由于确定了所述离子束是否合格，从而可以避免异常的所述离子束对产品造成的损伤。
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