公开(公告)号：CN111020481A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911182289.2

申请日：2019-11-27

申请人： 广州市尤特新材料有限公司

发明人： 雷雨 ,  肖世文 ,  周志宏 ,  杨永添 ,  沈艳斌

IPC分类号： C23C14/16 ,  C23C14/32 ,  C23C14/35 ,  H01F41/18 ,  H01F41/20

摘要： 本发明公开了一种电磁锅用导磁涂层及其制备方法。本发明利用真空磁控溅射的方式或多弧离子镀的方式，并优化工艺参数，在锅具表面镀出导磁涂层。本发明成本较低，可连续化生产，对锅体材料无特殊要求，锅体升温较低，温度＜200℃，且制备得到的导磁涂层致密性好，与锅体结合强度高，膜层厚度均匀，表面粗糙度低，无需后续车削或磨削的方式再加工。

公开(公告)号：CN110144498A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910435862.X

申请日：2019-05-23

申请人： 北京工业大学

发明人： 杨胶溪 ,  成龙 ,  张文韬 ,  徐凯

IPC分类号： C22C19/03 ,  C22C1/04 ,  C23C24/10 ,  C22F1/10 ,  H01F1/147 ,  H01F41/20 ,  G01N15/08 ,  G01N33/2045 ,  G01R33/14

摘要： 本发明公开了一种激光直接沉积的稀土软磁合金及其磁性能调控方法，包括以下步骤：稀土软磁合金粉末成分按重量份为：Ni：79.0-80.0份，Mo：1.5-2.5份，Gd：1.0-2.0份，Si：0.5-1.0份，Fe余量。采用激光直接沉积技术制备稀土软磁合金，然后对成型的软磁合金进行热处理。本发明采用缺陷量化方式对新型稀土软磁合金的磁性能进行调控，建立缺陷与软磁性能的数字化联系，最终获得自定义规格的高性能高致密度的稀土软磁合金。最优工艺参数：激光功率700-900W，光斑尺寸3-6mm，激光扫描速度4～15mm/s，送粉率25～30g/min。本发明满足航空航天与船舶导航等精密器件对高性能软磁合金的定制化需求，在军事与高精度工业中具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN106637092A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611229335.6

申请日：2016-12-27

申请人： 苏州思创源博电子科技有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  H01F41/20

CPC分类号： C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  H01F41/205

摘要： 本发明公开了一种磁电复合薄膜的制备方法，该制备方法普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好，本发明的复合薄膜均匀性好、性能稳定，具有良好的电学性能和铁磁性能。

公开(公告)号：CN104451544A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410654439.6

申请日：2014-11-17

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 李浩然 ,  郑仁奎 ,  郑明 ,  李效民

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01F10/18 ,  H01F41/20 ,  B32B18/00

CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01F10/18 ,  H01F41/205

摘要： 本发明涉及一种无铅磁电复合薄膜及其制备方法，所述磁电复合薄膜包括0.5BaZr0.2Ti0.8O3-0.5Ba0.7Ca0.3TiO3陶瓷衬底以及沉积在该衬底上的La0.7Sr0.3MnO3薄膜。

公开(公告)号：CN101359716B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200810223238.5

申请日：2008-09-28

申请人： 清华大学

发明人： 章晓中 ,  谈国太 ,  张歆 ,  吴利华 ,  万蔡华

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01F10/32 ,  H01F41/14 ,  H01F41/20 ,  G01R33/09 ,  C23C14/28 ,  C23C14/06

摘要： 本发明公开了属于磁学量传感器材料的具有室温低场巨磁电阻效应的CoxC1-x/Co/Si多层结构颗粒膜材料。用激光脉冲沉积方法在晶格取向100的n-Si基片上先后沉积一层Co和一层CoxC1-x薄膜后所得。该材料在室温、外加磁场为0.01T条件下的正磁电阻效应可达+20.6％。具有价格低廉，性能优越等特点，是一种很好的磁传感器材料。

公开(公告)号：CN1249743C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN03133649.3

申请日：2003-08-07

申请人： 沈阳汇博思宾尼斯传感技术有限公司

发明人： 孙仁涛 ,  王晓雯 ,  吴东阁 ,  李绍恒 ,  李洪儒

IPC分类号： H01F41/20

摘要： 30纳米磁性薄膜的制造方法，利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶处理工艺，其特征是选取高纯度的Ni、Co，按重量比1∶2.3的比例混合备用，用真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀：当真空度达到1.0×10-6乇时，加热放有基片的承片台，20分钟达到450℃，恒温5分钟；待蒸发舟中的上述比例的Ni、Co蒸发料溶化后，在Si片的绝缘膜上开始蒸镀，蒸发速率控制在0.05纳米/秒，蒸发形成的磁性薄膜厚度控制在30纳米以下，然后通过无氧化结晶处理，使蒸发形成的磁性薄膜成为具有各向异性的磁性薄膜。经过半导体平面工艺加工后，制成微功耗磁传感器。

公开(公告)号：CN1218966A

公开(公告)日：1999-06-09

申请号：CN97106753.8

申请日：1997-12-02

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 沈鸿烈 ,  李铁 ,  沈勤我 ,  邹世昌

IPC分类号： H01F41/20 ,  H01F10/08 ,  H01F1/01

摘要： 本发明涉及一种多层膜结构的高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法和材料。本方法采用超高真空电子束蒸发系统,系统配有二支电子枪,控制蒸发纯度均为99.9%的三种金属靶,从而制备成由软磁过渡层控制的三明治型高灵敏度巨磁电阻材料。本方法生长工艺简单,重复性好,各层金属膜结构简单,易于控制。使用的靶材料价格低廉,制备的多层膜巨磁电阻材料磁灵敏度高,巨磁电阻效应大,是一种不同于传统方法制备巨磁电阻材料的新方法。

公开(公告)号：CN1061299A

公开(公告)日：1992-05-20

申请号：CN91106523.7

申请日：1991-08-20

申请人： 山东大学

发明人： 刘宜华 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  张连生

IPC分类号： H01F41/20 ,  H01F10/10

摘要： 一种钴铁镍铌硅硼非晶薄膜的制备处理方法，属于高导磁非晶薄膜制备领域。该薄膜除材料成分有别于其他非晶薄膜外，其制备态非晶薄膜又经综合退火热处理工艺，故该薄膜具有很高的饱和磁化强度(可达9000高斯)和高导磁率(10MHz达4300)，且高频特性好，耐腐蚀性好。