公开(公告)号：CN101331590A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680045385.7

申请日：2006-12-20

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： 弗吉尼亚·罗宾斯

IPC: H01L21/20 ,  B05D3/00

CPC classification number: C30B29/605 ,  B82Y30/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/06 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明涉及用于纳米线生长和获取的系统和方法。在一个实施方案中，提供用于纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合以及使用有图案基底以生长取向纳米线，从而进行外延取向纳米线生长的方法。在本发明的其它方面，提供通过使用牺牲生长层而提高纳米线质量的方法。在本发明的另外方面，提供将纳米线从一个基底转移到另一个基底上的方法。

公开(公告)号：CN1826694A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480015504.5

申请日：2004-04-01

Applicant: 斯塔特斯科特22286公司

Inventor： 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 ,  比约恩·约纳斯·奥尔松 ,  拉尔斯-奥克·勒拜博

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  C30B29/62

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/62 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02653 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/861 ,  H01L29/885 ,  Y10S977/932

Abstract: 本发明公开了一种纳米工程结构，其包括具有高迁移率导电性的纳米须，并且包括pn结。在一个实施例中，由第一半导体材料构成的纳米须具有第一带隙，并包括至少一种具有第二带隙的第二材料的外壳，该外壳沿着至少部分所述纳米元件长度密封该纳米元件，掺杂所述第二材料，从而在沿着该纳米须长度的第一和第二区域中分别提供相反导电性类型的载荷子，从而在所述纳米元件中通过将载荷子传送到所述纳米元件中而生成由相反导电性类型载荷子形成的相应第一和第二区域，在这两个区域之间具有自由载流子耗尽区。在另一实施例中，纳米须被包含掺杂剂材料的聚合物材料包围。在又一实施例中，纳米须在两种不同本征材料之间具有异质结，并且费米能级钉扎在未掺杂的界面处生成了pn结。

公开(公告)号：CN1711648A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200380102776.4

申请日：2003-10-23

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： E·P·A·M·巴克斯 ,  A·R·巴肯恩德 ,  L·F·菲纳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/208

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02653 ,  H01L33/18 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052

Abstract: InP或者其它II－VI或者III－V材料的化合物纳米管表现出非常大的蓝移。因此，通过引入这种纳米管提供在电磁频谱的可见光范围中具有光致发光和电致发光效应的器件。

公开(公告)号：CN1218363C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN01116283.X

申请日：2001-02-09

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 村松信一 ,  皆川康 ,  冈史人 ,  高桥进 ,  矢泽义昭

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C30B11/12 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 衬底(1)上形成凹凸部分，非晶硅层(4)形成在按点形分散设在凹凸部分的凹坑部分中的金属催化剂(3)上，从金属催化剂(3)生长有各个取向的晶相(5)，晶相(5)经连续热处理而相互聚集并形成多晶硅层(6)。结晶硅半导体器件及其制造方法有价格优势，能有效形成用于半导体器件的有预定厚度的多晶硅层。而且，衬底(1)上顺序形成按面(111)取向的多晶硅层(30)，Ni构成的金属催化剂(40)，多晶硅层(50)。其上形成预定厚度的非晶硅层(60)之后，进行热处理，Ni元素从金属催化剂层(40)扩散进非晶硅层(60)中，使非晶硅层(60)结晶成多晶硅层(60’)。

公开(公告)号：CN1124370C

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN97194954.9

申请日：1997-03-24

Applicant: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫

Inventor： 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫

IPC: C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B29/62

CPC classification number: H01J9/025 ,  C30B11/12 ,  C30B25/005 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  Y10T117/102

Abstract: 本发明涉及在单晶衬底上生长定向晶须列阵的方法，该方法将待结晶材料从与晶须相同组分的固态源体气相迁移到覆盖着作为晶须生长成核/催化中心的液相颗粒的衬底上。源体的平面表面面对并且平行于衬底，以产生矢量-均匀的温度场，其梯度垂直于衬底和源。采用特殊设计的高频加热装置，其被安排在相对与高频电感器的特殊的位置上，来实现矢量-均匀温度场。激光器和/或灯热源既可以单独也可以组合用作高频热源。装置中，材料源被加热，衬底由材料源加热。在另一种情况下，衬底被加热，材料源由衬底加热。