公开(公告)号：CN1074425C

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN95194671.4

申请日：1995-08-03

Applicant: 科莱恩金融(BVI)有限公司

Inventor： M·D·拉曼

IPC: C08G8/00

CPC classification number: G03F7/004 ,  C08G8/00 ,  C08G8/10 ,  C08G8/28 ,  G03F7/0236

Abstract: 本发明提供利用特殊处理过的阴离子交换树脂制造不溶于水，但可溶于碱水溶液的含极低量金属离子的线型酚醛树脂的方法。本发明也提供由这种线型酚醛树脂制造含极低量金属离子的光刻胶组合物的方法和利用这种光刻胶组合物制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1074141C

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN95197187.5

申请日：1995-12-21

Applicant: 科莱恩金融(BVI)有限公司

Inventor： M·D·拉曼 ,  D·N·坎纳 ,  D·P·奥宾 ,  D·迈肯泽

IPC: G03F7/023 ,  C08G8/10 ,  H01L21/70

CPC classification number: G03F7/023 ,  G03F7/0236

Abstract: 用于生产包括对—甲酚低聚物的重氮酯的光敏剂的方法，其中将对—甲酚低聚物中的60至100%摩尔的羟基用一个或多个重氮磺酰氯酯化，重氮酯部分包括60至100%摩尔2，1-二重氮萘醌-4磺酸酯和/或2，1-二重氮萘醌-5-磺酸酯；光刻胶包括光敏剂，水不溶性的，碱性水溶液可溶的酚醛树脂清漆树脂和适当的溶剂的混合物，在光刻胶组合物中存在的光敏剂的量足以均匀地光敏化光刻胶组合物；在光刻胶组合物中存在的酚醛清漆树脂的量足以形成基本上均匀的光刻胶组合物。

公开(公告)号：CN1294703A

公开(公告)日：2001-05-09

申请号：CN00800139.1

申请日：2000-01-24

Applicant: 克拉瑞特国际有限公司

Inventor： 高桥修一

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  C08L101/00 ,  C08L61/00 ,  C08K5/28

CPC classification number: C08L61/06 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  H01L21/312

Abstract: 一种敏射线树脂组合物,其中向光敏性树脂基组合物中加入特定量的荧光物质制得该组合物,它具有优良的敏感性,分辨度与膜层保护特性,并能形成令人满意的(光致防蚀)图形。当该光敏性树脂基组合物至少兼有一种树脂和一种光敏性物质时,例如一种含有碱溶性线型酚醛清漆树脂和醌二叠氮化物的组合物等,那么上述荧光物质的加入量,相对于100份重量的光敏性物质,是0.0001—1.0份重量。当该光敏性树脂基组合物至少兼有一种树脂和一种光致酸生成剂时,例如负性或正性,化学增强型的光致抗蚀剂,那么上述荧光物质的加入量是1.0—30.0份重量。上述荧光物质可以包括有机的荧光物质,如萘、蒽、菲、芘、苝、芴、咔唑、联苯、对三联苯、对四联苯、吲哚吖啶、并四苯、红荧烯、及它们的衍生物。

公开(公告)号：CN1292891A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN99803748.6

申请日：1999-01-20

Applicant: 克拉里安特国际有限公司

Inventor： J·E·奥伯兰德 ,  M·D·拉曼 ,  M·M·库克 ,  W·C·内尔森

IPC: G03F7/023

CPC classification number: G03F7/0236

Abstract: 提供了一种制造具有低倾向生成粒子的光刻胶组合物的方法，其中光刻胶组合物经额定值为约0.05—0.50微米的过滤器过滤，用酸性阴离子交换树脂和加热到温度约35℃—90℃进行处理，然后再次用额定值约0.05—0.50微米的过滤器过滤。

公开(公告)号：CN1278336A

公开(公告)日：2000-12-27

申请号：CN98810741.4

申请日：1998-09-16

Applicant: 克拉里安特国际有限公司

Inventor： M·D·拉曼 ,  S·F·瓦纳特 ,  M·M·库克 ,  D·S·麦克肯兹 ,  S·S·狄克斯特

IPC: G03F7/023 ,  C08G8/00

CPC classification number: C08G8/00 ,  G03F7/0236 ,  Y10S430/106

Abstract: 本发明提供了一种成膜分级酚醛清漆树脂共聚物的生产方法,其中所述的酚醛清漆树脂共聚物在光刻胶组合物中显示出快速的感光速度和优异的性能。另外,本发明还提供根据所述分级酚醛清漆树脂共聚物生产光刻胶组合物的方法,以及使用所述光刻胶组合物生产半导体装置的方法。

公开(公告)号：CN1171799A

公开(公告)日：1998-01-28

申请号：CN95197185.9

申请日：1995-12-21

Applicant: 赫希斯特人造丝公司

Inventor： M·D·拉曼

IPC: C08G8/00

CPC classification number: C08G8/00 ,  G03F7/0236 ,  Y10S438/948

Abstract: 本发明提供了生产具有非常低金属离子含量的水不溶,碱水溶液可溶的酚醛清漆树脂,使用经处理的螯合离子交换树脂制备中性铵盐或酸型的方法。还提供了一种从这种酚醛清漆树脂生产具有非常低金属离子含量的光刻胶组合物的方法和使用这种光刻胶组合物生产半导体元件的方法。

公开(公告)号：CN1147825A

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：CN95192942.9

申请日：1995-05-04

Applicant: 赫希斯特人造丝公司

Inventor： D·N·科哈那

IPC: C08J3/09 ,  C08L25/18

CPC classification number: C08J3/09 ,  C08F12/22 ,  C08J2325/18

Abstract: 聚羟基苯乙烯其中一部分羟基被叔丁氧羰基(“t-Boc”)官能化在湿固体干燥过程中和固体状态贮存时趋于分解。将湿固体溶于能与水形成共沸物的溶剂中，然后从溶液中蒸出水和溶剂的共沸物，一直到溶液含水小于约1％(重)为止，可从新合成的湿固体制得比固体物质有更好稳定性的溶液。

公开(公告)号：CN1321737C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN02808085.8

申请日：2002-03-19

Applicant: AZ电子材料日本株式会社

Inventor： M·D·拉曼 ,  D·麦肯齐 ,  T·工藤 ,  M·帕德马纳本

IPC: B01J20/28 ,  B01J47/00 ,  B01J47/12 ,  G03F7/039

CPC classification number: B01J20/28033 ,  B01J20/28004 ,  B01J20/28028 ,  B01J20/2803 ,  B01J20/28085 ,  B01J47/018 ,  B01J47/133 ,  C08F6/02 ,  C08F6/16 ,  G03F7/0395

Abstract: 本发明提供了生产适合用于光致抗蚀剂组合物的成膜树脂的方法，包括下列步骤：(a)提供成膜树脂在溶剂中的溶液，所述成膜树脂通过将含有环烯烃或酸不稳定丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯单体的至少一种单体聚合来制备；(b)提供以下两种滤片的至少一种：(i)包括其中固定有颗粒助滤剂(优选用酸洗涤过)和颗粒离子交换树脂的自承纤维基质的滤片，所述离子交换树脂具有大约2到大约10微米的平均粒度，其中所述颗粒助滤剂和离子交换树脂颗粒基本上均匀分布在所述基质的整个截面部分；和/或(ii)包括其中固定有颗粒助滤剂和粘结剂树脂的自承纤维(优选纤维素)基质的滤片，该滤片优选不含有任何离子交换树脂，和具有0.05到0.5μm的平均孔径；(c)用步骤a)的溶剂冲洗步骤b)的滤片；和(d)让该成膜树脂的溶液通过步骤(c)的冲洗过的滤片。本发明还提供了生产光致抗蚀剂组合物的方法，包括提供：1)用上述方法制备的成膜树脂；2)其量足以使光致抗蚀剂组合物光敏化的光敏组分；和任选3)其它适合的光致抗蚀剂溶剂的混合物。本发明还提供了通过在基材上形成影像来生产微电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供通过前述方法制备的光致抗蚀剂组合物；b)此后，用步骤a)的光致抗蚀剂组合物涂布适合的基材；c)此后，热处理涂布的基材，直到基本上全部的光致抗蚀剂溶剂被去除为止；和d)将该光致抗蚀剂组合物成像曝光和用适合的显影剂除去光致抗蚀剂组合物的成像曝光区域。

公开(公告)号：CN1965402A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580017325.X

申请日：2005-05-30

Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社

Inventor： 名仓映乃 ,  清水泰雄 ,  一山昌章

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种具有硅质膜的基础材料，它在沟槽隔离结构的沟内部没有空隙和破裂，并且在基片和硅质膜之间具有优良的粘着性，还提供了一种制备具有硅质膜的基础材料的方法。沟槽隔离结构是通过这样一种方法形成的，该方法包括涂敷含硅聚合物溶液到有沟槽隔离槽的基片上(其表面已经被氮化硅内衬膜连续覆盖)，和在900℃～1200℃的温度下加热处理涂敷后的基片。具有硅质膜的基础材料是通过采用这种方法提供的。

公开(公告)号：CN1717626A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200380104283.4

申请日：2003-11-14

Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社

Inventor： 井川昭彦 ,  山本敦子

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/022 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  G03F1/08

CPC classification number: G03F7/2024 ,  G03F7/0226

Abstract: 在对于光致抗蚀图案需要高耐热性的工艺中，如制备TFT活性基质基板工艺中，通过使用正型感光组合物可形成一种超高耐热性的正型图案。本发明的图案形成方法包括以下步骤：涂敷一种感光组合物到基板材料之上以形成感光层的步骤，该感光组合物含有(a)碱溶性树脂、(b)具有醌二叠氮基的感光剂、(c)光酸产生剂、(d)交联剂和(e)溶剂；接着透过掩模使基板曝光的步骤；通过显影除去曝光区域以形成正型图像的步骤；使该正型图像的整个区域曝光的步骤；和(如果需要)后烘焙处理。对于使用1，2－萘醌－4－磺酰化合物作为具有醌二叠氮基的感光剂的情形，以上成分(c)可以省略，这是由于该化合物还充当着成分(c)光酸产生剂的作用。