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公开(公告)号：CN111834420A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535434.7
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光；在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出红光，从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光，实现半导体混合型全彩化显示。
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公开(公告)号：CN111724699A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010536411.8
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种NLED像素设置及修复方法。每个发光像素单元包括n个NLED芯片，每个像素单元包括至少m个NLED发光体；所述NLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和备用区域，通过Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连的复合方式将所述NLED芯片电极的互连区域与驱动背板像素电极的互连区域相连后，采用实时监测电极区域进行检测，在相应不良区域通过原位非Au-In连接方式将NLED芯片电极备用区域连接到驱动背板电极的对应备用区域上以进行修复，不必去除键合和连接不可靠的NLED芯片。本发明有效地降低了LED器件的制作周期和制作成本，并且大大提高了LED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN119855374A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510002912.0
申请日：2025-01-02
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K50/805 , H10K50/30 , H10K50/15
Abstract: 本发明公开一种单向截流电流栅调控发光器件，涉及光电显示领域，包括：阳极、第一空穴传输层、发光复合层、第一电子传输层、阴极；所述阳极与所述阴极之间构成第一回路并施加驱动信号，并向所述发光复合层注入电子、空穴而复合发光；所述器件还包括单向节流电流栅结构；所述单向节流电流栅结构设置于所述阴极与所述第一电子传输层之间或设置于所述第一空穴传输层与所述阳极之间；所述单向节流电流栅结构发光复合层而参与复合的电子复合量或空穴复合量，以调控所述器件的发光效率，能够有效提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN119724081A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510058957.X
申请日：2025-01-15
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: G09G3/32 , G09G3/3208 , G09G3/3233
Abstract: 本发明公开了一种基于单向截流电流栅调控发光器件驱动方法，包括：获取发光器件即将显示的第一预设帧数内的各个显示灰阶值；根据显示灰阶值，获得第一灰阶波动系数；判断第一灰阶波动系数是否小于标准灰阶波动系数，若是，则获得第一标准栅极调控电流，并向发光器件施加第一标准栅极调控电流；若否，则将第一预设帧数划分为多个连续子帧数，以使各个连续子帧数对应的第二灰阶波动系数小于标准灰阶波动系数且连续子帧数的数量达到最少；获得各个连续子帧数的第二标准栅极调控电流，并向发光器件施加对应的第二标准栅极调控电流。本发明可以减少高频环境下栅流调控次数避免单向截流电流栅结构异常，同时保证发光效率的调控效果。
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公开(公告)号：CN119630254A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411513943.4
申请日：2024-10-29
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K71/60 , H10K71/00 , H10K50/805 , H10K50/115
Abstract: 本发明公开了一种电流型栅极调控发光器件制备工艺，包括：在衬底上镀膜第一导电层，对第一导电层进行光刻，分别形成第一电极和栅极调控电极；通过薄膜沉积在第一电极上覆盖第一载流子材料，形成第一载流子传输层；在第一载流子传输层上均匀涂覆量子点半导体纳米晶体，形成量子点发光层；通过薄膜沉积在量子点发光层和栅极调控电极覆盖第二载流子材料，分别在量子点发光层上形成第二载流子传输层和在栅极调控电极上形成第二载流子调控层；在第二载流子传输层和第二载流子调控层上镀膜第二导电层，对第二导电层进行光刻，形成第二电极，进而获得电流型栅极调控发光器件。本发明简化了栅极调控电极发光器件制备工艺，提高制备效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119630181A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411513976.9
申请日：2024-10-29
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K50/805 , H10K50/16 , H10K50/15 , H10K50/115 , H10K59/12
Abstract: 本发明公开一种电流调控的平行栅发光器件结构，涉及光电显示领域，包括：设置于衬底上的发光功能层、设置于发光功能层两侧的第一电子传输层与第一空穴传输层、设置于第一电子传输层上的第一阴极、设置于第一空穴传输层上的第二阳极以及电流调控栅结构；电流调控栅包括载流子传输层以及栅电极，电流调控栅结构设置于第一阴极或第二阳极上。在本发明中，栅电极与第一阴极或第二阳极之间施加偏置信号，能够控制参与复合发光的电子型载流子或空穴型载流子的迁移量，提高发光功能层的发光亮度和/或发光效率。
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公开(公告)号：CN119630179A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411513898.2
申请日：2024-10-29
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K50/805 , H10K50/16 , H10K50/15 , H10K50/115
Abstract: 本发明公开一种基于电流栅发光调控的发光器件结构，涉及光电显示领域，包括：电流栅结构和发光功能结构；发光功能结构依次包括：第一导电电极层、第一载流子传输层、发光功能层、第二载流子传输层、第二导电电极层；电流栅结构依次堆叠包括：电流栅电极层、电流栅限流注入层、电流栅传输层；电流栅传输层与第一导电电极层接壤；在器件结构发光工作时，导电电极层之间施加第一驱动信号驱动发光功能层空穴‑电子复合而发光，电流栅电极层与导电电极层之间施加偏置驱动信号以控制参与复合发光的第一载流子的迁移量，能够通过电流栅结构对发光功能层内的电子载流子、空穴载流子的注入进行调控，以便优化发光亮度或发光效率。
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公开(公告)号：CN118867086B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
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公开(公告)号：CN118778261A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410868269.5
申请日：2024-07-01
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于多焦点消色差超透镜的近眼显示系统，涉及近眼显示领域，包括：像源、偏振调制单元、多焦点消色差超透镜；像源为透明微纳显示屏阵列，并通过准直结构形成平行光束供多焦点消色差超透镜聚焦；偏振调制单元，对像源发出的原始光线进行偏振态调制，得到具有左旋圆偏振态的偏振光线；当多焦点消色差超透镜接收到m个基色的单色左旋圆偏振光时，不同基色的单色光各自所包含的一个焦距能在同一个成像平面上聚焦，以实现消色差功能。本发明使用多焦点消色差超透镜替代体积大且重量重的光学透镜，使得近眼显示系统具有体积小、重量轻以及规格紧凑的优势，可提高佩戴舒适度。
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公开(公告)号：CN115386958B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202211016598.4
申请日：2022-08-24
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓纳米泡沫及其制备方法。氮化镓纳米泡沫是一种具有立体、无规则、超大比表面积的纳米蜂巢结构的氮化镓薄膜，其制备过程是将氮化镓薄膜浸泡在过氢氧化钾和过硫酸钾混合溶液中，在多个紫外光在多方向照射下通过无电极光辅助化学刻蚀制备获得。本发明公开的氮化镓纳米泡沫制备方法具有设备要求低、操作流程简单、生产周期时间短、环境干净等优点，可以超大规模集成微米级和亚微米量级泡沫而不用担心泡沫规格不统一等问题，易于大规模生产。
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