一种W波段高功率集成化合成倍频源

    公开(公告)号:CN105207623B

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:CN201510633214.7

    申请日:2015-09-29

    Abstract: 一种W波段高功率集成化合成倍频源,输入信号为Ku波段,经过有源二倍频,产生Ka波段信号,然后经过一个Ka波段巴伦实现等幅反相功率分配,分配后的两路信号分别经过Ka波段功率放大,驱动各自支路的W波段无源三倍频器,所产生的W波段信号分别放大后进行功率合成输出。本发明采用功率合成倍频的方式提高输出功率,并通过在W波段功率合成部分增加机械调节机构实现功率合成的幅相平衡性调节,减小两合成支路间不平衡性对输出功率的影响,提高合成效率。同时在Ka巴伦部分采用电磁EBG结构实现腔体谐振抑制,增加腔体间隔离。最终实现覆盖75~110GHz全W波段的稳定集成化高功率输出倍频源。

    一种网状反射面天线金属丝网三维实体结构实现方法

    公开(公告)号:CN106204741A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610466230.6

    申请日:2016-06-23

    CPC classification number: G06T17/30

    Abstract: 本发明公开了一种网状反射面天线金属丝网三维实体结构实现方法,具体步骤包括:(1)给定网状反射面天线的金属丝网结构或者图像;量、搭接关系;(3)获得胞元测量点的二维坐标值;(4)根据测量点获得胞元的三维曲线;(5)获得交汇处无干涉而又紧密接触的胞元结构;(6)对胞元接头进行处理获得能够拼接的胞元结构;(7)采用阵列技术装配获得网状反射面天线金属丝网三维实体结构。本发明采用图形测量技术与截面扫描技术,结合阵列技术实现了网状反射面天线金属丝网的三维实体结构,克服了现有技术在结构实现过程中误差较大且计算量大的不足,具有精度高、结构准确的优点。(2)确定金属丝网结构的胞元及胞元内金属丝数

    一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法

    公开(公告)号:CN106156440A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201610585498.1

    申请日:2016-07-22

    CPC classification number: G06F17/5009 H01P1/207

    Abstract: 一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法,首先将腔体滤波器接触部位进行等分,在两个载波频率处进行两次频域电磁场仿真,分别获得接触部位的表面电流。然后结合接触电阻确定接触部位每部分的电压降,根据接触部位非线性电流电压特性确定每部分的非线性电流。最后以该非线性电流为激励,在无源互调频率处进行电磁场仿真,最终确定出腔体滤波器端口无源互调功率电平,从而实现腔体滤波器无源互调电平的快速确定。本发明方法解决了腔体滤波器无源互调仿真的问题,可在滤波器设计阶段,有效仿真优化其无源互调性能。

    基于雪崩二极管的毫米波及太赫兹十六次谐波混频器

    公开(公告)号:CN105162421A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201410260675.X

    申请日:2014-06-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于雪崩二极管的毫米波及太赫兹十六次谐波混频器,该谐波混频器以微带传输线和一只并联接地的雪崩二极管为基础,加上共面波导单面鳍线传输线、两段双折叠微带紧凑谐振单元(DCMRC)和一段三平行耦合线隔直器所组成,其两个分别工作在不同频率的双折叠微带紧凑谐振单元(DCMRC)组合,既能够有效提高本振与中频、本振与射频、中频与射频端口之间的隔离度,又能灵活调整对空闲谐波频率的终端电抗性负载。本发明使本振的工作频率大大降低,性能大大提高,成本有效降低。

    一种确定网状反射面天线无源互调量的方法

    公开(公告)号:CN104852154A

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201510205187.3

    申请日:2015-04-27

    Abstract: 本发明涉及一种确定网状反射面天线无源互调量的方法,属于星载微波部件空间特殊效应技术领域。本发明通过建立实际网状反射面天线的等效网孔模型简化计算,将电大尺寸网状反射面天线的时域计算变为可能,同时保证了计算准确度,结合非线性电路模型的无源互调分析方法,通过一次仿真得到不同频率输入时产生每一阶的无源互调输出量,通过理想电路模型消除由于输入大信号对无源互调量小信号的湮没效应,消除时域分析中积累误差对无源互调量小信号的湮没效应,成功解决了电大尺寸网状反射面天线准确的电磁场分布计算与无源互调分析难题,填补了网状反射面天线无源互调分析技术空白,具有广阔的技术市场与应用前景。

    测试全入射角下材料二次电子发射系数的方法和装置

    公开(公告)号:CN104569014A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410583366.6

    申请日:2014-10-27

    Abstract: 本发明提供一种测试全入射角下材料二次电子发射系数的方法和装置。方法包括:步骤1,将待测样品放入真空腔体内的样品台,并将腔体抽真空,收集部分为四分之一球壳的电子收集装置位于上半空间;步骤2,旋转样品台,使待测样品倾斜所需测试角度θ,测试电子收集装置上流过的电流,记为I1;步骤3,旋转样品台,使待测样品沿相反的方向倾斜角度θ,测试电流,记为I2;步骤4,保持待测样品不动,将电子收集装置旋转至下半空间,测试电流,记为I3;步骤5,测试入射电子电流,记为Ip;得出入射角度θ下的二次电子发射系数δ为:本发明通过改变样品角度和收集装置的角度,能够收集所有出射的电子,具有测试结果精确,操作简单的优势。

    微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法

    公开(公告)号:CN102515085B

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201110359776.9

    申请日:2011-11-14

    Abstract: 微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法,包括以下步骤:在微波部件基体的良导体层上形成金属纳米结构;选定不同的测试条件,该测试条件包括纳米结构的孔隙率、深宽比以及纳米结构的形状;利用蒙特-卡洛方法模拟在不同测试条件下,电子入射在纳米结构中的碰撞、吸收及其所产生二次电子的碰撞、吸收和逃逸过程,得到理论上单个纳米结构中的二次电子发射产额;根据上述二次电子发射产额规律,利用多种表面处理工艺调节微波部件表面纳米结构的形状,深宽比及孔隙率,使其二次电子发射产额最小。该方法能够将的电化学银镀层表面处理微波部件的微放电阈值大幅度提高;更易于实现高深宽比二次电子陷阱结构,对表面粗糙度的影响一定程度上可以忽略,解决目前大粗糙度结构表面抑制SEY带来的负面效应。

    一种抑制微波部件微放电效应的微刻蚀工艺方法

    公开(公告)号:CN102925893B

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201210431364.6

    申请日:2012-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种抑制微波部件微放电效应的微刻蚀工艺方法,这一方法的核心是在保证微波部件良好导电性的基础上,利用化学方法微刻蚀铝合金镀银表面,使微波部件光滑的镀银表面形成纳米微陷阱结构,从而抑制微波部件表面的二次电子发射,以达到提高微放电阈值,抑制微放电的目的。该方法主要包括以下处理步骤:微波部件经必要清洗后,利用Fe(NO3)3溶液进行刻蚀,在部件镀银表面形成纳米微结构;然后在50%的盐酸中浸泡去除Fe3+。该方法与现有的微波部件处理工艺衔接良好,微波部件表面的二次电子发射系数受到明显抑制,部件的微放电阈值也有显著提高。

    一种利用互调分量检测微波部件微放电的方法

    公开(公告)号:CN104062565A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201410288806.5

    申请日:2014-06-24

    Abstract: 一种利用互调分量检测微波部件微放电的方法,这一方法的核心是利用多个信号输入被测系统或部件,由于微放电的非线性特性,使得输出产生输入的多个信号之间的互调信号,利用微放电发生前后互调信号幅度的变化来检测微放电现象。该方法主要包括以下几个步骤:对于单载波和脉冲工作条件下选择符合规则的连续波作为测试的辅助载波,对于多载波情况下不需要增加辅助载波;按照测试原理框图连接微放电检测系统;通过观测多个信号之间互调分量幅度变化来检测微放电现象。该方法与现有的微放电检测方法相比,都能灵敏可靠地检测微放电现象,但该方法检测设备更加简单,同时检测微放电的思想新颖。

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