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公开(公告)号：CN113676055A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110780626.9
申请日：2021-07-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种两路输出反激式开关电路，包括：直流变压模块，用于在第一开关信号的控制下，通过多绕组变压器将输入电压转换为主路输出电压和辅路中间电压；还用于在第二开关信号和第三开关信号的控制下，通过buck电路将辅路中间电压转换为辅路输出电压；主路反馈与控制模块，用于对主路输出电压进行采样，得到第一采样信号；还用于基于第一采样信号，通过自身包含的第一驱动电路输出第一开关信号；辅路反馈与控制模块，用于对辅路输出电压进行采样，得到第二采样信号；还用于基于第二采样信号，通过自身包含的第二驱动电路输出第二开关信号和第三开关信号。本发明可减轻多输出隔离式变换器的交叉调整率的问题。
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公开(公告)号：CN113644138A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110686636.6
申请日：2021-06-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/88 , H01L21/329 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供第一衬底，并在第一衬底的一侧表面制备SiO2隔离区，得到第一衬底结构；获取第二衬底，第二衬底包括预先生长得到的单层MoS2；利用外延层转印技术，将单层MoS2转移至第一表面；图形化所述单层MoS2，形成单层MoS2沟道层；在第一表面淀积形成第一电极和第二电极，使第二电极与SiO2隔离区及单层MoS2沟道层直接接触，获得制作完成的单层MoS2‑Si基隧穿二极管。本发明提供的单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法能够降低界面缺陷密度，进而抑制陷阱辅助隧穿，并从工艺角度改善器件的亚阈值摆幅。
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公开(公告)号：CN113451222A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110765371.9
申请日：2021-07-06
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种针脚可调节碳化硅功率器件封装外壳，包括：封装壳体、至少一个绝缘隔板、至少两个滑轨结构、至少两个滑块和至少两个器件针脚；封装壳体，底部开设有容纳槽，内部设置有碳化硅芯片；绝缘隔板，水平固设在容纳槽内，两端与容纳槽的两端固定连接；滑轨结构，位于绝缘隔板上以及容纳槽的侧壁上，或位于绝缘隔板的一侧；滑块，与滑轨结构滑动连接；绝缘隔板将两个滑块分隔；滑块，与器件针脚固定连接。本发明通过器件针脚与滑块连接，滑块可以在滑轨结构上滑动，因此，与滑块连接的器件针脚可以在封装壳体的底部移动，从而可以调节器件针脚的位置，扩展了使用场景，以适应各种应用环境以及测试条件，而且不会影响器件的正常使用。
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公开(公告)号：CN111799338B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010734362.9
申请日：2020-07-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型SiC JBS二极管器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、N‑外延层、P+注入区和阳极，两个所述P+注入区之间设置有沟槽结构，在沟槽结构两侧与P+注入区之间分别设有N+掺杂区；本发明在两个P+注入区之间的肖特基接触面下方设置有沟槽结构，沟槽的引入可以增大肖特基接触面积，同时减小寄生电阻，降低了导通电阻，使器件更容易开启，在沟槽结构的基础上，进行N+掺杂，进一步减小导通电阻，提升器件特性。
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公开(公告)号：CN111799336B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010734370.3
申请日：2020-07-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种SiC MPS二极管器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、N‑外延层、P+注入区和阳极，其特征在于，两个所述P+注入区之间设置有沟槽结构，在沟槽结构两侧与P+注入区之间分别设有N+注入区，且所述N+注入区将P+注入区包围在内，形成阱结构；本发明SiC MPS二极管器件设有沟槽结构，集成了沟槽结构的SiC MPS二极管器件可以促使PiN结构与肖特基结构体内电势在器件正向导通时更加均匀，接近PiN体内电势分布情况，有效抑制器件出现压降急速返回的现象，在沟槽型SiC MPS二极管的基础上，在原有的PiN二极管上多进行一次N+注入，目的是提高PiN晶体管注入效率，提高器件的浪涌能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113422515A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110512897.6
申请日：2021-05-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非隔离型双向软开关DC‑DC变换器，该变换器包括：主电路，用于实现功率的双向流动；辅助电路，连接所述主电路，用于使所述主电路的开关管和所述辅助电路的开关管实现软开关。本发明通过引入辅助ZVT单元(即辅助电路)，实现主开关和辅助开关的软开关，降低器件的开关损耗，提高变换器的效率，而且辅助开关上的电压电流应力较低。
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公开(公告)号：CN111146273B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201911381321.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有调控中间层覆盖的结终端扩展终端结构及制备方法，终端结构包括：碳化硅衬底层(101)；半导体层(102)，位于碳化硅衬底层(101)上；结终端扩展区(103)，位于半导体层(102)中；有源区(104)，位于半导体层(102)中且与结终端扩展区(103)相邻；调控中间层(105)，位于半导体层(102)上，完全覆盖结终端扩展区(103)且部分覆盖有源区(104)，调控中间层(105)与结终端扩展区(103)的掺杂类型不同；绝缘钝化层(106)，覆盖调控中间层(105)的表面和半导体层(102)的表面，且与有源区(104)部分接触。该终端结构可以抑制界面电荷造成的器件击穿电压嬗变；可以有效拓宽“击穿电压‑JTE掺杂浓度”优值窗口；降低了表面峰值电场，提高了器件反向耐压可靠性。
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公开(公告)号：CN110717240B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910796831.7
申请日：2019-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/30 , G06F30/32 , G06F17/16 , G06F119/10
Abstract: 本发明涉及一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法，包括：建立具有表征沟道分布效应和衬底损耗效应的InP HEMT小信号等效电路模型，并进行参数提取；对InP HEMT小信号等效电路模型添加噪声电流源，得到InP HEMT噪声等效电路；对InP HEMT噪声等效电路的噪声参数进行表征；获取InP HEMT器件的级联噪声相关矩阵，并对其进行寄生参数去嵌，得到本征导纳噪声矩阵；根据小信号等效电路模型参数和本征导纳噪声矩阵，得到噪声参数；将噪声参数嵌入至InP HEMT噪声等效电路，得到InP HEMT器件噪声等效电路模型。本发明方法在噪声相关系数中引入虚数分量，表征沟道分布效应的噪声，同时引入衬底损耗效应噪声因子，表征衬底损耗效应的噪声,提高了模型在高频下的拟合精度。
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公开(公告)号：CN113191036A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110298384.X
申请日：2021-03-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/33 , G06F111/04 , G06F111/06
Abstract: 本发明公开了一种共面波导等效电路结构及其参数提取方法，共面波导等效电路结构包括：第一等效电容(Cf1)、第二等效电容(Cf2)、第一等效电阻(Rsi1)、第二等效电阻(Rsi2)、第一等效电感(Lsi1)、第二等效电感(Lsi2)、第三等效电容(Cox1)、第四等效电容(Cox2)、第三等效电阻(Rs)、第三等效电感(Ls)、第四等效电阻(Rsk)以及第四等效电感(Lsk)。本发明建立用于毫米波波段带地屏蔽层共面波导等效电路结构，不仅保证了结果的准确性，同时包含的电路元件较少，有助于对用于毫米波波段带地屏蔽层共面波导进行深入分析。
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公开(公告)号：CN113037085A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110169038.1
申请日：2021-02-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明提供的一种多端口网格形模块化多电平直流变换器，采用完全相同非隔离的DC‑DC变换器模块进行同级并联，不同级的DC‑DC变换器输出端依次串联的连接方式，选用Buck‑Boost模块作为单个DC‑DC变换器模块，多端口变换器普遍存在端口间较强的耦合作用，因此每一个DC‑DC变换器进一步包括有各自的控制回路，可以实现多端口的解耦控制。变换器中的模块具有完全相同的电路结构和电气参数，可实现标准化生产和组装，并且可以实现模块间的均流和均压。多端口网格形模块化的多电平直流变换器拓扑结构在满足端口特性要求及器件电压、电流应力均衡分布的基础上，实现网格结构中模块数量的最小化填充的最优化设计，可以实现端口数量、电压等级、功率容量的灵活扩充。
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