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公开(公告)号：CN108994251A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201811001805.2
申请日：2018-08-30
Applicant: 西北工业大学 , 西安金航新材料技术开发有限公司 , 河南平原光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种复杂型腔电机壳体的铸造工艺，用于解决现有电机壳体铸造工艺实用性差的技术问题。技术方案是为电机壳体铸件型腔的砂芯设计一种自熔融的芯座，并在芯座和型腔成形砂芯中间采用自熔融芯撑为成型砂芯进行定位，电机壳体型腔砂芯部分通过SLS选择性激光烧结覆膜砂技术打印成型，其余部分用传统的砂型铸造，在下砂型中安装芯座及芯撑，其中芯撑和芯座采用与电机壳体相同的材料一体加工制作而成，芯座上设有芯撑的定位槽；中砂型的外围用采用木模+树脂砂型造型成形，按中模、水套芯、主型芯、小型芯的顺序装配。浇铸完成后，通过电机壳体的进出油路或水路口清理出砂芯，即可获得所需的电机壳体铸件，还可以避免环境污染，实用性好。
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公开(公告)号：CN107994099A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711177574.6
申请日：2017-11-23
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/112 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种基于二维硒化镓材料场效应晶体管制备方法，用于解决现有场效应晶体管制备方法制备效率低的技术问题。技术方案是在显微镜与三维对准-转移平台下，借助于PDMS将材料转移到硅衬底上，能够有效避免残胶对器件的影响，使用碳纤维和PDMS自制掩膜板，然后蒸镀上金属电极，能够制备出4-7μm左右的平直沟道，便于将尺寸较小的材料(≥10μm)制备成场效应晶体管。该二维GaSe场效应晶体管制备方法操作简单、成本低、方便快捷，对材料无损伤，提高了场效应晶体管制备效率。
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公开(公告)号：CN107855923A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711083278.X
申请日：2017-11-07
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化卤化物钙钛矿半导体晶体的抛光方法，用于解决现有半导体晶体抛光方法实用性差的技术问题。技术方案是将橡胶垫平铺于两个抛光盘上；将从溶液法长出的MAPbBr3晶体放在第一个抛光盘上，在橡胶垫上喷WD-40抛光液1～3毫升，用手指画“8”字进行磨抛，对晶片两面分别抛光300～1000秒，之后立即用异丙醇冲洗；再将经过WD-40抛光后的晶体放在第二个抛光盘上，滴加抛光液异丙醇3～5ml，以同样的方法进行化学抛光，待晶体表面光滑、平整、无划痕时，磨抛完毕。之后立即用异丙醇冲洗，高纯氮气吹干。由于采用两种抛光液先后抛光，不会产生新的残留，实用性好。
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公开(公告)号：CN107201548A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710321706.1
申请日：2017-05-09
Applicant: 西北工业大学
CPC classification number: C30B29/48 , C30B11/00 , C30B11/006
Abstract: 本发明公开了一种碲化锌单晶的制备方法，用于解决现有方法制备的碲化锌单晶质量差的技术问题。技术方案是将高纯的碲单质和合成的碲化锌多晶料放入石英坩埚中，在高真空下熔封。然后，将石英坩埚放入ACRT型五温区晶体生长炉中。首先以一定的升温速率加热，得到预先设定的温场，保温一段时间，坩埚以0.1‑0.2mm/h的速率下降，晶体生长的温度梯度为10±1℃/cm和结晶温度为1060±1℃；生长过程中温场一直不变，晶体生长后以3℃/h降温，降温时间为50h，然后以5℃/h的速率降温，降温时间为100h，最后关闭电源，炉冷。获得了具有足够长度、结晶质量好的ZnTe晶体。
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公开(公告)号：CN107123599A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710235701.7
申请日：2017-04-12
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/447 , H01L29/778 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于二维碲化镓材料场效应管的真空退火方法，用于解决现有方法制备的基于二维GaTe材料场效应管的迁移率低的技术问题。技术方案是在现有二维GaTe场效应管构筑工艺的基础上，引入高真空退火过程(10‑5Pa)。由于在高真空环境下气体分子浓度极低，促使吸附在沟道材料表面以及沟道材料与金属电极界面处的氧气分子、水分子向环境中扩散，有效阻止了化学吸附导致的沟道材料本征物性的退化以及表面吸附分子对载流子的散射，有效地提高了二维GaTe场效应管的迁移率。经测试，本发明制备的基于二维GaTe材料场效应管的迁移率由背景技术的0.2cm2V‑1s‑1提高至3.4‑4.5cm2V‑1s‑1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105436409B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510981181.5
申请日：2015-12-24
Applicant: 西北工业大学 , 西安金航新材料技术开发有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镁合金熔模精密铸造方法，用于解决现有熔模铸造方法防氧化措施差的技术问题。技术方案是首先采用3D激光打印制备蜡模，再用ZrO2作为面层和二层砂材料，然后采用焙烧法脱树脂使其充分燃烧，焙烧后用90～100℃的热饱和硼酸水溶液浸泡模壳型腔，浇注前通入体积分数比为HFC134a:Ar＝30:70的混合保护气体，浇注时不间断的向镁合金浇包液面和冒口扑撒适量硫磺，有效地防止了镁合金氧化、燃烧。由于采用3D激光打印制备蜡模，保证了镁合金铸件的尺寸精度及表面光洁度；使用ZrO2防止镁合金熔液与铸型发生反应；采用焙烧法脱树脂使其充分燃烧，不留灰分和残烬，保证了镁合金铸件的表面光洁度和内部质量。
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公开(公告)号：CN105696081A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610168862.4
申请日：2016-03-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种锑化铝材料的制备方法，用于解决现有制备的锑化铝材料电阻率低的技术问题。技术方案是以高纯铝与高纯锑为原材料，采用化学腐蚀方法除去铝表面氧化层，然后将按一定摩耳比配置的原材料放置于氮化硼坩埚中，再将氮化硼坩埚放置于石英坩埚中，抽真空，封接，采用在合料炉中使用温度振荡的方法进行合成，最后采用布里奇曼法在晶体生长炉中进行生长。由于氮化硼化学稳定性高，与铝反应速率极慢，且与AlSb同属III-V族化合物，氮元素与硼元素在AlSb晶体中没有活性施主与受主能级，无恶化电阻率的杂质，锑化铝材料电阻率由背景技术的105Ω·cm提高到109Ω·cm，空穴的霍尔迁移率达到382cm2V-1S-1。
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公开(公告)号：CN105290377A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510872921.1
申请日：2015-12-03
Applicant: 西北工业大学
IPC: B22D18/06
Abstract: 本发明公开了一种大型真空增压铸造设备气控装置及控制方法，用于解决现有真空浇注装置控制精度差的技术问题。技术方案是气控装置包括真空缓冲罐、真空泵、储气罐、空压站、PLC控制模块、压差变送器、第一至第五气控截止阀。所述第五气控截止阀的一端与设备主体连接，第五气控截止阀的另一端与真空缓冲罐连接。所述第一气控截止阀、第二气控截止阀、第三气控截止阀和第四气控截止阀并联后一端与设备主体连接，另一端与储气罐连接。所述压差变送器的一端通过压差信号采集管路与设备主体连接，压差变送器的另一端与PLC控制模块电连接，由PLC控制模块根据设定的工艺参数完成对不同气控截止阀控制，实现对真空增压铸造设备内压差的精确控制。
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公开(公告)号：CN105002561A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510468759.7
申请日：2015-08-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法，用于解决现有方法制备ZnTe外延厚膜生长速率慢的技术问题。技术方案是将经过处理的ZnTe生长源及(100)GaAs衬底放入生长炉腔室内，生长前采用高纯Ar反复清洗生长炉腔室以去除残余空气并充入Ar至目标压强，加热ZnTe生长源和(100)GaAs衬底，加热到一定温度后，生长源继续升温至目标温度，衬底停止加热，依靠生长源处热辐射维持厚膜生长所需温度。本发明通过控制ZnTe生长源温度、生长炉腔室压力以及生长源与衬底之间的距离，来控制生长ZnTe外延厚膜的速率，其生长速率由背景技术的10μm/h提高到20μm/h～100μm/h。
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公开(公告)号：CN103560167A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310489066.7
申请日：2013-10-17
Applicant: 西北工业大学 , 陕西迪泰克新材料有限公司
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/035281 , H01L31/022408 , H01L31/1832
Abstract: 本发明公开了一种条形阵列碲锌镉探测器的制备方法，用于解决现有方法制备条形阵列碲锌镉探测器时光刻图像边缘缺损的技术问题。技术方案是在长宽比较小的大尺寸碲锌镉单晶片上一次光刻出多个条形阵列图案，然后通过光刻胶保护条形阵列电极并采用划片机沿着光刻图案的外围轮廓划开，形成独立的条形阵列碲锌镉探测器。克服了晶片抛光时由于长宽比较大导致的塌边和光刻电极图案不完整等现象，同时解决了像素电极的倒装连接时由于晶片厚度不均匀导致的短路问题。由于采用光刻胶保护条形阵列电极进行划片切割，实现了对光刻电极的保护，避免了切割导致的晶片边缘崩裂。且一次能制备4～8个1×8～1×32的像素阵列条形探测器，降低了制备成本。
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