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公开(公告)号：CN114108068A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111187085.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种用于提纯溶液法生长钙钛矿晶体所用原料的方法，解决当前采用溶液法生长钙钛矿单晶时，由于采用普通商业级PbBr2原料的纯度较低(99％)，导致生长得到的钙钛矿单晶杂质浓度较高的不足之处。该方法将普通商业低纯度(99％)的PbBr2原料溶解在有机溶剂(DMSO或者DMF)中，利用反溶剂挥发法从溶液中生长出含有PbBr2的络合物晶体(PbBr2·2DMSO或者PbBr2·DMF)，由于前述络合物的存在，可避免在以DMSO或者DMF为前驱体溶液的晶体生长过程中引入其他成分，因此使用提纯后得到的PbBr2·2DMSO或者PbBr2·DMF络合物晶体代替普通商业级PbBr2原料进行钙钛矿单晶生长，可有效降低单晶中的杂质浓度，提高晶体性能。
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公开(公告)号：CN112525940A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011304219.2
申请日：2020-11-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01N23/2206 , G01N23/20008 , G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种全无机卤化物钙钛矿CsPbBr3晶片表面二次相颗粒显现方法，选用MgO和无水乙醇作为抛光液，多次抛光后获得光滑、平整、无划痕的表面。将抛光后的晶片在体积分数为5‑20％的氢溴酸乙醇溶液中腐蚀后用无水乙醇除去表面残留腐蚀液，最后用高纯氮气吹干。最后，使用SEM和EDS实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分特征等参数的精确表征。本发明用氢溴酸乙醇溶液对晶片表面进行腐蚀，晶体中镶嵌分布的二次相颗粒轮廓完整显现，实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分参数的直接观察和精确表征，以及研究二次相颗粒对晶体性能的影响。该方法可以应用于CsPbBr3晶片抛光和二次相颗粒研究领域。
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公开(公告)号：CN112525940B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202011304219.2
申请日：2020-11-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01N23/2206 , G01N23/20008 , G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种全无机卤化物钙钛矿CsPbBr3晶片表面二次相颗粒显现方法，选用MgO和无水乙醇作为抛光液，多次抛光后获得光滑、平整、无划痕的表面。将抛光后的晶片在体积分数为5‑20％的氢溴酸乙醇溶液中腐蚀后用无水乙醇除去表面残留腐蚀液，最后用高纯氮气吹干。最后，使用SEM和EDS实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分特征等参数的精确表征。本发明用氢溴酸乙醇溶液对晶片表面进行腐蚀，晶体中镶嵌分布的二次相颗粒轮廓完整显现，实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分参数的直接观察和精确表征，以及研究二次相颗粒对晶体性能的影响。该方法可以应用于CsPbBr3晶片抛光和二次相颗粒研究领域。
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公开(公告)号：CN110591114B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910876631.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 西北工业大学
IPC: C08J3/00 , C09D125/06 , B82Y40/00 , C08L25/06
Abstract: 本发明公开了一种在碲化锌表面制备聚苯乙烯微球阵列的方法，用于解决现有方法在碲化锌表面制备的聚苯乙烯微球阵列覆盖率低的技术问题。技术方案是首先将旋涂基底置于偏离旋涂中心的位置，以达到减小基底材料上各处所受离心力差异的目的，从宏观角度改善聚苯乙烯微球的分布形貌；再利用SDS作为表面活性剂，利用SDS在水溶液中电离所产生的离子基团使得聚苯乙烯微球表面带负电荷，从而增大聚苯乙烯微球之间的斥力，使得在旋涂过程中能够较好的发生自组装，调控SDS浓度参数，获得适合于制备ZnTe材料表面规则聚苯乙烯微球阵列的浓度参数；最后调控旋涂参数，获得更大面积的规则聚苯乙烯微球阵列的制备。
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公开(公告)号：CN107829139A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711081319.1
申请日：2017-11-07
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种全无机钙钛矿单晶的逆温溶液生长方法，用于解决现有全无机钙钛矿单晶的生长方法实用性差的技术问题。技术方案是首先将原料溴化铯和溴化铅混合在有机溶剂二甲基亚砜中溶解搅拌，过滤后加入环己醇和二甲基甲酰胺混合液，得到前驱体溶液；其次将前驱体溶液在一定温度下保温一定时间，过滤已析出晶体的溶液；最后将滤液置于水箱中加热升温，生长大尺寸、高结晶质量的CsPbBr3晶体。本发明方法制得CsPbBr3粉末的XRD图谱与标准结构卡片的XRD图谱一致，证明CsPbBr3粉末是纯相。并获得了长×宽×高＝(4～7)×(3～5)×(2～3)mm3的CsPbBr3单晶体，实用性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114108068B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111187085.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种用于提纯溶液法生长钙钛矿晶体所用原料的方法，解决当前采用溶液法生长钙钛矿单晶时，由于采用普通商业级PbBr2原料的纯度较低(99％)，导致生长得到的钙钛矿单晶杂质浓度较高的不足之处。该方法将普通商业低纯度(99％)的PbBr2原料溶解在有机溶剂(DMSO或者DMF)中，利用反溶剂挥发法从溶液中生长出含有PbBr2的络合物晶体(PbBr2·2DMSO或者PbBr2·DMF)，由于前述络合物的存在，可避免在以DMSO或者DMF为前驱体溶液的晶体生长过程中引入其他成分，因此使用提纯后得到的PbBr2·2DMSO或者PbBr2·DMF络合物晶体代替普通商业级PbBr2原料进行钙钛矿单晶生长，可有效降低单晶中的杂质浓度，提高晶体性能。
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公开(公告)号：CN112304895A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011304234.7
申请日：2020-11-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/3563 , G01N21/41 , G01R27/26
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料复介电函数确定方法，首先根据参考信号(空气)和待测半导体的THz‑TDS确定待测半导体的近似复折射率，并进一步评估待测半导体对太赫兹(THz)吸收的强弱。当吸收较弱时，待测半导体的近似复折射率即为理论复折射率；当吸收较强时，通过建立理论复传输函数和实验复传输函数的误差函数，并利用MATLAB中的全局优化函数GlobalSearch进行优化计算，确定使误差函数值最小的理论复折射率。最后，通过复折射率与复介电函数之间的转换关系确定待测半导体的复介电函数。该方法操作流程清晰，分析结果准确可靠，适用于确定各种在THz波段有透过性能的半导体材料的复介电函数。
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公开(公告)号：CN107829139B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201711081319.1
申请日：2017-11-07
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种全无机钙钛矿单晶的逆温溶液生长方法，用于解决现有全无机钙钛矿单晶的生长方法实用性差的技术问题。技术方案是首先将原料溴化铯和溴化铅混合在有机溶剂二甲基亚砜中溶解搅拌，过滤后加入环己醇和二甲基甲酰胺混合液，得到前驱体溶液；其次将前驱体溶液在一定温度下保温一定时间，过滤已析出晶体的溶液；最后将滤液置于水箱中加热升温，生长大尺寸、高结晶质量的CsPbBr3晶体。本发明方法制得CsPbBr3粉末的XRD图谱与标准结构卡片的XRD图谱一致，证明CsPbBr3粉末是纯相。并获得了长×宽×高＝(4～7)×(3～5)×(2～3)mm3的CsPbBr3单晶体，实用性好。
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公开(公告)号：CN110591114A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910876631.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 西北工业大学
IPC: C08J3/00 , C09D125/06 , B82Y40/00 , C08L25/06
Abstract: 本发明公开了一种在碲化锌表面制备聚苯乙烯微球阵列的方法，用于解决现有方法在碲化锌表面制备的聚苯乙烯微球阵列覆盖率低的技术问题。技术方案是首先将旋涂基底置于偏离旋涂中心的位置，以达到减小基底材料上各处所受离心力差异的目的，从宏观角度改善聚苯乙烯微球的分布形貌；再利用SDS作为表面活性剂，利用SDS在水溶液中电离所产生的离子基团使得聚苯乙烯微球表面带负电荷，从而增大聚苯乙烯微球之间的斥力，使得在旋涂过程中能够较好的发生自组装，调控SDS浓度参数，获得适合于制备ZnTe材料表面规则聚苯乙烯微球阵列的浓度参数；最后调控旋涂参数，获得更大面积的规则聚苯乙烯微球阵列的制备。
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公开(公告)号：CN107855923A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711083278.X
申请日：2017-11-07
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化卤化物钙钛矿半导体晶体的抛光方法，用于解决现有半导体晶体抛光方法实用性差的技术问题。技术方案是将橡胶垫平铺于两个抛光盘上；将从溶液法长出的MAPbBr3晶体放在第一个抛光盘上，在橡胶垫上喷WD-40抛光液1～3毫升，用手指画“8”字进行磨抛，对晶片两面分别抛光300～1000秒，之后立即用异丙醇冲洗；再将经过WD-40抛光后的晶体放在第二个抛光盘上，滴加抛光液异丙醇3～5ml，以同样的方法进行化学抛光，待晶体表面光滑、平整、无划痕时，磨抛完毕。之后立即用异丙醇冲洗，高纯氮气吹干。由于采用两种抛光液先后抛光，不会产生新的残留，实用性好。
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