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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112525940A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011304219.2
申请日：2020-11-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01N23/2206 , G01N23/20008 , G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种全无机卤化物钙钛矿CsPbBr3晶片表面二次相颗粒显现方法，选用MgO和无水乙醇作为抛光液，多次抛光后获得光滑、平整、无划痕的表面。将抛光后的晶片在体积分数为5‑20％的氢溴酸乙醇溶液中腐蚀后用无水乙醇除去表面残留腐蚀液，最后用高纯氮气吹干。最后，使用SEM和EDS实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分特征等参数的精确表征。本发明用氢溴酸乙醇溶液对晶片表面进行腐蚀，晶体中镶嵌分布的二次相颗粒轮廓完整显现，实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分参数的直接观察和精确表征，以及研究二次相颗粒对晶体性能的影响。该方法可以应用于CsPbBr3晶片抛光和二次相颗粒研究领域。
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公开(公告)号：CN112304895A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011304234.7
申请日：2020-11-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/3563 , G01N21/41 , G01R27/26
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料复介电函数确定方法，首先根据参考信号(空气)和待测半导体的THz‑TDS确定待测半导体的近似复折射率，并进一步评估待测半导体对太赫兹(THz)吸收的强弱。当吸收较弱时，待测半导体的近似复折射率即为理论复折射率；当吸收较强时，通过建立理论复传输函数和实验复传输函数的误差函数，并利用MATLAB中的全局优化函数GlobalSearch进行优化计算，确定使误差函数值最小的理论复折射率。最后，通过复折射率与复介电函数之间的转换关系确定待测半导体的复介电函数。该方法操作流程清晰，分析结果准确可靠，适用于确定各种在THz波段有透过性能的半导体材料的复介电函数。
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公开(公告)号：CN112525940B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202011304219.2
申请日：2020-11-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01N23/2206 , G01N23/20008 , G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种全无机卤化物钙钛矿CsPbBr3晶片表面二次相颗粒显现方法，选用MgO和无水乙醇作为抛光液，多次抛光后获得光滑、平整、无划痕的表面。将抛光后的晶片在体积分数为5‑20％的氢溴酸乙醇溶液中腐蚀后用无水乙醇除去表面残留腐蚀液，最后用高纯氮气吹干。最后，使用SEM和EDS实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分特征等参数的精确表征。本发明用氢溴酸乙醇溶液对晶片表面进行腐蚀，晶体中镶嵌分布的二次相颗粒轮廓完整显现，实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分参数的直接观察和精确表征，以及研究二次相颗粒对晶体性能的影响。该方法可以应用于CsPbBr3晶片抛光和二次相颗粒研究领域。
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公开(公告)号：CN110591114B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910876631.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 西北工业大学
IPC: C08J3/00 , C09D125/06 , B82Y40/00 , C08L25/06
Abstract: 本发明公开了一种在碲化锌表面制备聚苯乙烯微球阵列的方法，用于解决现有方法在碲化锌表面制备的聚苯乙烯微球阵列覆盖率低的技术问题。技术方案是首先将旋涂基底置于偏离旋涂中心的位置，以达到减小基底材料上各处所受离心力差异的目的，从宏观角度改善聚苯乙烯微球的分布形貌；再利用SDS作为表面活性剂，利用SDS在水溶液中电离所产生的离子基团使得聚苯乙烯微球表面带负电荷，从而增大聚苯乙烯微球之间的斥力，使得在旋涂过程中能够较好的发生自组装，调控SDS浓度参数，获得适合于制备ZnTe材料表面规则聚苯乙烯微球阵列的浓度参数；最后调控旋涂参数，获得更大面积的规则聚苯乙烯微球阵列的制备。
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公开(公告)号：CN110591114A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910876631.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 西北工业大学
IPC: C08J3/00 , C09D125/06 , B82Y40/00 , C08L25/06
Abstract: 本发明公开了一种在碲化锌表面制备聚苯乙烯微球阵列的方法，用于解决现有方法在碲化锌表面制备的聚苯乙烯微球阵列覆盖率低的技术问题。技术方案是首先将旋涂基底置于偏离旋涂中心的位置，以达到减小基底材料上各处所受离心力差异的目的，从宏观角度改善聚苯乙烯微球的分布形貌；再利用SDS作为表面活性剂，利用SDS在水溶液中电离所产生的离子基团使得聚苯乙烯微球表面带负电荷，从而增大聚苯乙烯微球之间的斥力，使得在旋涂过程中能够较好的发生自组装，调控SDS浓度参数，获得适合于制备ZnTe材料表面规则聚苯乙烯微球阵列的浓度参数；最后调控旋涂参数，获得更大面积的规则聚苯乙烯微球阵列的制备。
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