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公开(公告)号：CN105696081B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201610168862.4
申请日：2016-03-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种锑化铝材料的制备方法，用于解决现有制备的锑化铝材料电阻率低的技术问题。技术方案是以高纯铝与高纯锑为原材料，采用化学腐蚀方法除去铝表面氧化层，然后将按一定摩耳比配置的原材料放置于氮化硼坩埚中，再将氮化硼坩埚放置于石英坩埚中，抽真空，封接，采用在合料炉中使用温度振荡的方法进行合成，最后采用布里奇曼法在晶体生长炉中进行生长。由于氮化硼化学稳定性高，与铝反应速率极慢，且与AlSb同属III‑V族化合物，氮元素与硼元素在AlSb晶体中没有活性施主与受主能级，无恶化电阻率的杂质，锑化铝材料电阻率由背景技术的105Ω·cm提高到109Ω·cm，空穴的霍尔迁移率达到382cm2V‑1S‑1。
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公开(公告)号：CN105586640B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610137496.6
申请日：2016-03-11
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碲镓银单晶体的制备方法，用于解决现有碲镓银晶体的方法实用性差的技术问题。技术方案是首先将高纯原料碲镓银加热到银的熔点，使碲镓银三种原料充分熔化反应，转动炉体使反应充分进行，之后以一定的速率降温到凝固点，断开炉体开关，以炉冷速率降温到室温。然后将合成的多晶料放入布里奇曼法生长炉中，以一定的加热，并过热保温一段时间后，在温场为10‑15℃/cm，结晶温度为712℃处开始生长，生长完成后在670‑680℃停留一段时间，进行原位退火，之后以5℃/h的冷却速率降到室温。由于采用加热到银的熔点温度来实现多晶料的合成，生长单晶时采用10‑15℃/cm的温场，成分过冷促进了碲镓银单晶的生长。
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公开(公告)号：CN105586640A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610137496.6
申请日：2016-03-11
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碲镓银单晶体的制备方法，用于解决现有碲镓银晶体的方法实用性差的技术问题。技术方案是首先将高纯原料碲镓银加热到银的熔点，使碲镓银三种原料充分熔化反应，转动炉体使反应充分进行，之后以一定的速率降温到凝固点，断开炉体开关，以炉冷速率降温到室温。然后将合成的多晶料放入布里奇曼法生长炉中，以一定的加热，并过热保温一段时间后，在温场为10-15℃/cm，结晶温度为712℃处开始生长，生长完成后在670-680℃停留一段时间，进行原位退火，之后以5℃/h的冷却速率降到室温。由于采用加热到银的熔点温度来实现多晶料的合成，生长单晶时采用10-15℃/cm的温场，成分过冷促进了碲镓银单晶的生长。
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公开(公告)号：CN113007139A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110269356.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种压气机可调控耦合式机匣处理扩稳方法，该方法耦合了轴向缝式机匣处理与叶顶喷气式机匣处理结构，将轴向缝机匣处理置于压气机转子叶顶，于缝式机匣处理顶部加装一背腔体结构，然后与置于压气机叶顶前缘的喷气装置连通，在连通桥路上设置工业截止阀，由此形成了一种压气机可调控耦合式机匣处理结构。通过合理调控阀门的开闭，可以保证获得最大综合失速裕度的同时，极大地降低压气机的峰值效率损失。此外，通过对阀门及桥路宽度的调控，可以开发适用于不同压气机类型的变工况可调节扩稳装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107994099A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711177574.6
申请日：2017-11-23
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/112 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种基于二维硒化镓材料场效应晶体管制备方法，用于解决现有场效应晶体管制备方法制备效率低的技术问题。技术方案是在显微镜与三维对准-转移平台下，借助于PDMS将材料转移到硅衬底上，能够有效避免残胶对器件的影响，使用碳纤维和PDMS自制掩膜板，然后蒸镀上金属电极，能够制备出4-7μm左右的平直沟道，便于将尺寸较小的材料(≥10μm)制备成场效应晶体管。该二维GaSe场效应晶体管制备方法操作简单、成本低、方便快捷，对材料无损伤，提高了场效应晶体管制备效率。
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公开(公告)号：CN107123599A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710235701.7
申请日：2017-04-12
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/447 , H01L29/778 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于二维碲化镓材料场效应管的真空退火方法，用于解决现有方法制备的基于二维GaTe材料场效应管的迁移率低的技术问题。技术方案是在现有二维GaTe场效应管构筑工艺的基础上，引入高真空退火过程(10‑5Pa)。由于在高真空环境下气体分子浓度极低，促使吸附在沟道材料表面以及沟道材料与金属电极界面处的氧气分子、水分子向环境中扩散，有效阻止了化学吸附导致的沟道材料本征物性的退化以及表面吸附分子对载流子的散射，有效地提高了二维GaTe场效应管的迁移率。经测试，本发明制备的基于二维GaTe材料场效应管的迁移率由背景技术的0.2cm2V‑1s‑1提高至3.4‑4.5cm2V‑1s‑1。
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公开(公告)号：CN105112819B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510582262.8
申请日：2015-09-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 一种调控Ti-Zr-Nb-Cu-Be系非晶复合材料微观结构的方法，采用高熔点的钼丝进行悬吊和过热处理的方法，在熔体处理过程中将钛基非晶复合材料的原始粗大组织完全消除。同时，过热处理可以使得合金熔体得到净化，在凝固过程中获得更大的过冷度，实现形核率的急剧增大，从而可以获得彻底的细化第二相。
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公开(公告)号：CN105696081A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610168862.4
申请日：2016-03-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种锑化铝材料的制备方法，用于解决现有制备的锑化铝材料电阻率低的技术问题。技术方案是以高纯铝与高纯锑为原材料，采用化学腐蚀方法除去铝表面氧化层，然后将按一定摩耳比配置的原材料放置于氮化硼坩埚中，再将氮化硼坩埚放置于石英坩埚中，抽真空，封接，采用在合料炉中使用温度振荡的方法进行合成，最后采用布里奇曼法在晶体生长炉中进行生长。由于氮化硼化学稳定性高，与铝反应速率极慢，且与AlSb同属III-V族化合物，氮元素与硼元素在AlSb晶体中没有活性施主与受主能级，无恶化电阻率的杂质，锑化铝材料电阻率由背景技术的105Ω·cm提高到109Ω·cm，空穴的霍尔迁移率达到382cm2V-1S-1。
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公开(公告)号：CN105112819A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510582262.8
申请日：2015-09-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 一种调控Ti-Zr-Nb-Cu-Be系非晶复合材料微观结构的方法，采用高熔点的钼丝进行悬吊和过热处理的方法，在熔体处理过程中将钛基非晶复合材料的原始粗大组织完全消除。同时，过热处理可以使得合金熔体得到净化，在凝固过程中获得更大的过冷度，实现形核率的急剧增大，从而可以获得彻底的细化第二相。
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