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公开(公告)号：CN116381539A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310435257.9
申请日：2023-04-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R31/392 , G01R31/367 , G01R31/378
Abstract: 本发明公开了一种考虑用户不完整充电过程下的电池健康状态评估方法，首先将用户不完整充电过程分为较长和较短两类，然后针对锂电池历史充放电数据进行分类处理，得到两类用于模型训练的样本数据集及对应标签；然后通过这两类样本数据集及对应标签训练构建的CNN‑LSTM模型和稀疏高斯回归模型；在后续实际使用中，根据锂电池充电数据的类型选用不同的模型进行健康的评估。
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公开(公告)号：CN115967607A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211669718.0
申请日：2022-12-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L41/046 , H04L41/084 , H04L67/1097 , H04L67/1095
Abstract: 本发明公开了一种基于模板的分布式互联网大数据采集系统及方法，主要解决现有技术系统稳定性低、维护困难、采集内容不灵活的问题。其主要由系统功能管理单元和任务执行单元组成。该系统功能管理单元包括：模板管理模块、代理管理模块、任务管理模块和节点管理模块；该任务执行单元包括：主体逻辑处理模块，异常处理模块和后处理模块。这些模块分别完成模板测试、嵌套，设置代理请求间隔，生成数据采集任务，监控节点信息，执行任务，处理异常任务、对无异常任务继续采集的功能。本发明增强了系统的安全性和稳定性，提高采集内容的灵活性和可扩展性，提升了数据采集系统的性能和可移植性，降低了系统的维护难度，可用于人工智能、大数据、物联网。
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公开(公告)号：CN114823872A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210447123.4
申请日：2022-04-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/06 , H01L23/34 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型阱区，第一导电类型重掺杂区，第二导电类型漂移区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端重掺杂发射区，第二导电类型漏端重掺杂集电区，第二导电类型掺杂岛，纵向介质氧化层和纵向多晶硅电极构成纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，纵向多晶硅电极穿通埋氧层深入第二导电类型掺杂岛内，还包括介质氧化层形成场氧化层和栅氧化层，介质氧化层形成埋氧层，第二导电类型多晶硅栅电极，纵向场板金属，源端金属，漏端金属。本发明在关态时，通过纵向电极深入第二导电类型掺杂岛，将横向高压引入衬底反向PN结，使衬底参与耐压，提高器件耐压。
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公开(公告)号：CN110534514B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201910837060.1
申请日：2019-09-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/40
Abstract: 本发明提供一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过在横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型轻掺杂漂移区内引入槽型介质条环，使得N型轻掺杂漂移区内的环型介质承担了主要耐压，这样就避免了由于漏端加高压所带来的源端PN结冶金界结面产生高电场峰值，进而造成器件耐压降低。由于介质槽的临界击穿电场远高于硅材料，所以本发明可以减小器件曲率终端的宽度，使电场线更加集中而不会提前击穿，这样就节约器件版图面积，并且与CMOS工艺相兼容，利用本发明可制作高压、高速、低导通损耗的横向高压功率器件。
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公开(公告)号：CN112687681A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011593040.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/07 , H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成NMOS管的LIGBT器件。本发明主要特征在于：在P+集电区附近引入一个N+集电区，并在集电区上方集成了NMOS管，该MOS管通过一层绝缘介质与下方的集电区隔离开，一端与集电极P+短接，另一端通过导电材料与集电极N+短接。新器件在反向导通时，集成NMOS管为电流提供了通路，新器件具有更好的反向恢复特性。在正向导通时，本发明通过提高集成NMOS管中P型沟道区的浓度提高阈值电压并防止该MOS管的穿通，即可有效抑制snapback效应。在器件关断时，集成NMOS管为电子抽取提供了路径，使新器件具有更小的关断时间和更低的关断损耗。本发明的有益效果为，相比于传统LIGBT，本发明可实现反向导通的功能且关断损耗更低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108712289B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810508064.0
申请日：2018-05-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L12/24 , H04L12/26 , H04L12/951 , H04L29/06
Abstract: 本发明公开了一种采用硬件实现的TTE端系统网络管理装置，主要解决了现有时间触发以太网中由于网络管理所引起的实时性差的问题。其包括捕获模块、拆帧模块、UDP首部校验模块、数据缓存模块、执行模块、组帧模块和插入模块。捕获模块与拆帧模块连接，以完成网络管理数据的接收和字段提取；拆帧模块与UDP首部校验模块、数据缓存模块和执行模块连接，以完成网络管理指令的实施；组帧模块与执行模块、数据缓存模块和拆帧模块连接，以完成网络管理响应信息的生成；插入模块与组帧模块连接，以完成网络管理响应信息的发送。本发明对时间触发以太网端系统的网络管理简单高效，保证了对业务数据处理的实时性，可用于时间触发以太网端系统中。
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公开(公告)号：CN108769285B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810508062.1
申请日：2018-05-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L29/12
Abstract: 本发明公开一种时间触发以太网业务的分层编址方法，主要解决现有技术中时间触发以太网端系统在进行发送调度，接收检查，冗余管理时存储资源浪费的问题。其技术方案为：1)将时间触发以太网中时间触发TT业务和速率受限RC业务的业务地址分为设备地址和本地地址两部分；2)为时间触发以太网中的端系统分配设备地址；3)为时间触发以太网中的业务分配本地地址；4)将业务对应的源端系统的设备地址和该业务的本地地址拼接作为该业务的业务地址。本发明提高了时间触发以太网端系统存储资源的利用率，可用于时间触发以太网的时间触发TT业务和速率受限RC业务编址的实现。
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公开(公告)号：CN108833366B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810509339.2
申请日：2018-05-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AS6802协议的控制帧压缩方法，主要解决现有技术压缩速度慢导致时间触发以太网与待同步设备不能同步的问题，其实现方案是：1)时间触发以太网系统端口接收同步协议控制PCF帧，并提取其端口号；2)解析同步协议控制PCF帧的数据域，对该PCF帧进行筛选，并将筛选后得到的PCF帧进行固化运算获取固化时间点；3)对固化时间点预整合得到固化完成信号到达时间点一致的成员向量；4)采集固化时间点并进行压缩运算，得到压缩时间点，并转发给各待同步设备。本发明通过对接收到的同步协议控制PCF帧的预整合，提高了压缩速率和系统时钟同步可靠性，可用于时间触发以太网系统与待同步设备间的时钟同步。
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公开(公告)号：CN110534514A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910837060.1
申请日：2019-09-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/40
Abstract: 本发明提供一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过在横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型轻掺杂漂移区内引入槽型介质条环，使得N型轻掺杂漂移区内的环型介质承担了主要耐压，这样就避免了由于漏端加高压所带来的源端PN结冶金界结面产生高电场峰值，进而造成器件耐压降低。由于介质槽的临界击穿电场远高于硅材料，所以本发明可以减小器件曲率终端的宽度，使电场线更加集中而不会提前击穿，这样就节约器件版图面积，并且与CMOS工艺相兼容，利用本发明可制作高压、高速、低导通损耗的横向高压功率器件。
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公开(公告)号：CN105958071B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610551453.2
申请日：2016-07-11
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/583 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M10/0525
Abstract: 本发明实施例公开了一种多层石墨烯表面垂直生长纳米碳管的三维多孔碳材料、制备方法及应用其的锂离子电池，其中一种多层石墨烯表面垂直生长纳米碳管的三维多孔碳材料的制备方法，包括以下步骤：S10，在石墨烯表面采用π‑π作用沉积高密度分布的铁锰氧化物纳米颗粒；S20，采用化学气相沉积方法生长垂直于石墨烯的纳米碳管得到三维多孔碳材料。本发明制备的三维多孔碳材料可以解决石墨烯和纳米碳管在烘干过程中的团聚问题，在作为锂电池负极时，三维碳网络能有效提高碳材料的电子传导能力，而多孔性能提高离子的转移能力，充分发挥了纳米碳管和石墨烯的锂离子存储能力。
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