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公开(公告)号：CN108789458B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201810617613.8
申请日：2018-06-15
Applicant: 电子科技大学中山学院
Abstract: 本发明公开了一种智能机械臂，包括机械臂本体，所述机械臂本体上包覆有电子触觉皮肤，机械臂本体上还设有信号放大电路和主控单元，电子触觉皮肤上设置有皮肤传感器，所述皮肤传感器通过信号放大电路连接主控单元。所述电子触觉皮肤由硅胶、石墨烯以及碳纳米管组成，所述硅胶、石墨烯及碳纳米管的质量比为90‑110:0.5‑1.5:1‑6，所述电子触觉皮肤的厚度为0.3‑1mm。本发明的电子触觉皮肤成本低，敏感精度高，从而扩大了应用范围，提高机械臂的安全性。
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公开(公告)号：CN111522345A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010363994.9
申请日：2020-04-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于自动化控制技术领域，具体涉及一种登机桥对接舱门的轮位控制方法。本发明所提出的方法需要在登机桥的桥头对平飞机机身的情况下，由感知系统得到飞机舱门相对于桥头在水平方向的位置和登机桥的部分桥身属性，如桥身长度、桥头角度、轮架到桥头的长度信息；在综合以上信息后计算出登机桥的最佳控制角度。本发明可以很精确的计算出轮位的最佳控制角度，为对接过程提高了效率并且避免了对轮位的反复操作的过程；本发明可以仅通过一次计算便可以得到轮位的最佳控制角度，也可在控制对接过程中进行多次计算控制从而减小测量误差带来的影响，提高舱门对接的精准度，经过实际测试本发明计算出的最佳轮位控制角度可以较为精准的对接舱门。
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公开(公告)号：CN108039381A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711378452.3
申请日：2017-12-19
Applicant: 电子科技大学中山学院
IPC: H01L31/032
Abstract: 本发明公开一种采用纳米颗粒制备CZTS薄膜的方法，其通过湿法球磨的方式，采用了没有任何毒性的溶剂来制备CZTS的纳米颗粒溶液。采用过滤及离心分离的方式来获得仅仅含有CZTS纳米颗粒的溶液。通过采用合适的球磨时间，溶剂种类及离心时间获得了纳米颗粒生产效率最高的配方。这一纳米颗粒之后被用来制备CZTS前驱膜。之后这一前驱膜被用于硫气氛的高温退火。CZTS薄膜晶粒尺寸及晶向都得到了有效的改善。薄膜中硫元素的比例也超过了50％。通过采用X射线衍射及拉曼谱发现薄膜中没有二次相。
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公开(公告)号：CN107946387A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711378464.6
申请日：2017-12-19
Applicant: 电子科技大学中山学院
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开一种CZTS薄膜的新型退火方式，包括有以下步骤：(1)将0.5g粉末硫置于单端封闭之玻璃管的封闭侧，并将CZTS薄膜置于玻璃管内并靠近玻璃管的开放端，将玻璃管的开放端连接于橡胶管；本发明通过将CZTS薄膜和一定量的粉末硫密封在玻璃管内，然后在高均匀性的退火炉里进行加热退火的方式获得了高质量的CZTS薄膜。因为腔体小，所消耗原料少；因整个退火过程在密封的玻璃管内进行，不会对环境造成污染；同时，整个退火过程中，薄膜所处空间内，一直有饱和原料蒸气压，可以保证原料气压的稳定性；最后，高度温度均匀性的退火炉可以保证整个退火过程的均匀性。
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公开(公告)号：CN112598742B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202011609683.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于图像和雷达数据的舞台交互系统，包括信息采集模块、处理模块和控制模块。所述信息采集模块包括安装在舞台正前方的一台RGB摄影机和一台LiDAR激光雷达，实时探测舞台上表演者的姿态信息，作为生产姿态的训练数据或现场数据；处理模块包括姿态生成和姿态识别，姿态生成单元利用双流深度学习网络学习训练数据，产生表演者的姿态模型；姿态识别根据表演者的姿态模型识别匹配对应的预设姿态，将结果发送到控制模块。控制单元模块根据接收到的识别结果，控制舞台屏幕的显示内容随表演者姿态变化。通过上述方式，本发明能够在较高精度下使表演者可以通过动作姿态与舞台场景实时交互。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119829766A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411890125.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林瑞威赛德科技有限公司
IPC: G06F16/353 , G06F40/284 , G06F40/289 , G06F40/30 , G06F18/2431 , G06F18/2415 , G06N3/045 , H04M1/72436
Abstract: 本发明提供一种基于RoBERTa模型的电信诈骗文本分类检测方法，通过采用深度学习和自然语言处理技术，基于RoBERTa模型的深度学习框架，构建了一种能够自动学习电信诈骗文本深层语义特征的分类模型，该模型的架构，包含多头注意力、残差连接、全连接层分类三部分。在模型训练过程中结合了交叉熵损失函数和不一致性损失函数，旨在同时优化分类准确性和模型鲁棒性。交叉熵损失函数有助于提升分类精度，而不一致性损失函数则增强了模型对异常或不确定文本的辨识能力，从而有效防止了过拟合现象，提高了模型在复杂场景中的适应性和稳定性。使用本方法能够有效地提升对电信诈骗文本的分类准确性和模型鲁棒性。
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公开(公告)号：CN118799594B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411256789.7
申请日：2024-09-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06V10/52 , G06V10/44 , G06V10/774 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0455 , G06N3/0499 , G06T7/13 , G06T7/73
Abstract: 本发明属于智慧机场领域，公开了一种基于多尺度注意力的飞机舱门检测方法及系统，该方法包括：搭建基于多尺度注意力和可变形注意力的视觉Transformer舱门检测模型；采集包含多种涂装样式的飞机舱门数据集，训练复杂涂装飞机舱门检测模型；将训练好的舱门检测模型部署在无人驾驶登机桥，实时检测登机桥桥头摄像头传输的画面。本发明提出的方法具有更强的长距离信息建模能力和全局特征提取能力，更倾向于通过舱门的形状特征识别舱门，在机身带有复杂涂装的场景下具有更高的精度。本发明提出的模型采用了实时性更好的基于多尺度注意力的编码器结构，能够满足无人驾驶登机桥自动对接舱门的实时性要求。
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公开(公告)号：CN117649617A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311625511.8
申请日：2023-11-30
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06V20/17 , G06V20/10 , G06V20/52 , G06V20/70 , G06V10/30 , G06V10/44 , G06V10/52 , G06V10/774 , G06V10/80 , G06V10/82
Abstract: 本发明属于森林火灾检测技术领域，公开了一种面向嵌入式设备的轻量化森林火灾检测模型设计方法及系统，本发明设计了一种面向嵌入式设备的轻量化森林火灾检测模型设计方法，该模型结合使用通道混组、深度可分离卷积和部分卷积等轻量化模型设计方法，并引入暗通道阴影去雾算法，在保证检测准确率的情况下，大幅提升检测速度；本发明注重模型的推理速度，使得森林火灾检测在嵌入式设备上能够实现快速、实时的响应，有助于更及时的采取防范和救援措施；本发明采用了轻量级卷积思路设计了轻量化森林火灾检测模型，该模型结构简单，计算复杂度小，部署在嵌入式设备上功耗低，保证在野外环境下长时间运行时更加节能高效。
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公开(公告)号：CN117455737A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311648363.1
申请日：2023-12-04
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于电力安全培训技术领域，公开了一种用于电力安全培训的VR体感控制系统、方法及存储介质，包括：VR子系统，与计算机子系统通过串口或UDP网络通信的方式相连，用于通过虚拟现实技术模拟真实场景，使用户可以身临其境地体验各种场景和情境；计算机子系统，使用UE4进行开发，用于在不同的场景发生时，计算机子系统会将场景画面传送给VR头盔实时显示；同时给VR体感台提供控制信号，从而对培训人员提供相应的体感刺激；本发明使用虚拟现实(VR)技术进行电力安全培训的系统；提供了一种能够模拟电力安全事故的场景和体感，提高电力人员的安全培训效果和体验感，从而增强电力人员的应急演练认知和电网设备操作熟练性。
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公开(公告)号：CN114613856B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210377549.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/778
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种双异质结GaN RC‑HEMT器件。本发明的主要特征在于：在HEMT栅极结构和漏极之间的势垒层(4)表面有顶部GaN层(9)，GaN沟道层(3)、势垒层(4)和顶部GaN层(9)形成双异质结，且在所述栅极结构与顶部GaN层(9)之间的势垒层(4)之上集成了肖特基续流二极管结构，用于HEMT器件反向续流。RC‑HEMT反向续流时，集成肖特基二极管借助2DEG形成电流路径，续流压降低；RC‑HEMT正向导通时，集成肖特基势垒二极管(SBD)处于关断状态，利用二维电子气(2DEG)传输电流，具有较低的导通电阻；RC‑HEMT正向阻断时，GaN沟道层(3)/势垒层(4)和势垒层(4)/顶部GaN层(9)形成极化结改善电场集中效应，调制器件漂移区电场，提高器件击穿电压。
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