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公开(公告)号：CN111029265A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911362878.9
申请日：2019-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供一种防止QFN模封框架翘曲的塑封模具，塑封模具内设有与模封框架对应布置的用于塑封灌注的空腔，空腔内沿模封框架长度方向的两侧部高度低于中间部分的高度。塑封模具上设有与空腔连接的注入口。本发明还提供一种防止QFN模封框架翘曲的塑封方法，包括S10：将芯片搭载在模封框架上。S20：将已搭载芯片的模封框架固定在上述所述的任一项塑封模具内。S30：通过注入口进行塑封灌注。S40：对经过S30处理的整块塑封料进行磨平。S50：根据芯片的位置和形状进行完全切割。本发明提供的防止QFN模封框架翘曲的塑封模具及方法，可以使模封框架所受应力均匀，不发生翘曲，从而有效提高QFN芯片封装出产率。
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公开(公告)号：CN211555856U
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202020048803.5
申请日：2020-01-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及一种半导体封装器件及组合半导体封装器件，所述结构包括：引线框架和塑封层；所述引线框架包括第一框架和第二框架，所述第一框架向远离所述第二框架的一侧延伸形成第一接触部；所述第二框架向垂直于所述第一接触部的延伸方向延伸形成第二接触部；塑封层，对所述引线框架的框架主体进行塑封，所述第一接触部、所述第二接触部和若干个管脚暴露在塑封层外。本实用新型能够通过第一接触部和/或第二接触部对半导体封装器件进行连接组合，代替了使用跳线等复杂的组合方式，使连接方式更加方便简单。
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公开(公告)号：CN211428154U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020380049.5
申请日：2020-03-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种针脚、功率器件和封装模具。其中，针脚包括顺序排列的第一节、第二节和第三节，其中第二节由旋转体构成，旋转体的旋转曲面上的点到旋转体的旋转轴的距离在轴向方向上递增或递减，第一节由第一柱状体构成，第一柱状体的底面与第二节的面积小的底面相连，且第一柱状体的横截面积小于或等于旋转体的面积小的底面的面积。针脚在处于中间部位的第二节构造成旋转体，使得针脚可以通过该旋转体与封装模具的避让孔的内表面进行密封接触，在这种情况下即使已有的圆形避让孔的实际尺寸大于设计尺寸，该针脚也可以防止塑封材料在功率器件的封装过程中通过避让孔从封装模具中溢出。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210956680U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202020123248.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210956665U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202020045615.7
申请日：2020-01-09
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种智能功率模块及电子设备。智能功率模块，包括：基板，所述基板的一侧表面形成有金属层，所述金属层上形成有用于安装芯片的多个芯片安装区，每个所述芯片安装区内均设用于容纳引线框架的管脚的凹槽。本申请中的智能功率模块，基板的一侧表面形成的金属层，金属层上的芯片安装区上设有凹槽，以使引线框架的管脚与金属层连接时，管脚嵌入至金属层的凹槽中，降低基板的金属层面溢胶的情况发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN211428144U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020185049.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型公开了一种封装体散热结构及功率半导体器件，封装体散热结构包括：封装体，散热片，以及设置在封装体与散热片之间的DBC基板，DBC基板能够在封装体与散热片之间实现绝缘，并能够使封装体的热量传递到散热片上；DBC基板的顶部金属层电连接有集电极引脚，DBC基板的顶部金属层与集电极引脚一体成型，DBC基板的陶瓷层上设置有栅极引脚和发射极引脚。通过在封装体与散热片之间设置DBC基板，由于DBC基板中间陶瓷层的绝缘性能，不需要封装体与散热片之间添加绝缘材料，保证了封装体与散热片之间良好的绝缘，同时又不影响封装体的散热性能。采用上述封装体散热结构的功率半导体器件节能，高效，且具有良好的系统可靠性。
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公开(公告)号：CN210926000U
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201921768833.7
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型提出了一种引线框架，其中，在所述引线框架的脚部设有至少一个待填充塑封料的通孔。本实用新型的引线框架在塑封料注塑充填的过程中，塑封料会充满这些通孔，贯通引线框架上下，来阻挡水汽的进入，改善因封装分层问题导致的器件失效，从而延长了引线框架的寿命。
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公开(公告)号：CN211828777U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020128041.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/335 , H01L29/16
Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅功率二极管，包括：碳化硅衬底；形成于碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层表面具有有源区以及围绕有源区的场限环终端区；有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个N型区之间的P+区；N型区的掺杂浓度高于N型碳化硅外延层的掺杂浓度；场限环终端区包括多个间隔设置的P+区；形成于至少一个N型区的第一肖特基接触金属；形成于N型碳化硅外延层的阳极金属层，阳极金属层包括阳极金属和第二肖特基接触金属，第一肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒低于第二肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒，用于降低碳化硅功率二极管的正向导通压降。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211629084U
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202020536884.3
申请日：2020-04-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L25/07
Abstract: 本实用新型涉及一种功率模块，该功率模块包括壳体及设在壳体内的复合基板、第一芯片、第二芯片、第一键合线和第二键合线。其中，复合基板包括绝缘板体及设在绝缘板体上的转接焊盘和芯片焊盘，芯片焊盘用于承载第二芯片，且转接焊盘设在芯片焊盘与第一芯片之间，第一键合线用于连接转接焊盘和第一芯片，第二键合线用于连接第二芯片和转接焊盘，使得第一芯片能通过第一键合线、转接焊盘和第二键合线来连接第二芯片。本实用新型的功率模块解决了如何降低键合线长度的问题，并降低了键合线在封装过程中产生短路或断路的风险，由此可以提高功率模块的良品率。
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公开(公告)号：CN211295147U
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202020049106.1
申请日：2020-01-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L33/64 , H01L33/62 , H01L23/373 , H01L23/498
Abstract: 本申请涉及半导体的技术领域，具体涉及一种基板、功率模块以及封装结构，该基板包括：陶瓷本体、第一覆铜层和第二覆铜层，所述陶瓷本体安装于所述第一覆铜层和第二覆铜层之间，且所述陶瓷本体靠近第一覆铜层的壁面上开设有安装槽，所述安装槽内安装有石墨烯片，本实施例通过在陶瓷本体内嵌石墨烯片的方式，从而利用陶瓷材料以及石墨烯片材料的高导热性能有效提高基板的散热能力，保证模块工作时产生的热量可以及时被排出，有效降低模块的热阻，提升模块的工作效率。
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