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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104616982A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510016216.1
申请日：2015-01-13
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/31111
Abstract: 本发明涉及沟槽栅蚀刻方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成不被氧化的掩膜，在硅衬底和掩膜之间形成第一界面，在掩膜的预定区开有露出硅衬底的窗口；对硅衬底进行氧化，在第一界面的与窗口相邻的区域形成二氧化硅区，二氧化硅区与硅衬底之间形成朝向二氧化硅区圆滑凸出的第二界面；在掩膜的遮蔽下，从窗口朝向硅衬底的内部进行蚀刻而形成沟槽，除去掩膜和二氧化硅区，第二界面形成沟槽的顶角区的圆滑过渡。根据本发明的方法，能够方便地实现沟槽顶角的圆化，简化了沟槽栅的制造工艺。
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公开(公告)号：CN104377147A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410705846.5
申请日：2014-11-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e15ions/cm2；以及通过刻蚀依次去除多晶硅层和氮化硅层，得到裸片进行回收。相比于现有技术中测量热波值的监控方法，本发明在实现监控片重复利用的同时扩大了离子注入剂量的监控范围，具有更好的适用性。
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公开(公告)号：CN102044543B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010557246.0
申请日：2010-11-22
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/06
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件将IGBT模块封装所需的全部IGBT和FRD芯片集成在一片晶圆上，且IGBT和FRD反并联设置；晶圆的边缘部分为多级场限环区，中间部分为IGBT区和FRD区；IGBT和FRD位于同一N型衬底内，具有多级场限环的终端结构；IGBT由在衬底上依次注入发射极P阱、发射极欧姆接触P+区、横向MOSFEF N+源极区、背部集电极P+区构成；FRD由在硅衬底上注入阳极P阱和阴极N+构成；多级场限环的终端结构由在衬底上注入多个P阱和一个N阱而成。本发明半导体器件不需要切片就能直接进行压接式封装成IGBT模块，并且该压接式封装与传统的功率半导体压接式封装工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN205248282U
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201520893094.X
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739
Abstract: 本实用新型提供了一种沟槽栅IGBT，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小，即采用调整源极区的面积的方式以调整沟槽栅IGBT的饱和电流，相当于间接实现了沟槽栅IGBT的总沟道宽度的调整，进而调节了饱和电流的大小，使得在制作沟槽栅IGBT时只需调整制作源极区的光刻板即可，不仅方式简单，而且保证了制作成本低。
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公开(公告)号：CN202068342U
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201120057341.4
申请日：2011-03-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02M7/48 , H02M7/5387
Abstract: 本实用新型涉及一种智能功率装置，包括封装成一体的功率半导体芯片、驱动电路、控制电路和电流传感器，该功率半导体芯片为四个桥臂结构；驱动电路与功率半导体芯片的栅极、集电极和发射极相连；控制电路与驱动电路连接，以控制功率半导体芯片的开通与关断；电流传感器获取检测功率半导体芯片的输出电流，将输出电流值发送到控制电路，控制电路依据输出电流值控制功率半导体芯片的功率输出。本实用新型集成多个功能元件，集成度较高，可节约设备空间。
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