公开(公告)号：CN110828553A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911118471.1

申请日：2015-07-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN110828537A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911118113.0

申请日：2015-07-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L21/331 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L33/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN110777359A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201911118500.4

申请日：2015-07-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN105386008B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201510540239.2

申请日：2015-08-28

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 织田真也 ,  人罗俊实

IPC: C23C16/448

Abstract: 提供一种能够有利于工业上形成密合性优良的金属膜的金属膜形成方法以及通过其方法形成的金属膜。一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，包括在氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中,使金属溶解或分散形成原料溶液，将原料溶液雾化产生雾的雾化工序，将载气提供给所述雾的载气供给工序,通过所述载气将所述雾提供给所述基体的供给工序和使所述雾热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜的金属膜形成工序。

公开(公告)号：CN106415845B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201580032796.1

申请日：2015-07-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN110176493A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910497081.3

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体特性出色的结晶性层叠结构体。该结晶性层叠结构体，具备底层基板，具备底层基板，以及直接或介由其他层设置于该底层基板上的结晶性氧化物薄膜，且该结晶性氧化物薄膜具有刚玉结构；其中，所述结晶性氧化物薄膜的表面粗糙度Ra是0.1μm以下。

公开(公告)号：CN104952927B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201510145934.9

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体特性出色的结晶性层叠结构体。该结晶性层叠结构体，具备底层基板，具备底层基板，以及直接或介由其他层设置于该底层基板上的结晶性氧化物薄膜，且该结晶性氧化物薄膜具有刚玉结构；其中，所述结晶性氧化物薄膜的表面粗糙度Ra是0.1μm以下。

公开(公告)号：CN104736747B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201380002359.6

申请日：2013-11-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 织田真也 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  C30B7/14 ,  C30B25/14 ,  C30B29/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/368

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/20 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4482 ,  C30B7/14 ,  C30B25/14 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628

Abstract: 提供能够同时实现碳杂质浓度的降低和高成膜速度、并且能够分别制作稳定的结晶结构的薄膜制造方法。本发明提供一种氧化物结晶薄膜的制造方法，其具备：使含有镓化合物和铟化合物中的至少一种和水的原料溶液进行微粒化，将所生成的原料微粒通过载气供给至成膜室中，在上述成膜室内配置的被成膜试样上形成氧化物结晶薄膜的工序，上述镓化合物和铟化合物中的至少一种为溴化物或碘化物。