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公开(公告)号：CN112470298A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980049523.6
申请日：2019-07-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/047 , B81B7/02 , H01L41/09 , H03H9/17
Abstract: MEMS器件(101)具备由压电体的单晶构成的压电层(10)、配置于压电层(10)的第一方向(91)的表面的第一电极(14)、以及配置为覆盖压电层(10)的第一方向(91)的表面的作为第一层的中间层(3)。压电层(10)的至少一部分包含在膜片部(6)中。第一电极(14)被第一层(3)覆盖且具有凹部。压电层(10)在与第一电极(14)的至少一部分对应的位置处具有贯通孔(18)，该贯通孔(1g)贯穿压电层(10)，使得将压电层(10)的与第一方向(91)相反的一侧即第二方向(92)的表面与所述凹部连结。
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公开(公告)号：CN107251427B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201680012264.6
申请日：2016-01-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供难以产生无用波造成的特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)，作为激励电极而在压电体层(2)设置有IDT电极(3)，在压电体层(2)的第1主面(2a)上层叠音响反射层(5)，音响反射层(5)具有音响阻抗相对高的高音响阻抗层(5b、5d、5f)和音响阻抗相对低的低音响阻抗层(5a、5c、5e)，音响反射层(5)具有抑制无用波向压电体层(2)侧的反射的无用波反射抑制构造(5x)。
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公开(公告)号：CN111492578A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880081634.0
申请日：2018-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种难以产生因带电引起的静电破坏的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，在硅支承基板(2)上直接或间接地层叠有压电体(6)，在压电体(6)上设置有功能电极，在硅支承基板(2)上直接或间接地设置有支承层(3)，在俯视观察的情况下，支承层(3)设置于功能电极的外侧，在由绝缘物构成的支承层(3)上设置有硅盖层(4)，形成有由硅支承基板2、支承层(3)以及硅盖层(4)包围的空间(A)，硅支承基板(2)的电阻比硅盖层(4)的电阻高。
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公开(公告)号：CN111418152A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880077562.2
申请日：2018-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供压电体层不容易破损，并且滤波器特性不容易恶化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：硅支承基板(2)，具有相互对置的第一、第二主面(2a、2b)；压电性构造体(12)，设置在第一主面(2a)上，并具有压电体层(6)；IDT电极(7)，设置在压电体层(6)上；支承层(3)，在硅支承基板(2)的第一主面(2a)上设置为包围压电体层(6)；覆盖层(4)，设置在支承层(3)上；通孔电极(11)，设置为贯通硅支承基板(2)和压电性构造体(12)；第一布线电极(8)，连接于通孔电极(11)，并电连接于IDT电极(7)。压电性构造体(12)具有包括压电体层(6)的至少1层具有绝缘性的层。第一布线电极(8)设置在压电性构造体(12)中的具有绝缘性的层上。
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公开(公告)号：CN109428564A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810991653.9
申请日：2018-08-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够增大主模式的频率与产生杂散的频率之差的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)；声反射层(3)，具有声阻抗相对低的多个低声阻抗层(4a～4d)和声阻抗相对高的多个高声阻抗层(5a～5c)，且设置在支承基板(2)上；压电体层(6)，设置在声反射层(3)上；以及IDT电极(7)，设置在压电体层(6)上。声反射层(3)中的各层的膜厚的关系为如下关系中的至少一种关系：位于最靠压电体层(6)侧的低声阻抗层(4a)的膜厚比其它所有的低声阻抗层(4b～4d)的膜厚薄；以及位于最靠压电体层(6)侧的高声阻抗层(5a)的膜厚比其它所有的高声阻抗层(5b、5c)的膜厚薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106489238A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580036972.9
申请日：2015-06-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岸本谕卓
CPC classification number: H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/02228 , H03H9/173 , H03H9/25 , H03H2003/021
Abstract: 在压电基板(200)的背面形成牺牲层(600)(S101)。在压电基板(200)的背面形成支承层(300)平坦化，形成作为压电谐振器(10)的支承层(30)。对支承层(30)与牺牲层(600)的表面进行研磨，由此形成牺牲层(600)的表面相对于支承层(30)的表面凹陷的凹部(31)(S103)。凹部(31)由向支承层(30)中的支承层(30)与牺牲层(600)的界面附近扩展的形状构成。在具有凹部(31)的支承层(30)与牺牲层(600)的表面使用粘接材料(50)来粘接支承基板(40)(S104)。设置凹部(31)，由此牺牲层(600)与支承基板(40)之间的密接强度降低，在牺牲层(600)的除去工序中，牺牲层(600)变得易于除去。(300)，以便覆盖牺牲层(600)(S102)。使支承层
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公开(公告)号：CN206878791U
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201590001121.6
申请日：2015-11-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岸本谕卓
IPC: H03H9/25 , H01L41/09 , H01L41/337 , H03H3/08
CPC classification number: H01L41/332 , H01L41/04 , H01L41/0805 , H01L41/0906 , H01L41/18 , H01L41/27 , H01L41/337 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/02228 , H03H9/25 , H03H2003/021
Abstract: 一种压电谐振器，具备：压电薄膜(20)，形成有功能导体(211、212)；固定层(30)，形成于压电薄膜(20)的主面，以使得在俯视下与功能部区域重合的位置形成空隙(300)；和支承基板(40)，形成于固定层(30)的主面，在压电基板的主面形成牺牲层(31)，在压电基板的主面形成固定层(30)，以使得覆盖牺牲层(31)。在固定层(30)的面贴合支承基板(40)，从压电基板剥离形成压电薄膜(20)。在压电薄膜(20)形成功能导体(211、212)，在压电薄膜(20)形成贯通孔(200)，以使得俯视下，横跨固定层(30)与牺牲层(31)的边界，利用贯通孔(200)，通过蚀刻来去除牺牲层(31)，形成空隙(300)。
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公开(公告)号：CN220502678U
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201990001279.1
申请日：2019-12-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岸本谕卓
Abstract: 本实用新型提供一种抑制了翘曲的发生的、具有腔体的硅基板以及使用了该硅基板的腔体SOI基板。具有腔体的硅基板具有：第1面，具有腔体；以及第2面，与所述第1面对置，所述硅基板具有：第1硅氧化膜，设置在第1面，厚度为d1；第2硅氧化膜，设置在腔体的底面，厚度为d2；以及第3硅氧化膜，设置在第2面，厚度为d3，关于厚度d1、d2、d3，满足d1≤d3且d1＜d2的第1关系式、或d3＜d1且d2＜d1的第2关系式中的任一者，所述第1硅氧化膜、第2硅氧化膜以及第3硅氧化膜为热氧化膜。
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公开(公告)号：CN207638628U
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201590001180.3
申请日：2015-11-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岸本谕卓
CPC classification number: H03H9/25 , H03H3/08 , H03H9/02984 , H03H9/1085
Abstract: 提供能提高IDT电极的耐气候性的弹性波装置。弹性波装置(1)利用板波。在支承基板(2)的上表面(2a)设有凹部(2b)。压电基板(3)从第1主面(3a)侧配置在支承基板(2)上。在压电基板(3)的第1主面(3a)设置IDT电极(4)。凹部(2b)形成被支承基板(2)和压电基板(3)的第1主面(3a)包围的空洞。IDT电极(4)面对空洞而配置。在压电基板(3)设置将空洞和第2主面(3b)连接的贯通孔(3c、3d)，在贯通孔(3c、3d)填充密封材料(7a、7b)。
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