曝光装置、利用该曝光装置的器件制造系统和器件制造方法以及图案曝光方法

    公开(公告)号:CN106933066A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201611264164.0

    申请日:2014-03-24

    CPC classification number: G03F7/24

    Abstract: 具有:第一支承构件,其以沿着以规定曲率弯曲成圆筒面状的第一面的方式来支承光罩和基板中的一方;第二支承构件,其以沿着规定的第二面的方式来支承光罩和基板中的另一方;和移动机构,其使第一支承构件旋转,并且使第二支承构件移动,使光罩和基板在扫描曝光方向上移动,投影光学系统利用包含与垂直于投影区域的扫描曝光方向的中心的线大致平行的主光线在内的投影光束,在规定的投影像面上形成图案的像,移动机构设定第一支承构件的移动速度以及第二支承构件的移动速度,使得图案的投影像面和基板的曝光面中的曲率较大的面或者成为平面一侧的移动速度相对小于另一方的移动速度。

    图案形成装置及衬底支承装置

    公开(公告)号:CN106886133A

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201611044499.1

    申请日:2013-03-13

    CPC classification number: G03F7/24

    Abstract: 本发明涉及图案形成装置及衬底支承装置。设有:基材,包括将被实施光学处理的具有透过性的挠性衬底在以规定的曲率弯曲的状态下或是平坦的状态下支承的面;和膜体,形成在该基材的表面上,且相对于在光学处理中所使用的光(曝光用的紫外线、对准用的可视光等)的反射率为50%以下。

    处理系统及元件制造方法
    53.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106687867A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201580047663.1

    申请日:2015-09-03

    Abstract: 本发明提供提供一种即使是在以任一处理装置对片状基板实际实施的处理的状态与目标的处理状态不同时,亦能在无需停止制造系统全体的情形下,进行电子元件的制造的处理系统及元件制造方法。一种将长条的可挠性片状基板(P)沿长条方向依序搬送至第1~第3处理装置(PR2~PR4)的各个,以在片状基板(P)形成既定图案的处理系统(10),第1~第3处理装置(PR2~PR4)依据设定于各个处理装置的设定条件对片状基板(P)施以既定处理,在第1~第3处理装置(PR2~PR4)的各个中对片状基板(P)实施的实处理状态中的至少一者相对目标的处理状态呈现处理误差(E)的情形时,使呈现处理误差(E)的设定条件以外的其他设定条件因应处理误差(E)变化。

    雾成膜装置和雾成膜方法
    56.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115003418B

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202180010123.1

    申请日:2021-01-20

    Abstract: 一种成膜装置,其将包含微粒的雾供给至基板,在基板的表面形成包含微粒的膜,该成膜装置具备:覆盖基板的表面的至少一部分的导风部件;以及将雾供给至基板的表面与导风部件之间的空间的雾供给部。雾供给部包括使雾带正电或带负电的带电赋予部;以及将通过带电赋予部而带电的雾向空间内喷出的雾喷出部。导风部件具有与基板的表面对置的壁面,包括使壁面产生与通过带电赋予部带电的雾相同符号的电位的静电场发生部。

    成膜装置、雾成膜装置、及导电膜的制造方法

    公开(公告)号:CN116322965A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202180059704.4

    申请日:2021-07-27

    Abstract: 成膜装置,其将雾供给至物体表面以在所述物体表面成膜出所述雾中含有的材料物质的膜,其具有产生所述雾的雾产生部、以及雾供给部,该雾供给部具有将由所述雾产生部产生的所述雾导入空间的导入口、以及从所述空间将所述雾供给至所述物体表面的供给口。所述供给口设置在第1方向与第2方向交叉、包含所述供给口且供所述雾通过的第1规定平面内的在所述第1方向上与所述导入口不同的位置。

    处理系统
    59.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110488576B

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN201910692841.6

    申请日:2015-09-03

    Abstract: 本发明提供提供一种即使是在以任一处理装置对片状基板实际实施的处理的状态与目标的处理状态不同时,亦能在无需停止制造系统全体的情形下,进行电子元件的制造的处理系统及元件制造方法。一种将长条的可挠性片状基板(P)沿长条方向依序搬送至第1~第3处理装置(PR2~PR4)的各个,以在片状基板(P)形成既定图案的处理系统(10),第1~第3处理装置(PR2~PR4)依据设定于各个处理装置的设定条件对片状基板(P)施以既定处理,在第1~第3处理装置(PR2~PR4)的各个中对片状基板(P)实施的实处理状态中的至少一者相对目标的处理状态呈现处理误差(E)的情形时,使呈现处理误差(E)的设定条件以外的其他设定条件因应处理误差(E)变化。

    图案描绘装置、图案描绘方法、以及元件制造方法

    公开(公告)号:CN110031968B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN201910096369.X

    申请日:2017-03-28

    Abstract: 一种曝光装置(EX),其一面根据图案信息对来自光源装置(LS)的光束(LBn)进行强度调变,一面将光束(LBn)投射至基板(P)上并沿主扫描方向进行扫描,藉此于基板(P)上描绘图案,且具备:扫描单元(Un),其具有光束扫描部,该光束扫描部包含为了实现光束(LBn)的扫描而使光束(LBn)偏向的多面镜(PM),该光检测器(DTn)对光束(LBn)被投射至基板(P)时产生的反射光进行光电检测;电光学器件(36),其以于形成于基板(P)上的第1图案(PT1)的至少一部分,重迭地描绘应重新描绘的第2图案(PT2)的至少一部分的方式,根据图案信息而控制光束(LBn)的强度调变;及测量部(116),其于在基板(P)上描绘第2图案(PT2)的期间,根据自光检测器(DTn)输出的检测信号(PSn)而测量第1图案(PT1)与第2图案(PT2)的相对的位置关系。

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