公开(公告)号：CN1992294B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200610172474.X

申请日：2006-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/50 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明的课题在于降低接触不良，抑制接触电阻的增大，并且提高开口率。本发明涉及一种液晶显示器件，其具有：衬底；设置在上述衬底上且具有栅极布线、栅极绝缘膜、岛状半导体膜、源极区域、以及漏极区域的薄膜晶体管；设置在上述衬底上且连接到上述源极区域的源极布线；设置在上述衬底上且连接到上述漏极区域的漏电极；设置在上述衬底上的辅助电容；连接到上述漏电极的像素电极；以及覆盖着上述薄膜晶体管及上述源极布线而形成的保护膜，其中，上述保护膜具有开口部分，并且上述辅助电容存在于形成有开口部分的区域。

公开(公告)号：CN101452176B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200810186986.0

申请日：2008-12-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/13

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高开口率且具有大容量的存储电容器的显示装置。本发明涉及一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：包括栅电极；栅极绝缘膜；第一半导体层；沟道保护膜；分离为源区和漏区，以及源电极和漏电极的导电性第二半导体层的薄膜晶体管；在所述第二导电膜上形成的第三绝缘层；形成在所述第三绝缘层上且与源电极或漏电极的一方电连接的像素电极；夹着电容布线上的第三绝缘层形成在第一绝缘层上的电容布线与像素电极的重叠区域中的存储电容器。

公开(公告)号：CN1967803B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200610149552.4

申请日：2006-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤川最史 ,  细谷邦雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L51/055 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明揭示一种显示器件及其制造方法。一般希望在显示器件中将低电阻材料用于配线，但是到现在为止没有存在形成配线的有效方法。本发明的结构之一包括以下工序：形成第一导电膜；在第一导电膜上选择性地形成抗蚀剂；在第一导电膜及抗蚀剂上形成第二导电膜；在去除抗蚀剂的同时去除形成在抗蚀剂上的第二导电膜；形成第三导电膜，使其覆盖形成在第一导电膜上的第二导电膜；选择性地蚀刻第一导电膜及第三导电膜；形成多个布线及电极。由此，由于可以在大型面板中形成用低电阻材料的布线，因此可以解决信号延迟等问题。

公开(公告)号：CN1913155B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200610110957.7

申请日：2006-08-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02F1/133604 ,  G02F1/133605 ,  G02F1/13452 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136231

Abstract: 本发明的目的在于通过不增加新的步骤而形成遮光膜，以提供一种可见度高的液晶显示器件。本发明的液晶显示器件具有在有源矩阵衬底和相对衬底之间封入液晶的结构。在所述有源矩阵衬底上形成有由多个TFT、布线、以及第一电极(像素电极)等构成的像素部分等，并且在所述相对衬底上形成有第二电极(相对电极)以及着色膜等。本发明的液晶显示器件还具有这样的结构，即将形成TFT的电极和布线等的导电膜的一部分用作像素部分中的遮光膜，所述TFT的电极和布线等形成在有源矩阵衬底上。

公开(公告)号：CN101676779A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200910204205.0

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤川最史 ,  细谷邦雄

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/133345 ,  G02F2001/136222

Abstract: 一种液晶显示器件，它包括：在衬底之上的第一遮光膜和成色膜；在所述第一遮光膜和所述成色膜之上的绝缘膜；在所述绝缘膜之上的栅电极；在所述栅电极之上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜之上的第一半导体膜；在所述第一半导体膜之上的绝缘体；在所述第一半导体膜之上的第二半导体膜；在所述第二半导体膜之上的源电极和漏电极；在所述绝缘体之上的第二遮光膜；在所述源电极、所述漏电极和所述第二遮光膜之上的钝化膜；和在所述钝化膜之上的像素电极，其中，所述像素电极通过所述钝化膜电连接于所述源电极和所述漏电极中的至少一个。

公开(公告)号：CN101551559A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910128358.1

申请日：2009-03-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227

Abstract: 在像素部中使用第二导电膜形成扫描信号线以及辅助电容线并使用第一导电膜形成数据信号线。在TFT部中，使用第一导电膜形成栅电极并使其通过栅极绝缘膜中的开口部与使用第二导电膜形成的扫描信号线电连接。使用第二导电膜形成源电极以及漏电极。在辅助电容部中，将使用第二导电膜形成的辅助电容线用作下部电极，并将像素电极作为上部电极，将钝化膜用作介电薄膜夹在电容电极之间。

公开(公告)号：CN1967803A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610149552.4

申请日：2006-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤川最史 ,  细谷邦雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L51/055 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明揭示一种显示器件及其制造方法。一般希望在显示器件中将低电阻材料用于配线，但是到现在为止没有存在形成配线的有效方法。本发明的结构之一包括以下工序：形成第一导电膜；在第一导电膜上选择性地形成抗蚀剂；在第一导电膜及抗蚀剂上形成第二导电膜；在去除抗蚀剂的同时去除形成在抗蚀剂上的第二导电膜；形成第三导电膜，使其覆盖形成在第一导电膜上的第二导电膜；选择性地蚀刻第一导电膜及第三导电膜；形成多个布线及电极。由此，由于可以在大型面板中形成用低电阻材料的布线，因此可以解决信号延迟等问题。

公开(公告)号：CN1967335A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610160432.4

申请日：2006-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/1333 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/133354

Abstract: 本发明的目的是通过不增加新的工序地形成用于位置对准的标记来抑制成品率的降低，并且实现高精确度的位置对准以及检查过程所需要的时间的缩短化，因此提供可见度高的液晶显示器件。本发明的技术要点是如下：将在对向设置的一对衬底中的一个的、具有像素部分的有源矩阵衬底上形成的图案作为用于位置对准的第一标记，而在一对衬底中的另一个的相对衬底上形成的遮光膜的开口部分作为用于位置对准的第二标记。此外，由于使用这些标记进行位置对准，所以可以实现有源矩阵衬底和相对衬底的高精确度的位置对准。