公开(公告)号：CN106167895B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201610345779.X

申请日：2016-05-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  萨昂格鲁特·桑普朗 ,  尚卡尔·斯娃米纳森 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  康胡 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  爱德华·奥古斯提尼亚克 ,  行则崎山 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  巴莎·萨贾德 ,  詹妮弗·L·彼得拉利亚

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明涉及用于改善流动均匀性的具有面板孔的低体积喷头。在半导体处理装置中的喷头可包括配置成改善原子层沉积期间的流动均匀性的面板通孔。该喷头可包括用于分配气体到衬底上的具有多个通孔的面板，其中所述面板包括小直径的通孔。例如，所述通孔中的每一个的直径可小于约0.04英寸。此外或可替代地，该喷头还可包括边缘通孔，这些边缘通孔沿具有大于正在处理的衬底直径的直径的环被周向地定位。该喷头可以是低体积喷头并且可包括邻近与喷头的充气容腔连通的一个或多个气体入口的挡板。具有小直径通孔和/或边缘通孔的面板能够改善总的膜非均匀性，能够改善在衬底边缘处的方位角膜非均匀性，并且能够在较高RF功率下执行操作。

公开(公告)号：CN110892501A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880047501.1

申请日：2018-05-18

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 帕特里克·布莱琳 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  金成杰 ,  伊时塔克·卡里姆 ,  迈克·罗伯茨 ,  理查德·菲利普斯 ,  普鲁肖塔姆·库马尔 ,  阿德里安·拉沃伊

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种用于等离子体处理系统的基座组件。组件包括基座，所述基座具有中央顶表面，如台面，且中央顶表面从中央顶表面的中心延伸到中央顶表面的外径。环形表面围绕中央顶表面。环形顶表面设置在从中央顶表面向下的台阶处。多个晶片支撑件以在中央顶表面上方的支撑件高程距离从中央顶表面突出。多个晶片支撑件围绕中央顶表面的内半径均匀地布置。内半径位于中央顶表面的中心和小于中半径处之间，中半径介于基座的中心与中央顶表面的外径之间的约一半。提供了承载环，其被配置用于定位在基座的环形表面上。承载环具有承载环内径、承载环外径以及围绕承载环的顶部内部区域环形地布置的凸缘表面，凸缘表面凹入到承载环的顶部外部区域的下方。多个承载环支撑件被设置在基座的环形表面的外部。当承载环搁置在多个承载环支撑件上时，承载环支撑件限定承载环的在基座的中央顶表面上方的承载环高程尺寸，承载环高程尺寸被配置为高于基座的中央顶表面，高于支撑件高程距离。

公开(公告)号：CN105386012A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510519683.6

申请日：2015-08-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  康胡 ,  钱俊 ,  普鲁肖坦·库马尔 ,  安德鲁·杜瓦尔 ,  科迪·巴奈特 ,  穆罕默德·萨布里 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  卡尔·利瑟 ,  大卫·C·史密斯 ,  塞沙萨绮·瓦拉达拉简 ,  艾德蒙·B·明歇尔

IPC: C23C16/52

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明涉及用于在低温ALD系统中的稳定沉积率控制的方法和装置，具体公开了在半导体衬底上沉积材料膜的方法。该方法可以包括：在喷头基本上维持在第一温度时，使膜前体穿过喷头流入处理室内；以及在衬底保持架基本上维持在第二温度时，使膜前体吸附到保持在衬底保持架上的衬底上，使得前体形成吸附受限层。第一温度比第二温度高至少10℃，或者第一温度处于或低于第二温度。该方法还可以包括：从包围所吸附的膜前体的体积除去至少一些未被吸附的膜前体；以及之后，使所吸附的膜前体反应以形成膜层。本发明还公开了一种装置，该装置包括：处理室；衬底保持架；喷头；以及一个或多个控制器，其用于操作该装置以使用前述膜沉积技术。