公开(公告)号：CN105463408B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201510642077.3

申请日：2015-09-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 钱俊 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  康胡 ,  尚卡尔·斯瓦米纳坦 ,  普鲁肖塔姆·库马尔 ,  弗兰岑·保罗 ,  特伦格·T·勒 ,  阮途安 ,  詹尼弗·L·彼得拉利亚 ,  大卫·查尔斯·史密斯 ,  塞沙萨绮·瓦拉达拉简

IPC: C23C16/455 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及用于等离子体辅助原子层沉积中的RF补偿的方法和装置。实施例涉及在衬底上沉积膜的方法、装置和系统。在这些实施例中，衬底是按批处理的。由于处理批衬底中的另外衬底时反应室内的条件变化，在整个批衬底处理期间各种膜的性能可能有趋向性。本发明公开了用于使整个分批处理期间的膜的性能的趋向性最小化的方法和装置。更具体地，通过改变在整个分批处理期间用于处理衬底的RF功率的量，使膜的性能趋向性最小化。这样的方法有时被称为RF补偿法。

公开(公告)号：CN105463408A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510642077.3

申请日：2015-09-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 钱俊 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  康胡 ,  尚卡尔·斯瓦米纳坦 ,  普鲁肖塔姆·库马尔 ,  弗兰岑·保罗 ,  特伦格·T·勒 ,  阮途安 ,  詹尼弗·L·彼得拉利亚 ,  大卫·查尔斯·史密斯 ,  塞沙萨绮·瓦拉达拉简

IPC: C23C16/455 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及用于等离子体辅助原子层沉积中的RF补偿的方法和装置。实施例涉及在衬底上沉积膜的方法、装置和系统。在这些实施例中，衬底是按批处理的。由于处理批衬底中的另外衬底时反应室内的条件变化，在整个批衬底处理期间各种膜的性能可能有趋向性。本发明公开了用于使整个分批处理期间的膜的性能的趋向性最小化的方法和装置。更具体地，通过改变在整个分批处理期间用于处理衬底的RF功率的量，使膜的性能趋向性最小化。这样的方法有时被称为RF补偿法。

公开(公告)号：CN105386012A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510519683.6

申请日：2015-08-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  康胡 ,  钱俊 ,  普鲁肖坦·库马尔 ,  安德鲁·杜瓦尔 ,  科迪·巴奈特 ,  穆罕默德·萨布里 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  卡尔·利瑟 ,  大卫·C·史密斯 ,  塞沙萨绮·瓦拉达拉简 ,  艾德蒙·B·明歇尔

IPC: C23C16/52

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明涉及用于在低温ALD系统中的稳定沉积率控制的方法和装置，具体公开了在半导体衬底上沉积材料膜的方法。该方法可以包括：在喷头基本上维持在第一温度时，使膜前体穿过喷头流入处理室内；以及在衬底保持架基本上维持在第二温度时，使膜前体吸附到保持在衬底保持架上的衬底上，使得前体形成吸附受限层。第一温度比第二温度高至少10℃，或者第一温度处于或低于第二温度。该方法还可以包括：从包围所吸附的膜前体的体积除去至少一些未被吸附的膜前体；以及之后，使所吸附的膜前体反应以形成膜层。本发明还公开了一种装置，该装置包括：处理室；衬底保持架；喷头；以及一个或多个控制器，其用于操作该装置以使用前述膜沉积技术。