公开(公告)号：CN105463408B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201510642077.3

申请日：2015-09-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 钱俊 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  康胡 ,  尚卡尔·斯瓦米纳坦 ,  普鲁肖塔姆·库马尔 ,  弗兰岑·保罗 ,  特伦格·T·勒 ,  阮途安 ,  詹尼弗·L·彼得拉利亚 ,  大卫·查尔斯·史密斯 ,  塞沙萨绮·瓦拉达拉简

IPC: C23C16/455 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及用于等离子体辅助原子层沉积中的RF补偿的方法和装置。实施例涉及在衬底上沉积膜的方法、装置和系统。在这些实施例中，衬底是按批处理的。由于处理批衬底中的另外衬底时反应室内的条件变化，在整个批衬底处理期间各种膜的性能可能有趋向性。本发明公开了用于使整个分批处理期间的膜的性能的趋向性最小化的方法和装置。更具体地，通过改变在整个分批处理期间用于处理衬底的RF功率的量，使膜的性能趋向性最小化。这样的方法有时被称为RF补偿法。

公开(公告)号：CN105463408A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510642077.3

申请日：2015-09-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 钱俊 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  康胡 ,  尚卡尔·斯瓦米纳坦 ,  普鲁肖塔姆·库马尔 ,  弗兰岑·保罗 ,  特伦格·T·勒 ,  阮途安 ,  詹尼弗·L·彼得拉利亚 ,  大卫·查尔斯·史密斯 ,  塞沙萨绮·瓦拉达拉简

IPC: C23C16/455 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及用于等离子体辅助原子层沉积中的RF补偿的方法和装置。实施例涉及在衬底上沉积膜的方法、装置和系统。在这些实施例中，衬底是按批处理的。由于处理批衬底中的另外衬底时反应室内的条件变化，在整个批衬底处理期间各种膜的性能可能有趋向性。本发明公开了用于使整个分批处理期间的膜的性能的趋向性最小化的方法和装置。更具体地，通过改变在整个分批处理期间用于处理衬底的RF功率的量，使膜的性能趋向性最小化。这样的方法有时被称为RF补偿法。