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公开(公告)号：CN215910748U
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202121770694.9
申请日：2021-07-29
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种光控太赫兹光纤调制器，该光控太赫兹光纤调制器包括：用来传输太赫兹波的太赫兹光纤，太赫兹光纤的侧边设置抛磨区域，侧边设置有抛磨区域的太赫兹光纤端面呈“D”型；抛磨区域上设置具有微纳结构的超材料，超材料上设置石墨烯，形成作为光调制结构的石墨烯‑超材料结构。本实用新型采用侧边抛磨太赫兹光纤结构，能有效降低太赫兹波在自由空间中的损耗，增大石墨烯与太赫兹波倏逝场的接触面积，提高了调制效率。
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公开(公告)号：CN208224650U
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201721865700.2
申请日：2017-12-27
Applicant: 暨南大学
IPC: G02F1/035
Abstract: 本实用新型涉及一种光波导及幅度调制器，包括衬底、第一掩膜板、第二掩膜板、波导芯层、第一偏转电极和第二偏转电极。基于cmos工艺的衬底、第一掩膜板和第二掩膜板形成波导槽，波导槽底部的波导芯层用于待调光束，在第一偏转电极和第二偏转电极接入驱动电压后，通过波导芯层与驱动电压的电光效应，改变待调光束的折射率。基于此，有效降低实现光场偏转所需的驱动电压，缩小实现光场偏转所需的器件的尺寸。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN213092051U
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202021973505.3
申请日：2020-09-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本实用新型涉及电光调制，高速光通信技术领域，更具体地，涉及一种基于铌酸锂波导的电光开关。用于解决传统电光开关消光比大、开关频率低、带宽受限的问题。此种电光开关自上而下的结构为：渐变阵列电极、缓冲层、基底，所述基底设置有输入端和输出端；所述渐变阵列电极为一组底边呈规律性变化的等腰三角形微结构阵列电极单元；所述基底包括波导区和非波导区，所述基底为块状铌酸锂或者铌酸锂薄膜集成波导，所述铌酸锂薄膜集成波导为单晶铌酸锂与衬底的结合，所述块状铌酸锂或单晶铌酸锂包裹有质子交换铌酸锂波导。通过上述技术方案，以实现低损耗、稳定性强、驱动电压低、调制带宽大的技术效果。
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公开(公告)号：CN209992393U
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201822201782.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/41
Abstract: 本实用新型涉及表面等离子体技术领域，具体公开了一种二硫化钼增敏的表面等离子体共振传感器，包括侧边抛磨光纤或棱镜、光源以及用于获取光纤或棱镜透射光谱的光谱仪。在侧边抛磨光纤的抛磨区或棱镜表面上镀有贵金属膜，从而激发SPR效应，使得在透射光谱中形成共振吸收谷，而共振吸收谷的位置又受到外界折射率的调制，构成折射率传感器。本实用新型通过结合二硫化钼和SPR效应，将二硫化钼纳米片沉积在金属膜表面，制备出二硫化钼纳米片增敏的表面等离子体共振传感器，此传感器在折射率范围为1.333～1.360RIU内，可获得高达2793.5nm/RIU的折射率灵敏度，与未修饰二硫化钼的SPR传感器相比，灵敏度提高了30.67％。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209707669U
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201822200591.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本实用新型涉及磁场传感器技术领域，具体公开了一种基于移动终端的便携式矢量磁场传感装置，包括传感单元、移动终端装置以及可与移动终端装置连接的附件装置；所述传感单元用于感应外界矢量磁场的变化，包括侧边抛磨光纤和围绕在侧抛光纤周围的磁流体；所述移动终端装置包括用于向传感单元发射光信号的LED，用于捕捉所述传感单元输出的光信号的摄像头，以及用于处理摄像头捕捉到的图像的处理装置。本实用新型通过设置传感单元感知外界待测磁场的变化，通过移动终端装置发射和接收传给所述传感单元的光信号，设置附件装置将传感单元与所述移动终端装置连接起来，这种装置实现了矢量磁场的精准检测，同时具有体积小、方便携带以及成本低的优势。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208333670U
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201821042532.1
申请日：2018-07-03
Applicant: 暨南大学
IPC: G01J1/42 , H04B10/25 , H04B10/116
Abstract: 本专利公开了一种光纤集成石墨烯光电探测器，包括波导、石墨烯薄膜与金属电极，所述波导为侧边抛磨光纤，所述侧边抛磨光纤包括包层和纤芯，所述包层经部分抛磨处理成一抛磨区，抛磨区表面敷设有石墨烯薄膜，石墨烯薄膜表面覆盖有金属电极，还包括聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，所述聚甲基丙烯酸甲酯薄膜设置在抛磨区与石墨烯薄膜之间。本专利首次将聚甲基丙烯酸甲酯薄膜与石墨烯薄膜堆叠排列的结构集成于侧边抛磨光纤上制备为光电探测器件，具备极高的光响应度，并具有极宽光谱的响应特性；与传统的基于硅基波导的探测器相比，基于光纤波导的探测器件设计方便，可以将光电探测技术直接用于光纤通信中的在线监测，具有很高的实用价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209707668U
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201822200556.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本实用新型涉及光纤磁场传感器技术领域，具体提供了一种磁流体披覆侧抛光纤的磁场传感器，包括侧边抛磨光纤、披覆在抛磨区周围的磁流体、光源以及用于检测透射光谱的光谱仪，所述抛磨光纤是通过光纤抛磨掉部分包层制作而成；所述抛磨光纤上设有玻璃毛细管以及光学紫外胶，所述磁流体通过玻璃毛细管以及光学紫外胶密封包裹在侧边抛磨光纤周围；在磁场作用下，纳米粒子随磁场方向汇集或分散，使得纳米粒子的折射率受到磁场强度与方向的控制，从而在纳米粒子与抛磨光纤之间的倏逝场相互作用下，透射光谱信号会受到磁场强度与方向的控制，构成磁场传感器。本实用新型在于能灵敏地检测到磁场强度与方向的变化，有助于实现高灵敏度磁场测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209460387U
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201822200551.9
申请日：2018-12-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本实用新型涉及光纤磁场传感器技术领域，具体公开了一种基于侧抛光纤表面等离子体共振的矢量磁场传感器，包括侧边抛磨光纤、镀制在抛磨区上的金属薄膜、磁流体、光源以及用于检测透射光谱的光谱仪，所述抛磨光纤是通过光纤抛磨掉部分包层和纤芯制作而成；所述抛磨光纤上设有玻璃毛细管以及光学紫外胶，所述磁流体通过玻璃毛细管以及光学紫外胶密封包裹在抛磨光纤周围。本实用新型利用表面等离子体共振(SPR)效应，在透射光谱中形成一个共振波谷(透射光强度最低值)，在不同磁场强度或磁场方向下，磁流体在金属膜上方的折射率不同，导致SPR共振波谷位置的不同，通过记录共振光谱的漂移情况，即可标定传感器对磁场方向和强度的传感特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN203965664U
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201420197206.3
申请日：2014-04-22
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种微纳光纤环与侧边抛磨光纤耦合的光学上下载滤波器，该滤波器由微纳光纤环和侧边抛磨光纤所组成，所述微纳光纤环包括环形微纳光纤及与其相连的第一端口和第二端口，所述环形微纳光纤由微纳光纤绕成环形而制成，所述微纳光纤的直径为3～10mm，环形微纳光纤的外径为300～1500mm；所述侧边抛磨光纤是在圆形普通光纤上，其中一段长度为5～30mm的区域设为抛磨区，与抛磨区相连的两端分别为第三端口和第四端口，抛磨区的部分包层被去除，抛磨区的横截面为“D”型，抛磨面与纤芯界面的距离为1～10μm，环形微纳光纤与抛磨面相接触。本实用新型具有性能稳定、制作简单、成本低廉、结构紧凑等优点。
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