公开(公告)号：CN116034453A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180049745.5

申请日：2021-07-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 岸冈高广 ,  臼井友辉 ,  森谷俊介

IPC: H01L21/304

Abstract: 提供在半导体装置制造工序中用于将形成在基板上的异物除去的简便的方法，并提供那样的方法所使用的异物除去用涂膜形成用组合物。一种组合物，是包含聚合物和溶剂、能够形成溶解于显影液的涂膜的异物除去用涂膜形成用组合物，上述聚合物选自苯酚酚醛清漆、聚羟基苯乙烯衍生物和含有羧酸的聚合物，所述组合物包含相对于组合物中的固体成分整体为50质量％以上的上述聚合物。

公开(公告)号：CN109073978B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201780026762.0

申请日：2017-04-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 大桥智也 ,  绪方裕斗 ,  桥本雄人 ,  臼井友辉 ,  境田康志 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明的课题是提供对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。作为解决手段是一种对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：1分子中具有2个以上选自缩水甘油基、末端环氧基、环氧环戊基、环氧环己基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基、异氰酸酯基和封闭异氰酸酯基中的至少1种基团的交联剂，侧链或末端具有下述式(1)所示的基团且重均分子量为800以上的化合物，以及有机溶剂。(式中，X1表示与上述交联剂反应的取代基，R0表示直接结合或碳原子数1或2的亚烷基，X2表示碳原子数1或2的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或氟基，a表示0～2的整数，b表示1～3的整数，c表示0～4的整数，b与c满足1≤(b+c)≤5的关系式。)。

公开(公告)号：CN112437901A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201980048330.9

申请日：2019-07-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 上林哲 ,  水落龙太 ,  佐久间大辅 ,  远藤雅久 ,  西田登喜雄 ,  远藤贵文 ,  染谷安信 ,  远藤勇树 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/22 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：环氧加成物形成用化合物与下述式(1)所示的化合物的环氧加成生成物；以及溶剂，[在式(1)中，A1表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被氧原子、硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2～10的直链或支链亚烷基]。

公开(公告)号：CN111492311A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880081945.7

申请日：2018-12-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  染谷安信 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08F8/14 ,  C08F24/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：分子内包含至少1个缩醛结构的化合物、或其聚合物；以及溶剂，其是在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的组合物，并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN109313389B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201780021847.X

申请日：2017-03-29

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 臼井友辉 ,  岸冈高广 ,  境田康志 ,  绪方裕斗

IPC: G03F7/11 ,  C08K5/3445 ,  C08L63/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 提供抗蚀剂下层膜形成组合物以及使用该组合物的抗蚀剂下层膜和半导体装置的制造方法，在半导体装置制造的光刻工艺中，利用具有甘脲骨架的化合物添加剂增强防止形成在基板上的抗蚀剂图案的图案倒塌的功能。使用下面的式(1‑1)的抗蚀剂下层膜形成组合物用添加剂： (式(1‑1)中，R1～R4各自是由选自由有机基团组成的组中的至少一个基团取代氢原子后的C2～10烷基或C2～10烯基，所述有机基团包含羟基、硫醇基、羧基、C1～5烷氧基乙基、C1～5烷基磺酰基和酯键，能够全部相同也能够不同，R5和R6各自表示选自氢原子、C1～10烷基和苯基中的基团)。

公开(公告)号：CN110546569A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880027076.X

申请日：2018-04-27

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  桥本雄人 ,  田村护 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/18

Abstract: 本发明的课题是提供在曝光时作为防反射膜起作用，并且可以埋入狭窄空间和高长宽比的凹部，进一步相对于过氧化氢水溶液的耐性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、下述式(1a)或式(1b)所示的化合物、和溶剂，相对于上述树脂，含有0.01质量％～60质量％的上述式(1a)或式(1b)所示的化合物。(式中，X表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的整数0～5，n表示整数2～5。)