-
公开(公告)号：CN112038452A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010945709.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于紫外光刻工艺的PEDOT:PSS电极的快速图案化刻蚀方法，本发明涉及一种基于紫外光刻工艺的PEDOT:PSS电极的快速图案化刻蚀方法。本发明的目的是要解决现有的有机透明电极薄膜的图案化刻蚀工艺复杂、周期长、尺寸小的问题，本发明在清洗后的基底上旋涂光刻胶，烘干后得到光刻胶层；使用紫外光刻机曝光将光刻胶层图案化，烘干后获得带有预设图案光刻胶层的基底；在带有预设图案化光刻胶层的基底上旋涂法沉积PEDOT:PSS薄膜，浸泡在有机溶剂中，超声清洗，氮气吹干即完成。本发明刻蚀图案利用紫外曝光一次成型，整个刻蚀工艺流程周期短，成品快。本发明应用于有机薄膜电极加工刻蚀及应用研究领域。
-
公开(公告)号：CN111880350A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010537740.4
申请日：2020-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明的一种基于钛酸钡晶体的电控光束偏转的调制方法，属于偏转器件的设计与制备研究领域。所述调制方法包括以下步骤：启动激光器，调节光路，使光束通过半波片和傅里叶透镜到达钛酸钡晶体处；对金属电极施加高压直流电源，将电源调制到合适范围，钛酸钡晶体未有电极部分处呈现梯度电场分布，根据电光效应产生不同位置具有不同的折射率梯度分布；将钛酸钡晶体的通光面上的入射位置调至电场呈梯度分布的中线处，改变电场值，实现光束沿着中线的垂直偏转；将入射位置沿着电场呈梯度分布处的z轴方向移动，实现光束二维面内特定位置的偏转现象。本方法采用的技术手段具有体积小、成本低、操作简单和响应快的优点，具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN104131333B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410395008.2
申请日：2014-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: K0.5Na0.5NbO3单晶的制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的铌酸钾钠单晶尺寸较小、内应力大的技术问题。本方法如下：将K2CO3粉末、Na2CO3粉末和Nb2O5粉末混合放入坩埚内加热，再在生长炉中生长，采用顶部籽晶助熔剂法，在籽晶杆转速为10～25r/min的条件下旋转到单晶放肩至8mm～12mm，然后在提拉速度为2～2.5mm/h的条件下将单晶提拉至12mm～25mm，再将单晶提出，降至室温，即得。本发明的铌酸钾钠的单晶尺寸可为11mm×11mm×15mm。实现了缺陷少，漏电流小、压电常数大的铌酸钾钠单晶的制备。本发明属于单晶的制备领域。
-
公开(公告)号：CN104131333A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410395008.2
申请日：2014-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: K0.5Na0.5NbO3单晶的制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的铌酸钾钠单晶尺寸较小、内应力大的技术问题。本方法如下：将K2CO3粉末、Na2CO3粉末和Nb2O5粉末混合放入坩埚内加热，再在生长炉中生长，采用顶部籽晶助熔剂法，在籽晶杆转速为10～25r/min的条件下旋转到单晶放肩至8mm～12mm，然后在提拉速度为2～2.5mm/h的条件下将单晶提拉至12mm～25mm，再将单晶提出，降至室温，即得。本发明的铌酸钾钠的单晶尺寸可为11mm×11mm×15mm。实现了缺陷少，漏电流小、压电常数大的铌酸钾钠单晶的制备。本发明属于单晶的制备领域。
-
公开(公告)号：CN101372361B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810137234.5
申请日：2008-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G35/00
Abstract: 立方相钽铌酸钾钠晶体及其制备方法，它涉及钽铌酸钾钠晶体及其制备方法。它解决了现有钽铌酸钾晶体产品容易开裂，顺电(立方)相钽铌酸钾晶体光学质量低，烧结温度高，耗时长，成品率低及成本高的问题。本发明立方相钽铌酸钾钠晶体的化学式为K1-yNayTa1-xNbxO3或M:K1-yNayTa1-xNbxO3。方法：一、称取原材料；二、制备钽铌酸钾钠多晶体；三、降温后引晶；四、采用顶端籽晶助溶剂法，即得。本发明是首次采用顶端籽晶助溶剂法实现了立方相钽铌酸钾钠晶体的制备。本发明得到的产品不开裂、无条纹长出、光学质量高且晶体的组分均匀，晶体的光学和机械性能好。本发明工艺简单，耗时短，烧结温度低且成本低廉。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101943805A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010264383.5
申请日：2010-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 电控二次电光效应布拉格衍射分束器的制作方法及利用此分束器的分束方法，涉及非线光学中的二次电光效应与光学分束技术领域。解决了现有的光学分束技术均不能通过改变外界条件而控制分束情况的问题。制作方法一：具体为：陆续利用具有相干性的两束光束在不同夹角时通过光折变效应在二次电光效应材料内记录体全息图，记录过程中保持一束光束方向与位置不变。另一种制作方法，具体为：m束具有相干性的光束彼此成一定夹角入射至二次电光效应材料的中心位置，利用光折变效应记录下体全息图。分束方法：在分束器的两端外加电压V，通过电压控制分束与否，使得入射光束经过分束器后可被分成多束光。本发明适用于分束情况需要改变和控制的分束领域。
-
公开(公告)号：CN101799593A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010154243.2
申请日：2010-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/03
Abstract: 高速电控全息晶体衍射分束器及其制备方法和基于该分束器实现的分束方法，涉及一种分束器及其制备方法和分束方法，解决了现有技术中存在的不能实时控制分束开关、只能将光束分为两束以及分束响应速度慢的问题。本发明的分束器由顺电相电控全息晶体构成，晶体内刻有Raman-Nath光栅。分束器的制备过程为：在晶体两端加直流电场，令两束相干光入射到该晶体内相交干涉，在晶体内形成一个稳定的Raman-Nath光栅。利用该分束器实现的分束方法，其过程如下：将分束器置于光路中，使待分束光束通过分束器，当需要分束时，在分束器两端加直流或交流电场，即可实现分束。本发明可用于光学互联、图像处理、光计算等领域中，可实现高速电控分束。
-
公开(公告)号：CN118883636A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410943644.8
申请日：2024-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种正交相铁电单晶的朗道自由能参数构建方法、电子设备及存储介质，属于铁电单晶分析技术领域。为快速拟合朗道自由能参数，本发明包括测量全温域介电常数随温度的变化关系，确定材料的四方相‑立方相的相变点温度TC、正交相‑四方相的相变点温度TO‑T、三方相‑正交相的相变点温度TR‑O，在材料相变点温度下进行电滞回线测试，得到相变点下的材料的自发极化取值，在材料相变点温度下进行不同晶相下的介电常数测试，基于得到的相变点下的材料的自发极化取值、得到的相变点下的不同晶相下的介电常数，计算正交相铁电单晶的朗道自由能参数。本发明拟合速度快。
-
公开(公告)号：CN117488404A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311428918.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法，属于铁电材料加工技术领域。为实现钽铌酸钾晶体稳定长时存在带电畴壁，本发明热台分别连接紫外光照系统、液氮循环系统、极化电源；热台包括台体，台体内部安装有加热盘，台体的前侧面设置有电压接口、温度测量接口，台体的后侧面设置有液氮循环接口、加热接口，台体的左侧面和右侧面设置有水循环降温管路接口；电压接口通过数据线连接探针台，探针台安装有探针，探针台通过磁吸环固定在加热盘上；温度测量接口通过温控数据线连接热电偶，热电偶的正上方位置的台体上表面设置有通光孔；液氮循环接口连接液氮循环管路；加热接口连接供电线；水循环降温管路接口连接水冷循环管路。
-
公开(公告)号：CN117468096A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311456780.6
申请日：2023-11-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B33/00
Abstract: 本发明公开了一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置，属于离子掺杂铁电晶体极化技术领域，包括激光光源、光强调节件、扩束准直器、温度控制单元以及极化电源；极化电源加载在离子掺杂铁电晶体上，离子掺杂铁电晶体设置在温度控制单元内，离子掺杂铁电晶体与扩束准直器相对设置，扩束准直器与光强调节件相对设置，光强调节件与激光光源相对设置，同时公开了基于上述装置的极化方法。采用上述结构的一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法，使得极化后的离子掺杂铁电晶体更加稳定。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
106
records
(took 0.052 seconds)
