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公开(公告)号:CN101788474B
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN201010108450.4
申请日:2010-02-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/47
Abstract: 定量测试光折变材料的光致光散射曝光能量密度阈值的方法,涉及光折变材料的参数测试领域,解决了尚无可行方案对光折变材料的光致光散射曝光能量密度阈值进行定量测试的问题。该方法的过程为:偏振入射光经衰减后垂直入射至光折变晶体表面,入射光偏振方向平行于光折变晶体c轴,利用功率计接收透射光;保持入射光光功率密度不变,每隔固定时间记录功率计接收的光功率,然后获得透射光光功率密度随时间的变化曲线,进而获得散射光光功率密度随时间的变化曲线及散射比的平方根随时间的变化曲线;利用对散射比的平方根随时间的变化曲线进行拟合,获得散射时间常数τ,再根据公式S=τ×Iin计算并获得所述曝光能量密度阈值。本发明可用于光信息体全息存储领域。
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公开(公告)号:CN105926040B
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201610473008.9
申请日:2016-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法,涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法。本发明为了解决现有技术制备的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体生长质量差、生长条纹多和残余应力大的问题。制备方法:一、制备钙钛矿晶体的前体材料;二、制备目标籽晶;三、进行晶体静置生长;四、继续进行晶体静置生长;五、重复步骤四至得到目标尺寸的晶体。本发明制备方法可以提高有机‑无机杂化钙钛矿晶体的生长质量,减少生长条纹和残余应力;用于复合半导体微电子开关、发光器件以及光伏器件等光电功能器件的研制中。本发明适用于有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备。
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公开(公告)号:CN111880350A
公开(公告)日:2020-11-03
申请号:CN202010537740.4
申请日:2020-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明的一种基于钛酸钡晶体的电控光束偏转的调制方法,属于偏转器件的设计与制备研究领域。所述调制方法包括以下步骤:启动激光器,调节光路,使光束通过半波片和傅里叶透镜到达钛酸钡晶体处;对金属电极施加高压直流电源,将电源调制到合适范围,钛酸钡晶体未有电极部分处呈现梯度电场分布,根据电光效应产生不同位置具有不同的折射率梯度分布;将钛酸钡晶体的通光面上的入射位置调至电场呈梯度分布的中线处,改变电场值,实现光束沿着中线的垂直偏转;将入射位置沿着电场呈梯度分布处的z轴方向移动,实现光束二维面内特定位置的偏转现象。本方法采用的技术手段具有体积小、成本低、操作简单和响应快的优点,具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN101788474A
公开(公告)日:2010-07-28
申请号:CN201010108450.4
申请日:2010-02-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/47
Abstract: 定量测试光折变材料的光致光散射曝光能量密度阈值的方法,涉及光折变材料的参数测试领域,解决了尚无可行方案对光折变材料的光致光散射曝光能量密度阈值进行定量测试的问题。该方法的过程为:偏振入射光经衰减后垂直入射至光折变晶体表面,入射光偏振方向平行于光折变晶体c轴,利用功率计接收透射光;保持入射光光功率密度不变,每隔固定时间记录功率计接收的光功率,然后获得透射光光功率密度随时间的变化曲线,进而获得散射光光功率密度随时间的变化曲线及散射比的平方根随时间的变化曲线;利用对散射比的平方根随时间的变化曲线进行拟合,获得散射时间常数τ,再根据公式S=τ×Iin计算并获得所述曝光能量密度阈值。本发明可用于光信息体全息存储领域。
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公开(公告)号:CN105926040A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201610473008.9
申请日:2016-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法,涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法。本发明为了解决现有技术制备的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体生长质量差、生长条纹多和残余应力大的问题。制备方法:一、制备钙钛矿晶体的前体材料;二、制备目标籽晶;三、进行晶体静置生长;四、继续进行晶体静置生长;五、重复步骤四至得到目标尺寸的晶体。本发明制备方法可以提高有机‑无机杂化钙钛矿晶体的生长质量,减少生长条纹和残余应力;用于复合半导体微电子开关、发光器件以及光伏器件等光电功能器件的研制中。本发明适用于有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备。
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公开(公告)号:CN103869463A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201410143293.9
申请日:2014-04-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 电控全息可变焦透镜的变焦方法及焦点位置的获得方法,属于可变焦透镜技术领域。本发明为了解决现有可变焦透镜的制作工艺要求高,电场分布调节复杂的问题。它通过全息的方法将顺电相电控全息晶体制作成全息可变焦透镜,通过改变外加电场来控制可变焦透镜的焦距变化,利用电控全息晶体的二次电光性质以及电控衍射性能,克服了现有变焦透镜变焦工艺复杂以及响应速度慢的缺陷;其焦点位置的获得方法能够得到变焦透镜的变焦条件及规律。本发明用于电控全息可变焦透镜的变焦及焦点位置的获取。
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