公开(公告)号：CN117790289A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311851710.0

申请日：2023-12-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  焦金龙 ,  纪若昀 ,  李成 ,  黄巍 ,  林光杨

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/683

Abstract: 一种提高Si/InGaAs键合界面热稳定性的键合方法。采用MOCVD在Si衬底上外延单晶In1‑xGaxAs缓冲层，通过低温键合获得Si基InGaAs薄膜，最后通过高温退火修复薄膜晶体质量及键合界面，实现具有高质量及超高热稳定性的Si基InGaAs薄膜制备。通过在Si衬底上外延生长In1‑xGaxAs作为键合中间层，将键合界面由InGaAs、Si异质界面转变为InGaAs、In1‑xGaxAs界面，缓解异质键合界面在高温下由于异质材料之间的热失配产生的巨大应力，因此键合界面的稳定性得到提升。制备的Si基InGaAs薄膜在高温下的稳定性较高，外延缓冲层有效的缓解异质材料之间热失配产生的应力。

公开(公告)号：CN116779720A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310742575.X

申请日：2023-06-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  黄东林 ,  纪若昀 ,  姚荔强 ,  焦金龙 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50

Abstract: 一种远程氧等离子体钝化Ge表面的方法，首先通过等离子体增强原子层沉积系统中的远程氧等离子体对Ge表面进行处理，以形成稳定的GeO2薄层，降低Ge与SiO2直接接触时的高界面态密度，之后原位生长Al2O3薄层作为保护层防止GeO2潮解，最后沉积SiO2钝化层，实现Ge表面的有效钝化。

公开(公告)号：CN111785953A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010649746.0

申请日：2020-07-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  张子启 ,  韩响 ,  罗林山 ,  苏鹏飞 ,  李成

IPC: H01M4/38 ,  H01M10/0525 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种锂离子电池硅负极材料的改性方法，涉及新能源材料设计开发。以p型硅(100)片作为衬底，采用电化学微加工工艺进行电化学腐蚀，首先将衬底表面腐蚀为圆形孔，并逐渐增大，最后挤压成方形，腐蚀液和孔壁的界面处形成耗尽层；在电场的作用下，空穴载流子从衬底沿纵向孔壁迁移到孔壁与腐蚀液界面参与反应，反应过程中孔壁逐渐变薄；当相邻两个孔之间的壁厚接近耗尽层厚度时电化学反应自动停止，得到硅纳米带，硅纳米带的表面晶向为(110)，硅纳米带嵌锂后只沿着 晶向膨胀，硅纳米带脱锂后具有重结晶的特殊行为，具有高离子导，高稳定界面SEI，高稳定材料结构，能在保持硅负极电池高比容量条件下实现高功率、长寿命循环。

公开(公告)号：CN108731993A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810347004.5

申请日：2018-04-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  吴金庸 ,  李成 ,  黄巍

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N1/34

Abstract: 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法，涉及透射电子显微镜。采用AB胶将两Si衬片粘附于键合样品背面作为分担研磨作用力的衬片，并采用AB胶将Si衬片粘附于键合截面的两端，对键合截面的两端进行固定使得研磨过程中剪切力和压力无法将键合界面撕裂，从而获得可用于离子减薄的截面样品。利用截面边缘束缚法将弱键合强度的截面采用Si衬片固定住，不仅可以避免在研磨过程中键合界面发生断裂，而且采用金刚石粉和砂纸联合对样品进行减薄抛光，能有效且快速的将样品截面减薄至小于30μm，这是一种简易、快速、低成本且成功率高的TEM截面制样新方法。

公开(公告)号：CN108573878A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810346961.6

申请日：2018-04-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  吴金庸 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/50

Abstract: 无氧化层半导体低温键合方法，涉及半导体键合工艺。采用过渡层技术，在Si、Ge和SiO2半导体键合界面引入一层较薄的Ge层，利用Ge材料的低温晶化特性与晶化原子迁移特性实现无氧化层Si片键合、Ge/Si键合以及GOI键合。利用磁控溅射Ge层的低温晶化特性实现无界面氧化层的半导体键合界面，在清洗后的晶片表面生长一层半导体Ge过渡层，利用Ge的低温晶化特性，通过低温退火实现Ge过渡层的晶化，从而驱动原子在键合界面迁移，最终解离氧化层。该方法不仅可以解决直接亲水键合过程中在界面引入亲水氧化层的问题，而且能在300～400℃的低温下实现半导体键合界面过渡层的晶化，从而实现原子键键合。

公开(公告)号：CN105679661A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610010259.3

申请日：2016-01-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  许怡红 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194

Abstract: 一种减小氧化铪栅介质漏电流的方法，涉及氧化铪。1)首先对p-Si(100)衬底进行RCA标准清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；2)将p-Si(100)衬底放入电子束真空镀膜系统中，沉积一层HfO2薄膜，得到HfO2/Si结构；3)将步骤2)得到的样品放入感应耦合等离子体刻蚀机中，采用氧等离子体对其进行处理；4)将步骤3)处理后的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属作为上电极，在样品Si衬底的背面溅射金属作为背电极，即得MOS结构器件。既能降低热预算又可降低栅漏电流，即在沉积的HfO2材料上采用氧等离子体对其进行再氧化处理，从而达到减小氧空位密度，降低栅漏电流作用。

公开(公告)号：CN105529257A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610053917.7

申请日：2016-01-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  池晓伟 ,  陈松岩 ,  黄巍

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法，涉及堆叠栅介质。对Ge衬底进行清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；将清洗后的Ge衬底放入原子层沉积系统中，沉积一层Al2O3薄膜，实现对Ge衬底的表面钝化，获得Al2O3/Ge结构；将Al2O3/Ge结构样品进行湿法退火处理，实现Al2O3/Ge界面态的优化；在处理后的样品上生长HfO2高K介质；将获得的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属层作为上电极，在样品Ge衬底的背面溅射金属层作为背电极，即得MOS结构器件，实现优化堆叠栅介质与锗界面。可优化高K介质/Ge界面态，并能维持钝化层的热稳定性，可减小工艺流程和时间成本。

公开(公告)号：CN103413788A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310383471.0

申请日：2013-08-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  亓东锋 ,  刘翰辉 ,  李成

IPC: H01L21/8247 ,  B82Y10/00

Abstract: 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法，涉及一种金属纳米晶存储器。1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状的结构；2）将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后，采用干法氧化方法，在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层；3）将步骤2）得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒；4）采用电子束蒸发工艺在步骤3）获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层，最后蒸镀上电极和下电极，获得非平面金属纳米晶多位存储器件。只需要一步刻蚀技术、过程简单、重复性好。

公开(公告)号：CN100595934C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200810070524.2

申请日：2008-01-23

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张永 ,  李成 ,  陈松岩 ,  赖虹凯 ,  康俊勇

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0256

Abstract: 基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ge组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底，在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，集电区为Si1-yGey层，吸收区为Si1-zGez(y＜z≤1)层或Si1-zGez/Si1-yGey(y＜z≤1)多周期量子阱，基区为压应变的Si1-xGex层(y＜x≤1)，发射区为Si1-yGey层；在集电区、基区和发射区上设电极。

公开(公告)号：CN101503465A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910111198.X

申请日：2009-03-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王大志 ,  李成 ,  陈荔 ,  洪华生

IPC: C07K14/405

CPC classification number: Y02P20/582

Abstract: 甲藻细胞壁蛋白的分离提取方法，涉及一种细胞壁蛋白质的提取方法。提供一种在提取过程中不仅能避免胞内蛋白或其它物质的污染，而且能够同时解决壁蛋白的丢失问题，能够快速、高效、完整地得到细胞壁蛋白的甲藻细胞壁蛋白的分离提取方法。用混合化学试剂提取第一部分细胞壁蛋白；用热震方法获得分离得到纯细胞壁；在裂解液中提取第二部分细胞壁蛋白；将第一部分细胞壁蛋白和第二部分细胞壁蛋白相加，得全部细胞壁蛋白。可以使细胞保持相对完整的情况下提取壁蛋白，没有胞内蛋白污染，也几乎没有丢失蛋白；时间短，从开始提取至得到全部壁蛋白只需2h。