-
公开(公告)号:CN103413787A
公开(公告)日:2013-11-27
申请号:CN201310383280.4
申请日:2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247
Abstract: 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法,涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列,形成非平面台阶状结构;将刻蚀后的Si片标准清洗后,采用干法氧化方法,在凹槽阵列的Si衬底上氧化一层致密的SiO2作为存储器的电子隧穿层;在台阶状的表面覆盖有SiO2薄层的样品上溅射Au层,采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au量子点;以Au量子点为掩膜版,采用高能Ar离子刻蚀方法刻蚀得到Au/SiO2/Si纳米柱结构;采用电子束蒸发工艺在Au/SiO2/Si纳米柱结构的基础上沉积高k介质层,最后蒸镀金属上电极和下电极,获得台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件。
-
公开(公告)号:CN103413787B
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201310383280.4
申请日:2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247
Abstract: 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法,涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列,形成非平面台阶状结构;将刻蚀后的Si片标准清洗后,采用干法氧化方法,在凹槽阵列的Si衬底上氧化一层致密的SiO2作为存储器的电子隧穿层;在台阶状的表面覆盖有SiO2薄层的样品上溅射Au层,采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au量子点;以Au量子点为掩膜版,采用高能Ar离子刻蚀方法刻蚀得到Au/SiO2/Si纳米柱结构;采用电子束蒸发工艺在Au/SiO2/Si纳米柱结构的基础上沉积高k介质层,最后蒸镀金属上电极和下电极,获得台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件。
-
公开(公告)号:CN103413788A
公开(公告)日:2013-11-27
申请号:CN201310383471.0
申请日:2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法,涉及一种金属纳米晶存储器。1)通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列,形成非平面台阶状的结构;2)将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后,采用干法氧化方法,在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层;3)将步骤2)得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层,采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒;4)采用电子束蒸发工艺在步骤3)获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层,最后蒸镀上电极和下电极,获得非平面金属纳米晶多位存储器件。只需要一步刻蚀技术、过程简单、重复性好。
-
公开(公告)号:CN104867814B
公开(公告)日:2017-09-22
申请号:CN201510200903.9
申请日:2015-04-24
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法,涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入,形成缺陷平面;用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定;在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力,将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“撕开”,得柔性Ge薄膜;再进行抛光,得锗薄膜,然后与SiO2/Si晶片清洗,将清洗后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片,利用等离子体与晶片表面进行撞击,同时对表面进行活化处理;将处理后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片贴合;用滚压法将界面的空气充分地排出;处理后将样品预键合,随后将柔性衬底与GOI结构剥离,退火,以增强键合表面能,提高键合强度。
-
公开(公告)号:CN103413788B
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201310383471.0
申请日:2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法,涉及一种金属纳米晶存储器。1)通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列,形成非平面台阶状的结构;2)将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后,采用干法氧化方法,在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层;3)将步骤2)得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层,采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒;4)采用电子束蒸发工艺在步骤3)获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层,最后蒸镀上电极和下电极,获得非平面金属纳米晶多位存储器件。只需要一步刻蚀技术、过程简单、重复性好。
-
公开(公告)号:CN104867814A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201510200903.9
申请日:2015-04-24
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/0257 , H01L21/02656 , H01L21/02661
Abstract: Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法,涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入,形成缺陷平面;用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定;在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力,将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“撕开”,得柔性Ge薄膜;再进行抛光,得锗薄膜,然后与SiO2/Si晶片清洗,将清洗后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片,利用等离子体与晶片表面进行撞击,同时对表面进行活化处理;将处理后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片贴合;用滚压法将界面的空气充分地排出;处理后将样品预键合,随后将柔性衬底与GOI结构剥离,退火,以增强键合表面能,提高键合强度。
-
公开(公告)号:CN103132077A
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201310074218.7
申请日:2013-03-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法,涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。1)将硅片清洗后,在UHV/CVD系统中,在硅片上生长Ge层;2)将步骤1)制备得到的样品置于氮气氛围中,采用KrF脉冲激光对样品进行辐照,得到直径不同的单层SiGe量子点;3)以步骤2)得到的单层SiGe量子点作为掩膜版,使用高能Ar+进行刻蚀,最终获得锗硅纳米柱。制作过程简单、重复性好。可对传统相关产业产生示范作用。
-
-
-
-
-
-