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公开(公告)号：CN117238990A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311185038.6
申请日：2023-09-14
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种4H‑SiC极紫外探测与雪崩光电探测器，其本征层包括从下到上依次相接的光吸收层、电荷控制层和光生载流子漂移层，4H‑SiC极紫外探测与雪崩光电探测器台面自上而下的刻蚀深度至少至电荷控制层，但不超过电荷控制层。本发明通过小面积载流子漂移区与大面积光子吸收区相结合的方式，在保证4H‑SiC极紫外探测与雪崩光电探测器光电探测能力的同时，有效降低了器件的电容，并减小了的雪崩光电探测器的雪崩区域，增强了其雪崩击穿均匀性，有效提升了器件的综合性能。
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公开(公告)号：CN113054969B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110255008.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 南京大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓三极管栅极驱动电路及其控制方法，栅极驱动电路包括驱动电路和输出电路；驱动电路包含电源模块、变换器模块、半桥模块和调压模块；电源模块、变换器模块、半桥模块和调压模块串联；半桥模块、调压模块和输出电路构成正栅压控制电路和负栅压控制电路。本发明将栅极电压信号范围扩宽为‑20V到20V，满足了增强型和耗尽型氮化镓三极管的驱动需求，同时正栅压控制电路和负栅压控制电路互不干扰，确保了安全高可靠操作，并且仅需单电源V1供电，电路设计简单。
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公开(公告)号：CN116626920B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310899405.2
申请日：2023-07-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及偏振调制器技术领域，具体涉及一种与发光二极管集成的超表面偏振调制器。底部集成有发光二极管外延片，偏振调制器由超表面结构组成，超表面结构由单元晶胞周期性排列而成，单元晶胞包括第一金属微纳结构层、第二金属微纳结构层和电介质隔离层，每个单元晶胞的第一金属微纳结构层均包括沿单元晶胞长度方向排列的一段或多段第一矩形金属块，第二金属微纳结构层均包括沿特定方向排列的多段第二矩形金属块，第一矩形金属块与沿特定方向排列的第二矩形金属块之间具有相对夹角。其具有较好的透过率和消光比，且具有更高的偏振转换度和较低的能量损耗。
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公开(公告)号：CN116093143A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211239583.4
申请日：2022-10-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种集成MISFET栅控功能和场板功能的氮化镓肖特基二极管，包括依次相接的衬底层、氮化镓层和势垒层；氮化镓层和势垒层部分区域被移除形成凹槽区域，凹槽区域内设有呈局域分布的绝缘层和欧姆金属层；凹槽区域外势垒层上方设有绝缘层和欧姆金属层；凹槽区域内绝缘层和欧姆金属层上方设有肖特基金属层；凹槽区域外绝缘层上方设有肖特基金属层，肖特基金属层、势垒层以及欧姆金属层上方设有钝化层；凹槽区域内，肖特基金属层、绝缘层以及氮化镓层形成金属‑绝缘层‑半导体场效应晶体管MISFET栅控结构；凹槽区域外，绝缘层与肖特基金属层形成场板结构。本发明降低了器件的开启电压，提升了其击穿电压和减小了漏电流，提升了器件电学性能。
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公开(公告)号：CN115312616A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211094096.3
申请日：2022-09-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/20 , H01L31/105 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种全平面离子注入倾斜高阻终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为离子注入倾斜高阻终端。本发明终端通过高温光刻胶回流与离子注入工艺形成一种倾斜高阻终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面钝化层/SiC界面缺陷态多、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114717657A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210272003.5
申请日：2022-03-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法。首先对氧化物衬底进行预处理；再使用氧气等离子体辅助的激光分子束外延，常温下在氧化物衬底上异质外延氧化镍，获得单晶氧化镍。本发明结合衬底预处理和氧气等离子体辅助沉积，通过激光分子束外延，对生长条件进行了优化，在常温下获得了NiO单晶，提高了晶体质量，降低了表面粗糙度，使得器件性能的提升更为可观。得益于对衬底的有效预处理，衬底表面形成了宏观台阶流结构，从而有利于NiO单晶的形成；此外，氧气等离子体的辅助，活化了氧原子，在常温下异质外延单晶NiO。这种天然的p型材料在氧化镓衬底上的高质量异质外延，拓宽了氧化镓基高功率器件的实现途径。
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公开(公告)号：CN113054969A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110255008.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 南京大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓三极管栅极驱动电路及其控制方法，栅极驱动电路包括驱动电路和输出电路；驱动电路包含电源模块、变换器模块、半桥模块和调压模块；电源模块、变换器模块、半桥模块和调压模块串联；半桥模块、调压模块和输出电路构成正栅压控制电路和负栅压控制电路。本发明将栅极电压信号范围扩宽为‑20V到20V，满足了增强型和耗尽型氮化镓三极管的驱动需求，同时正栅压控制电路和负栅压控制电路互不干扰，确保了安全高可靠操作，并且仅需单电源V1供电，电路设计简单。
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公开(公告)号：CN113009310A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110255859.7
申请日：2021-03-09
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率器件电学参数测量电路及测量方法，测量电路包括：信号控制电路和参数测量电路；信号控制电路包含直流DC电源、储能电容C1、变压器原边线圈T1和控制三极管Q2；参数测量电路包含变压器副边线圈T2、保护二极管D2、开关S1、开关S2、待测三极管Q1和待测二极管D1；信号控制电路和参数测量电路通过变压器T完成信号传递。上述利用开关使变压器原边产生脉冲导通电流，该电流信号流过变压器初级线圈时，变压器磁芯中产生的交流磁通促使次级线圈中感应出脉冲电压和脉冲电流，感应的脉冲电流信号会流经串联在次级线圈中的待测功率器件，因而可得到待测功率器件的I‑V电学特性；操作灵活，成本低；扩大了测试范围，提升了测试效率。
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公开(公告)号：CN110274889B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201810213972.7
申请日：2018-03-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体共振天线的多通道太赫兹光谱探测单元。该探测单元包括表面等离子体共振天线和晶体管；表面等离子体共振天线由两个对称设置的天线单元构成，天线单元包括半圆形的头部和矩形的杆部，杆部与头部在半圆形的圆心处垂直连接；晶体管设置在两个天线单元的杆部之间且垂直于天线单元所在的平面；晶体管的栅极与共振天线位于同一金属层。由上述探测单元构成的多通道太赫兹光谱探测芯片，不仅能实现对多波长太赫兹信号进行探测，同时实现了太赫兹波段的单频分光，能大幅度提高光谱探测效率，具有体积小、重量轻、高精度、高频响，高可靠、长寿命、低功耗、低成本等突出优势，有利于实现光谱探测系统的微型化与小型化。
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公开(公告)号：CN112230115A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011088858.X
申请日：2020-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种集成氮化镓二极管和三极管的雪崩测试电路及其控制方法，雪崩测试电路包括电源保护电路、测试电路和控制电路；电源保护电路与测试电路串联；电源保护电路包含直流DC电源、稳压电容C1、滤波电容C2、保护三极管Q3和保护二极管D3；测试电路包含待测二极管D1、待测三极管Q1、旁路三极管Q2、保护二极管D2和负载电感L1,负载电感L1存储的雪崩能量有两条泄放支路，保护二极管D2与两条泄放支路分别构成泄放回路；控制电路分别连接待测三极管Q1、旁路三极管Q2和保护三极管Q3的栅极。本发明实现了在固定电路中对氮化镓二极管和三极管的雪崩参数进行测量，提升了测试效率，降低了测试成本，并且利用泄放回路消除了雪崩能量对电路的冲击，保护了电源设备。
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