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公开(公告)号：CN107863938B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201711233164.9
申请日：2017-11-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明公开了一种无源下的变频混频器，其特征在于，包括依次连接的输入跨导模块、开关混频模块和互阻放大器输出模块，所述的输入跨导模块连接一射频信号源，所述的输入跨导模块用于将射频信号转化为射频电流；所述的开关混频模块，用于将射频电流下变频转换为中频电流。所述的互阻放大器输出模块，用于将中频电流在负载电阻上得到中频输出电压。发明的一种无源下的变频混频器具有功耗低、转换增益高、端口隔离度好的特点。
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公开(公告)号：CN108461516A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810301462.5
申请日：2018-04-04
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成三端电压调控发光器件，属于半导体器件技术领域，包括衬底，还包括：垂直结构的发光二级管和垂直场效应晶体管；所述的发光二级管设有正电极，所述的垂直场效应晶体管设有源电极和栅电极；所述的发光二级管和垂直场效应晶体管在所述衬底的上方并列设置且发光二级管和垂直场效应晶体管之间设有隔断部；所述的发光二极管与垂直场效应晶体管具有提供两者之间电学连接的共同的n型半导体导电层。本发明的一种单片集成三端电压调控发光器件具有体积小、控制精确、兼容性好的特点。本发明还公开了一种单片集成三端电压调控发光器件的制备方法，具有制备过程简单可靠的特点。
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公开(公告)号：CN108133113A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201810023021.3
申请日：2018-01-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018 , G06F17/5063 , G06F2217/80 , G06F2217/86
Abstract: 本发明公开了一种基于电热联合建模仿真的功率放大芯片设计优化方法，该方法包括以下处理步骤，步骤1：设计功率放大芯片并进行仿真获得该芯片的电气参数；步骤2：根据电路布局获得该芯片的版图及版图的面积参数；步骤3：获得热模型，并且计算获得热流参数；步骤4：进行网格划分，从而获得该芯片内部不同位置的实际温度；步骤5：通过该芯片内部不同位置的实际温度对该芯片的电路及版图进行优化从而降低该芯片的电气误差和芯片内部的实际温度；步骤6：将优化后的芯片重复进行步骤1-步骤5的处理直到芯片达到指定的电气指标并且工作温度在可靠范围内，则优化结束。本发明通过对功率放大芯片的电路和版图进行优化，可以提高热分析的准确性，降低功率放大芯片的误差，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN107991523A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711233375.2
申请日：2017-11-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R19/0084
Abstract: 本发明公开了一种三态输入检测电路，其中，包括依次连接的分压电路和检测电路，所述的分压电路连接一输入信号Vin，用于将输入信号进行分压；所述的检测电路，用于检查输入信号的输入状态。本发明的一种三态输入检测电路具有检测准确性高的特点。本发明还公开了该检测电路的检测方法。
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公开(公告)号：CN119766232A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411576322.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 华南理工大学 , 广州润芯信息技术有限公司
Abstract: 本发明公开一种引脚输入复用的多功能锁相环，涉及锁相环芯片技术，针对现有技术中引脚有限等问题提出本方案。包括一多功能输入模块：多功能输入引脚分别连接缓冲器输入端、第一开关第一连接端以及第二开关第一连接端；第一开关第二连接端选通连接VDD或VSS；第二开关第二连接端接入环路滤波器输入端；缓冲器输出端经过一除二分频器后分别连接环路滤波器输入端、经过第三开关连接环路滤波器输出端以及经过第四开关连接压控振荡器输出端。其优点在于，利用所述多功能输入引脚可以实现若干功能，达到一脚复用的效果，进而降低了锁相环芯片的复杂程度，提高了锁相环芯片的设计效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118432540B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410537346.9
申请日：2024-04-30
Applicant: 广州润芯信息技术有限公司 , 华南理工大学
IPC: H03B5/12
Abstract: 本发明公开了一种开关电容电路的控制方法、装置、设备及介质，所述开关电容电路的控制方法应用于开关电容电路，所述开关电容电路包括升压降压产生电路、数控电路和单位开关电容电路；所述升压降压产生电路连接所述数控电路；所述数控电路连接所述单位开关电容电路；所述开关电容电路的控制方法包括：判断所述单位开关电容电路是否接入振荡器电路；当确定所述单位开关电容电路没有接入振荡器电路时，通过控制所述升压降压产生电路，将所述单位开关电容电路的品质因数增加到预设值；本发明在开关电容未接入振荡器时，提高了开关电容电路在未接入振荡器电路时的品质因数，进一步降低压控振荡器的相位噪声。
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公开(公告)号：CN117938153B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410145638.8
申请日：2024-02-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03L7/095 , H03L7/089 , H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了一种锁相环温度检测以及改善振幅和相噪的方法，涉及锁相环的辅助技术，针对现有技术中调谐电压因为温度变化而脱离正常区间的问题提出本方案。在调谐电压稳定时，根据调谐电压与调谐区间的关系限调整VCO中交叉耦合对的有效宽长比。优点在于，可以根据调谐电压变化检测温度变化的情况，并且根据温度变化幅度分档次改变接入VCO交叉耦合对的有效宽长比以进行振幅和相噪的改善。
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公开(公告)号：CN117873258B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410268539.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 华南理工大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种无片外电容式的LDO及其自适应衬底驱动电路，涉及涉及调节电变量或磁变量的系统，针对现有技术中PSRR提升不佳的问题提出本方案。LDO前置一P缓冲级，所述P缓冲级用于在反馈控制回路中对功率管的控制输入进行缓冲以及令功率管的控制输入与电源纹波之间形成前馈通路。所述自适应衬底驱动电路应用于所述LDO，采样LDO的输出电压和电源纹波后以自适应增益注入到LDO的功率管衬底端；用于跟随LDO的电路状态以自适应前馈进行纹波抵消，实现前馈增益的自适应调节。优点在于，通过加入前馈通路将gm影响降至最低，达到提升PSRR的效果。另一方面考虑功率管中gds的影响，采样后以自适应增益注入到功率管的衬底端，具备自适应调节功能。
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公开(公告)号：CN117873258A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410268539.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 华南理工大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种无片外电容式的LDO及其自适应衬底驱动电路，涉及涉及调节电变量或磁变量的系统，针对现有技术中PSRR提升不佳的问题提出本方案。LDO前置一P缓冲级，所述P缓冲级用于在反馈控制回路中对功率管的控制输入进行缓冲以及令功率管的控制输入与电源纹波之间形成前馈通路。所述自适应衬底驱动电路应用于所述LDO，采样LDO的输出电压和电源纹波后以自适应增益注入到LDO的功率管衬底端；用于跟随LDO的电路状态以自适应前馈进行纹波抵消，实现前馈增益的自适应调节。优点在于，通过加入前馈通路将gm影响降至最低，达到提升PSRR的效果。另一方面考虑功率管中gds的影响，采样后以自适应增益注入到功率管的衬底端，具备自适应调节功能。
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