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公开(公告)号：CN107524563A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710716384.0
申请日：2017-08-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: F03D7/00
CPC classification number: Y02E10/723 , F03D7/00 , F05B2260/84 , F05B2270/101 , F05B2270/1033 , F05B2270/304 , F05B2270/32 , F05B2270/335 , F05B2270/70
Abstract: 本发明提供一种基于滑模极值搜索的控制方法，应用于控制风力发电系统实现最大功率跟踪，包括，当前状态检测步骤，检测风机的当前功率和当前转速；参数匹配步骤，根据当前功率和当前转速，从预先构建的参数表中匹配出一个增益参数值；最大功率跟踪步骤，将增益参数值输入控制器中，根据预先确定的滑模极值搜索范围，并根据预先构建的目标函数，采用预先构建的优化函数对增益参数进行优化，以获取最优的增益参数值，实现风力发电系统跟踪到最大功率。本发明提供的控制方法，先从预先构建的参数表中匹配出增益参数值，再采用优化函数对增益参数值进行优化，实现风力发电系统跟踪到最大功率，且能够对风力发电系统进行实时控制，响应速度快。
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公开(公告)号：CN101740645A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910214225.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种β-FeSi2薄膜太阳能电池，它依次由非硅衬底(1)、背电极(2)、薄膜硅层(3)、β-FeSi2层(4)、氧化锌层(5)构成。非硅衬底(1)是陶瓷薄片或金属薄片；薄膜硅层(3)是n型或p型掺杂非晶硅；背电极(2)是可导电的材料；β-FeSi2层(4)为p型掺杂或n型掺杂；氧化锌层(5)为n型掺杂，掺杂浓度1×1019cm-3～2×1019cm-3，或者氧化锌层p型掺杂，掺杂浓度1×1017cm-3～2×1017cm-3。本发明采用非硅廉价衬底，降低电池制造成本；采用背场结构，提高开路电压和光电转换效率；氧化锌层起减反射作用，提高短路电流和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN114692068B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210256713.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置，其中方法包括：给定双载波射频电场的数学形式；由双载波射频电场数学形式导出二次电子的第一速度表达式；设定二次电子的发射速度和角度所服从的分布；导出能量获取的通用表达式，获取第一能量获取表达式；根据第一能量获取表达式获取第二能量获取表达式；根据给出电势分布的泊松方程求解出电势分布表达式；结合电势分布表达式和第二速度表达式获取二次电子飞行时间t的函数表达式；根据函数表达式和第二能量获取表达式获取平均碰撞能量表达式。本发明计算了空间电荷效应对单电介质层二次电子倍增的影响程度，弥补了相关研究的空白。本发明可广泛应用于真空电子器件领域。
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公开(公告)号：CN109406012B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201811331536.6
申请日：2018-11-09
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性压电式的三维触觉传感器阵列，其结构包括从上至下依次连接的PDMS半球形凸起层、上电极层、纳米结构压电薄膜层、下电极层、印刷电路板柔性基底层；所述纳米结构压电薄膜层为纳米结构ZnO压电薄膜，且位于呈阵列图案化分布的上下电极层之间，形成多个压电敏感单元；所述三维触觉传感器阵列由M×N个相互分离的传感器单元构成，每个传感器单元含一个PDMS半球形凸起和三个压电敏感电容，PDMS半球形凸起将三维接触力传递至三个压电敏感电容，通过三个压电敏感电容产生电荷的大小以测量外界三维接触力。本发明还公开了该柔性压电式的三维触觉传感器的制备方法。本发明具有三维接触力测量、高灵敏度、高柔韧性、动态响应好的优点。
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公开(公告)号：CN114666966B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210188354.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H05H15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于布洛赫表面波的电子加速系统及方法，其中系统包括：玻璃衬底；光子晶体，淀积于玻璃衬底上，为由两种介电常数不同的的介质材料周期交替构成的多层膜结构；飞秒激光脉冲模块，用于产生飞秒激光脉冲，所述飞秒激光脉冲经过所述玻璃衬底，以预设的入射角射入所述光子晶体的第一表面，并从所述光子晶体的第二表面射出，以在所述第二表面处形成布洛赫表面波作用区域；电子注入装置，用于将电子注入所述布洛赫表面波作用区域，实现对电子进行加速。本发明采用布洛赫表面波对电子进行加速，由于飞秒激光激发的布洛赫表面波具有强的局域增强效应，加速电子可以在该强局域场中获得较高的能量。本发明可广泛应用于电子器件领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113219216A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110440078.5
申请日：2021-04-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓微波晶体管测试夹具及其工作方法，其中夹具包括：PCB板，设有用于安放待测晶体管的切槽，PCB板上还设有微带电路，所述微带电路包括射频主线电路和偏置电路；所述射频主线电路用于为待测晶体管通入射频信号，以及将待测晶体管端的阻抗转换到测试仪器端口的50欧姆；所述偏置电路为所述待测晶体管进行直流偏置，偏置电路上设有防自激电路。本发明通过射频主线电路进行阻抗匹配，根据待测器件自身的阻抗，将50欧姆转换到对应的欧姆，避免阻抗失配，导致晶体管产生自激振荡；另外，在偏置电路上设有防自激电路，抑制晶体管自激振荡，防止对测试仪器造成损伤，可广泛应用于半导体器件测试技术领域。
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公开(公告)号：CN113114064A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110284828.4
申请日：2021-03-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种摩擦纳米发电机及其制备方法。本发明的摩擦纳米发电机的组成包括第一芳纶纤维层、第一银纳米线层、第二芳纶纤维层和第二银纳米线层；所述第一芳纶纤维层与第一银纳米线层贴合；所述第一银纳米线层和第二芳纶纤维层之间设置有间隙；所述第二芳纶纤维层与第二银纳米线层贴合。本发明的摩擦纳米发电机的制备方法包括以下步骤：1)制备芳纶纤维纸；2)制备芳纶纤维‑银纳米线复合纸；3)将2张芳纶纤维‑银纳米线复合纸组装成摩擦纳米发电机。本发明的摩擦纳米发电机具有质量轻、柔韧性好、耐高温性好、耐老化性好、稳定性高等特点，且制造成本低、制备工艺简单，适合进行大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN112992551A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110284493.6
申请日：2021-03-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种自充电超级电容器及其制备方法。本发明的自充电超级电容器的组成包括依次设置的第一柔性基底、第一电极、ZnO压电纳米发电机、第二电极和第二柔性基底，还包括固态电解质；所述第一电极、ZnO压电纳米发电机和第二电极均设置在固态电解质内部；所述第一电极和第二电极均由若干表面生长有NiO纳米片的ZnO纳米棒组成。本发明的自充电超级电容器的器件集成度高、能量传输损耗小、基于ZnO优化后的器件性能优异，制备工艺简单，且柔性基底和无毒无害的ZnO纳米结构非常适合用于可穿戴电子产品。
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公开(公告)号：CN109742144B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910080310.1
申请日：2019-01-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种槽栅增强型MISHEMT器件，包括衬底；位于所述衬底上异质外延生长的SiN成核层；位于所述SiN成核层上外延生长的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层上外延生长的AlGaN背势垒层；位于所述AlGaN背势垒层上外延生长的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层上外延生长的AlGaN势垒层；位于所述AlGaN势垒层上外延生长的第一AlGaN调制层；位于所述第一AlGaN调制层上外延生长的第二AlGaN调制层；所述第二AlGaN调制层的中部刻蚀有凹栅槽，凹栅槽表面淀积有Al2O3绝缘层，所本发明的器件的有益之处在于击穿电压增大、阈值电压增大和饱和电流密度增大。
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公开(公告)号：CN110726758A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910916894.1
申请日：2019-09-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种气敏探测模块、制造方法及系统，该气敏探测模块，包括半导体基底，在所述半导体基底上集成有若干个气敏传感器阵列单元和外部电路；所述外部电路，用于对外部电压进行分压；所述气敏传感器阵列单元均包括电极阵列和气体探测薄膜阵列；所述气体探测薄膜阵列用于探测环境中的气体种类和浓度；所述电极阵列和所述外部电路相连接，所述气体探测薄膜阵列覆盖在电极阵列上，当气体探测薄膜阵列在遇到敏感气体时，电极阵列用于调整气体探测薄膜阵列的薄膜电阻。通过将气体探测薄膜阵列覆盖在电极阵列上，当气体探测薄膜阵列在遇到敏感气体时，在电极阵列的作用下能够维持薄膜电阻不会发生改变，从而提高探测的精度以及抗干扰能力。
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