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公开(公告)号：CN117252140A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311237997.8
申请日：2023-09-25
Applicant: 华北电力大学 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC: G06F30/367 , H02M1/32 , H02M1/00 , G16C20/00
Abstract: 碳化硅MOSFET的关断暂态过程的建模方法，包括：结合混合式直流断路器拓扑结构及其运行原理，考虑碳化硅MOSFET内部寄生参数和外部驱动参数以及转移支路、耗能支路电路参数，通过对转移支路碳化硅MOSFET微秒级关断暂态过程的精确建模，获得器件关断暂态过程中漏极电压、栅极电压表达式，分析关键参数对碳化硅MOSFET关断电压过冲的影响规律，并对器件关断后的振荡阶段进行研究。本发明可以有效评估混合式直流断路器转移支路用碳化硅MOSFET关断电压过冲的影响因素，对器件关断暂态电压建立过程的相关应力考核的更为全面，能够用于保证混合式直流断路器转移支路用碳化硅MOSFET的安全运行的参数选取范围给出指导和建议。
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公开(公告)号：CN109827693B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910220725.4
申请日：2019-03-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01L5/00
Abstract: 本发明公开了一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统，包括集电极、发射极和子模组；集电极、子模组和发射极依次接触连接；子模组设置在集电极和发射极之间；其中，子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器，集电极、半导体芯片、热流及电流传导结构及发射极依次接触连接；压力传感器分别与热流及电流传导结构内壁底面和端面接触连接。本发明提供的压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统能够降低对压力传感器的要求，实现对任意工况下芯片压力分布情况准确测量，突破现有测量方法在正常工况条件下测量的局限性。
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公开(公告)号：CN116224007A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310194082.7
申请日：2023-02-23
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 碳化硅MOSFET双极退化脉冲实验平台及计算方法，包括功率输入单元、实验测试单元、驱动单元、开关控制单元、连接单元、测量单元。本发明提出的碳化硅MOSFET双极性退化加速老化实验平台符合器件的实际工况，可以解耦其他退化机制对于双极退化的影响，便于实验结果分析，通过分析对实验PCB板进行合理设计，抑制了寄生参数对实验结果的影响，提出的参数指标计算方法有助于选择合适的实验设备，降低了实验成本，考虑到实验器件参数漂移影响，采集实验电路反馈的脉冲电流有效值信息，通过实时调节功率源电压，使采集电流与预设值电流差值满足精度要求，保证实验过程中脉冲电流应力不变。
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公开(公告)号：CN115877153A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211545915.1
申请日：2022-12-05
IPC: G01R31/20
Abstract: 本发明提供一种含气泡硅凝胶样品的制备方法、气泡含量检测方法及系统，属于高压绝缘领域，制备方法包括：将硅凝胶样品分为三份；将第一份硅凝胶样品灌封进容器中，并进行脱气处理；对第二份硅凝胶样品进行搅拌，以使第二份硅凝胶样品中引入气泡，并将搅拌后的第二份硅凝胶样品倒入容器中；对第三份硅凝胶样品进行脱气处理，并将脱气处理后的第三硅凝胶样品倒入容器中，以得到含气泡硅凝胶样品；能够在不破坏硅凝胶完整性的前提下，制备目标位置处含气泡的硅凝胶样品。通过采集含气泡硅凝胶样品的图像，并对图像的RGB值进行加权求和，结合无气泡硅凝胶样品图像中像素的灰度平均值，准确计算出含气泡硅凝胶样品的气泡含量。
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公开(公告)号：CN113281623B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110525921.X
申请日：2021-05-14
Abstract: 本发明涉及了一种硅凝胶灌封腔体，所述硅凝胶灌封腔体包括：绝缘腔体、钨针和低压端金属电极；所述低压端金属电极设置在所述绝缘腔体的底端；所述钨针设置在所述绝缘腔体的内壁上；在进行测试时，待测聚酰亚胺片放置在低压端金属电极上表面；向所述绝缘腔体内灌注硅凝胶液体，待硅凝胶液体固化后，所述钨针输入正极性重复方波，所述低压端金属电极连接低电位。绝缘腔体可以保证重复性方波作用下放电只发生在硅凝胶—聚酰亚胺界面，不会在腔体上发生放电，而且本发明设置了钨针，以为沿面放电界面构建极不均匀电场，本发明提供了一种能够进行正极性重复方波作用下的硅凝胶—聚酰亚胺界面沿面放电特性的测试装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113433437A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110719763.1
申请日：2021-06-28
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及一种提取放电电流脉冲的方法及系统，获取沿面放电实验中不同采样时刻的沿面放电电流，沿面放电电流包括放电电流脉冲、极化电流和去极化电流，根据光电流峰值时刻获取沿面放电电流峰值的采样时刻，将沿面放电电流峰值时刻对应的沿面放电电流设置为空，构成缺省沿面放电电流序列，对缺省沿面放电电流序列进行三次样条插值拟合，获得拟合沿面放电电流序列，拟合沿面放电电流序列中的拟合沿面放电电流只包含极化电流和去极化电流，因此将沿面放电电流序列减去拟合沿面放电电流序列后的电流即为放电电流脉冲，实现了在重合于极化电流和去极化电流中准确提取放电电流脉冲。
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公开(公告)号：CN113110681A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110509529.6
申请日：2021-05-11
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及一种电压钳位电路和碳化硅MOSFET导通损耗的测量系统及方法，所述电压钳位电路包括：场效应晶体管、栅极电阻、驱动信号源、源极电阻和齐纳二极管；当待测碳化硅MOSFET关断时，齐纳二极管击穿导致场效应晶体管断开，由场效应晶体管承担待测碳化硅MOSFET的大部分关断电压，电压测量正极端子和电压测量负极端子之间只有小部分的关断电压，将待测碳化硅MOSFET的关断电压限制为一个较小的值，从而可减小示波器的测试量程，在提高导通电压测量精度的同时避免示波器的饱和现象。
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公开(公告)号：CN111366838B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010181009.2
申请日：2020-03-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，包括底板、腔壁、腔盖、柱电极和施压机构，腔壁密封安装在底板上，芯片放置在底板上并通过底板端子引出电极信号，腔壁内灌注有制冷剂；腔壁的顶部安装有腔盖，柱电极的底端端穿过腔盖上的密封帽处并伸入腔壁内用于压紧芯片，柱电极通过柱电极端子引出芯片的电极信号；施压机构用于对柱电极进行施压。本发明中的浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，实现了浸没式相变冷却功率电力电子器件的可靠测试方案，用于对制冷剂浸没下的芯片及其子模组开展GB/T 29332‑2012规定的相关电气特性测试，以获取器件的运行特性，评估器件在浸没式冷却工况下的品质、性能与寿命。
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公开(公告)号：CN111366838A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010181009.2
申请日：2020-03-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，包括底板、腔壁、腔盖、柱电极和施压机构，腔壁密封安装在底板上，芯片放置在底板上并通过底板端子引出电极信号，腔壁内灌注有制冷剂；腔壁的顶部安装有腔盖，柱电极的底端端穿过腔盖上的密封帽处并伸入腔壁内用于压紧芯片，柱电极通过柱电极端子引出芯片的电极信号；施压机构用于对柱电极进行施压。本发明中的浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，实现了浸没式相变冷却功率电力电子器件的可靠测试方案，用于对制冷剂浸没下的芯片及其子模组开展GB/T 29332-2012规定的相关电气特性测试，以获取器件的运行特性，评估器件在浸没式冷却工况下的品质、性能与寿命。
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公开(公告)号：CN111063679A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN202010008671.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开一种多器件并联功率模块的布局电路板。所述多器件并联功率模块的布局电路板中，第一莲花形BNC接口(包括所述负载正极输出端子和所述负载负极输出端子)位于PCB板中心，碳化硅器件并联模块中的多个并联碳化硅器件以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局；退耦合电容并联模块中的多个并联退耦合电容以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局，优化了并联器件的排列位置，使得电路寄生参数匹配，降低了电路杂散电感的分布差异并消除了电流耦合效应，能够改变多器件并联功率模块的暂态电流不平衡，实现较好的并联碳化硅器件的均流特性。
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