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公开(公告)号：CN109856441B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201910297476.9
申请日：2019-04-15
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种压接型IGBT器件芯片电流在线测量系统，该系统包括：积分电路和至少两组PCB板，每组PCB板上设置有多个电流测量线圈，凸台从电流测量线圈中穿过，凸台电流等于芯片电流，电流测量线圈包括线圈骨架、第一导线和第二导线，第一导线一端和积分电路第一输入连接，第一导线环绕线圈骨架均匀缠绕成线圈绕组，第一导线另一端和第二导线一端连接，第二导线另一端和积分电路第二输入连接，积分电路根据电流测量线圈的电压信号确定芯片中的电流，本发明提出的在线测量系统能够集成在器件内部，实现对压接型IGBT器件中所有芯片中的电流同时在线测量。
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公开(公告)号：CN108387831B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201810565170.2
申请日：2018-06-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种3000A半导体器件的功率循环试验系统。该系统包括：焊接式半导体器件测试柜、压接式半导体器件测试柜、控制柜和水冷系统；控制柜与焊接式半导体器件测试柜或压接式半导体器件测试柜电连接；控制柜内的电源放置区设置3000A直流电源；水冷系统通过管道与测试柜连接；焊接式半导体器件测试柜的内部设置多组待测焊接式半导体器件组，每组所述待测焊接式半导体器件组均包括多个待测焊接式半导体器件；压接式半导体器件测试柜的内部设置多组待测压接式半导体器件组，每组待测压接式半导体器件组均包括多个待测压接式半导体器件。本发明可同时测试三个以上数量的半导体
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公开(公告)号：CN109827693B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910220725.4
申请日：2019-03-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01L5/00
Abstract: 本发明公开了一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统，包括集电极、发射极和子模组；集电极、子模组和发射极依次接触连接；子模组设置在集电极和发射极之间；其中，子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器，集电极、半导体芯片、热流及电流传导结构及发射极依次接触连接；压力传感器分别与热流及电流传导结构内壁底面和端面接触连接。本发明提供的压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统能够降低对压力传感器的要求，实现对任意工况下芯片压力分布情况准确测量，突破现有测量方法在正常工况条件下测量的局限性。
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公开(公告)号：CN105911447A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610258361.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国网浙江省电力公司 , 华北电力大学
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R1/0425
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件内部接触热阻测量方法及测量夹具，包括：绘制器件电学参数与结温的关系曲线；绘制器件壳表面与散热器间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线；对瞬态热阻抗曲线进行数值运算得到器件的积分结构函数和微分结构函数；对照积分结构函数和微分结构函数，求取接触热阻值。测试夹具由三块水平方向基板和两根竖直方向立柱组成；在上基板和中基板间纵向对称设有绝缘板和散热基板；在中基板和下基板间依次安装有压力均布装置、传感器、压力维持板和压力施加装置；本发明提供的测量方法消除了因热电偶带来的测量误差，测量结果真实可靠，测量方法简便高效。
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公开(公告)号：CN113805023B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010460936.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统。压接型功率半导体器件，将每一半导体芯片的栅极分别连接于PCB板的接口端子上，以便于对压接型功率半导体器件中的每一半导体芯片的结温进行测量，进而提高温度分布测量的准确性。压接型功率半导体器件的温度分布测量系统，通过采用时序驱动电路使得待测压接型功率半导体器件进行周期开断，以模拟压接型功率半导体器件在不同工况下的发热情况。且通过与测量支路开关的时序配合，能够实现各半导体芯片的结温分布的时序准确测量，突破了现有测量方法仅能获得各半导体芯片平均结温的局限性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106483441B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201610843020.4
申请日：2016-09-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统，所述方法包括构建压接型功率半导体器件的有限元模型；在有限元模型中耦合压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的热应力分布；依据耦合热应力后的有限元模型，仿真得到压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的压力分布；测量压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际压力分布；确定压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际温度分布。与现有技术相比，本发明提供的一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统，通过试验测量和仿真测量相结合的方式可以间接测量压接式功率半导体器件在任何工况条件下的压力分布和温度分布。
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公开(公告)号：CN108802590B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201810652147.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种半导体器件的功率循环测试方法及系统。本发明提供的功率循环测试方法及测试系统，对包括多条并联连接的测试支路的功率循环测试装置，能够根据当前时刻导通的测试支路开关的驱动脉冲信号确定下一条要导通的测试支路的驱动脉冲信号，不仅使得多条测试支路能够交替循环进行加热和降温，利用一条测试支路的降温时间对其他测试支路进行加热，极大地提高了功率循环测试的效率，而且还可以保证各测试支路开关交替循环导通，从而使直流电源能够持续输出恒定直流电，避免直流电源由于反复开关导致的老化问题，从而提高了直流电源长期运行的可靠性，进一步提高了功率循环测试装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN108646163B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810651955.1
申请日：2018-06-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种半导体器件的功率循环测试系统。功率循环测试系统包括：控制器、驱动器、至少一条测试支路、直流电源和水冷器，每条所述测试支路包括一个测试支路开关、与测试支路开关串联的若干待测半导体器件，且各个待测半导体器件串联连接。本发明提供的功率循环测试系统可通过有效地利用一条被测支路的降温时间来对其他被测支路的器件进行加热，待测半导体器件的数量较多，能够极大地提高功率循环测试系统的测试效率。同时，由于本发明提供的功率循环测试系统设置有多条并联的测试支路，因此，用户可以根据实际需求进行多种测试功能的切换，可对不同厂家或型号的器件在同一测试条件下进行对比测试。
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公开(公告)号：CN108802590A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810652147.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2642
Abstract: 本发明公开一种半导体器件的功率循环测试方法及系统。本发明提供的功率循环测试方法及测试系统，对包括多条并联连接的测试支路的功率循环测试装置，能够根据当前时刻导通的测试支路开关的驱动脉冲信号确定下一条要导通的测试支路的驱动脉冲信号，不仅使得多条测试支路能够交替循环进行加热和降温，利用一条测试支路的降温时间对其他测试支路进行加热，极大地提高了功率循环测试的效率，而且还可以保证各测试支路开关交替循环导通，从而使直流电源能够持续输出恒定直流电，避免直流电源由于反复开关导致的老化问题，从而提高了直流电源长期运行的可靠性，进一步提高了功率循环测试装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN112526312B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202011508777.0
申请日：2020-12-18
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件的多应力作用测试系统及方法。所述系统包括：直流电流源、电流测试支路开关、直流电压源、电压测试支路开关和多个并联的测试支路；测试支路包括测量电流支路和被测器件支路；测量电流支路包括串联的测量电流源和测量电流开关；被测器件支路包括多个被测IGBT器件，相邻两个被测IGBT器件通过串并联转换电路连接；各测试支路均通过一个电流测试支路开关与直流电流源连接；各测试支路均通过一个电压测试支路开关与直流电压源连接。本发明解决了测试准确性低、金钱成本高、时间成本高的问题。
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