公开(公告)号：CN105182005A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510661916.6

申请日：2015-10-15

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王鹏 ,  郭群英 ,  黄斌 ,  曹卫达 ,  何凯旋 ,  段宝明

IPC: G01P15/125

Abstract: 本发明涉及一种低应力加速度计，包括：a.衬底（13）中设有浅腔（2）以及衬底锚点（5）；b.电极结构层（1）中部设有的中心锚点（16），中心锚点（16）的两侧对称设有至少一个悬浮电极（4），悬浮电极（4）与下面的浅腔（2）对应配合，悬浮电极（4）的上表面设有向上活动间隙（11）；c.可动结构层（15），及其中设有的可动结构（10），其中部设有上层锚点（18）与中心锚点（16）对应键合连接；d.盖帽（14）。本发明具有如下优点：热应力对电极结构的影响大幅下降，使得电极结构在全温范围内几乎无形变，从而保证了器件在全温范围内左右两边电容的对称性，提高了传感器全温性能。

公开(公告)号：CN104355284A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410535300.X

申请日：2014-10-13

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王鹏 ,  郭群英 ,  黄斌 ,  王文婧 ,  何凯旋 ,  陈博 ,  陈璞 ,  刘磊

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法，包括硅基体（1）、可动结构（5）以及盖帽（8），可动结构（5）以及盖帽（8）之间用金属粘接剂（7）连接，可动结构（5）与硅基体（1）进行硅硅键合，其特征在于：硅基体（1）中设有对通的绝缘深槽，绝缘深槽中设有填充材料二氧化硅或氮化硅或多晶硅（3），绝缘深槽之间的硅基体（1）形成隔离电极（4），隔离电极（4）上面与可动结构（5）对应配合。

公开(公告)号：CN103529240A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310506796.3

申请日：2013-10-24

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王鹏 ,  郭群英 ,  黄斌 ,  陈璞 ,  何凯旋 ,  陈博 ,  王文婧 ,  刘磊 ,  汪祖民 ,  徐栋 ,  吕东锋 ,  庄须叶

IPC: G01P15/00

Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的加速度计，包括连接于玻璃衬底上的硅基体（1），硅基体中设有悬臂梁（2）及相连的质量块（3），其特征在于：在质量块的两侧硅基体中对称设有弹性梁（6），弹性梁（6）与硅基体间设有缓冲间隙（4）。本发明与现有的加速度计抗高过载结构相比具有如下优点：（1）本发明有效的将弹性碰撞面与缓冲间隙相结合，使得加速度计在高过载情况下，可动结构不易断裂，实现了器件的高可靠性。（2）本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了加速度计产品的一致性和可靠性；加工工艺比较简单，全部利用公知的MEMS工艺技术加工，适合大批量生产。

公开(公告)号：CN102862947A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210346195.6

申请日：2012-09-18

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 何凯旋 ,  郭群英 ,  陈博 ,  王鹏 ,  汪祖民 ,  王文婧 ,  黄斌 ,  陈璞 ,  徐栋 ,  吕东锋

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。