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公开(公告)号：CN108878369A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810601808.3
申请日：2018-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/8252 , H01L27/06
Abstract: 一种基于外延生长的化合物半导体器件及其制备方法，属于化合物半导体器件技术领域，尤其涉及一种功率集成电路芯片。所述芯片结构自下而上依次排列包括SOI衬底、SiC外延层、GaN外延层、金属电极。所述GaN外延层可为GaN、AlN、InN及其三元、四元合金组成的薄膜材料；所述GaN外延层可为HEMT、HBT等两种或多种功率器件结构；所述金属电极为功率器件结构上的欧姆接触电极；所述功率器件通过沟槽隔离工艺形成栅格状隔离带结构完全隔离。本发明可实现功率电子器件芯片的高度集成，能有效降低芯片电阻，抑制器件寄生电感，缩小芯片尺寸，减少电路面积和增加设计灵活性，以低成本获得高可靠性的功率集成电路芯片。
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公开(公告)号：CN108878349A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810675123.3
申请日：2018-06-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/58
Abstract: 本发明公开一种SOI衬底的结构包括：第一Si片和第二Si片，采用热氧化的方法对第一Si片进行氧化，得到一层氧化层，对第一Si片的氧化层进行刻蚀，形成带有沟道的氧化层；然后对第二Si片片注入氢，将第一Si片a和第二Si片b进行键合，并减薄顶层第二Si片的厚度，形成SOI衬底。本发明还提供一种SOI衬底结构的制备方法。可以有效减小传统SOI衬底中固定正电荷产生的电场对外延生长的影响，并提高BOX埋层的热导率。
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公开(公告)号：CN108565209A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810495197.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI衬底的GaAs外延薄膜及其制备方法和应用，该GaAs外延薄膜包括从下而上依次排列的FD-SOI衬底、Si缓冲层、GeSi渐变过渡层和GaAs外延薄膜；其制备方法包括，衬底选择与预处理，Si缓冲层的生长，GeSi渐变过渡层的生长，及GaAs外延薄膜的生长；能广泛应用在制备CMOS电路和器件、HEMT射频器件、双极电路和器件、BiCMOS电路和异质结器件中。本发明利用GeSi渐变过渡层材料的晶格常数和热膨胀系数与GaAs外延薄膜接近，将其作为过渡层，将GaAs材料的高频率、低功耗和高输出功率特性与SOI材料的结电容、漏电流小和低能耗特点相结合，具有重要的理论和实际意义。
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公开(公告)号：CN108280951A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201711421806.8
申请日：2017-12-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G08B13/12
Abstract: 本发明涉及物流技术领域，公开了一种物流状态实时监控装置，其包括壳体、控制单元、激光发射单元、激光接收单元、激光传输光纤、报警单元和用于封装包装箱的胶带，控制单元、激光发射单元和激光接收单元位于壳体内；激光发射单元与激光传输光纤的输入端连接，激光接收单元与激光传输光纤的输出端连接，激光传输光纤与胶带连接，当将胶带粘贴在包装箱的封缄处时，至少部分激光传输光纤与封缄的长度方向相交；控制单元分别与激光发射单元、激光接收单元和报警单元连接，控制单元内置有电子身份标识。对物流运输中物品的实时位置及包装状态进行监测，对当前物流运输产品的安全及质量管理有积极的影响。
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公开(公告)号：CN107994047A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711229969.6
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种全彩色平面排列的Micro-LED阵列制备方法，属于半导体技术领域。所述的全彩色Micro-LED阵列包括导电衬底、红光发光单元、绿光发光单元、蓝光发光单元、栅格状隔离结构、金属电极区。所述红、蓝、绿三种发光单元为平面交叉排列方式。栅格状隔离结构，首先通过PECVD方式在所述导电衬底上沉积厚度为1um～2um的SiO2或者SiNx薄膜，再利用干法ICP刻蚀出栅格状隔离结构，栅格中裸露出导电衬底，作为发光单元的外延窗口。所述金属电极区，主要利用电子束蒸镀技术在列排布的SiO2或者SiNx薄膜上制备金属铝(Al)，再用SiO2钝化层覆盖在除p侧电极引线区域以及电流注入区之外的金属Al电极上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104991570B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510284869.8
申请日：2015-05-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: G05D3/12
Abstract: 基于一维PSD的太阳跟踪传感器，一维PSD安装在传感器外壳底部中心位置；自限温电热保温器设置在一维PSD的正下方；传感器外壳内壁设有螺纹，从下至上依次安装有透镜搁架a、图形光阑搁架、透镜搁架b；透镜安装在透镜搁架a或透镜搁架b上，且透镜(4)的焦距大于透明保护顶盖与一维PSD之间的距离；图形光阑放置于图形光阑搁架上，定位划线垂直于一维PSD的探测方向，V形透光孔的V型开口指向一维PSD的探测正方向；四只光敏器件安装于透镜搁架a顶部并以周向对称方式布置；该太阳跟踪传感器可以判断当前太阳位置并实现太阳位置偏差的补偿式跟踪，且成本低廉。
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公开(公告)号：CN107069397A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710023185.1
申请日：2017-01-12
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01S3/067 , H01S3/06708 , H01S3/08 , H01S3/23
Abstract: 本发明提供一种谐振腔超连续谱光源输出装置，包括光学谐振腔和位于所述光学谐振腔内的依次相连的掺镱光纤、激光器、声光调制器和拉锥光纤；所述光学谐振腔，用于控制光束腔内震荡功能并输出超连续谱光源；所述掺镱光纤，作为所述超连续谱光源的增益介质；所述激光器，作为所述超连续谱光源的泵浦源；所述声光调制器，用于输出特定频率的激光脉冲；所述拉锥光纤，用于增强所述超连续谱光源的非线性效应及短波方向的能量。本发明所述装置简化了现有超连续谱光源输出装置的结构，在泵浦功率较低情况下实现光谱展宽，降低了成本，且光‑光转化效率高。
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公开(公告)号：CN104409420B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410535499.6
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/8252 , H01L21/02
Abstract: 一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺，在GaAs基微波器件的制备工艺过程中，加入Pt薄膜热敏电阻制造工艺环节，并使其完全融入现有微波器件工艺，在晶圆上制备出Pt热敏电阻对器件温度进行实时检测。GaAs衬底作为衬底，承担载荷、散热等作用，生长在上面的外延层是缓冲层，正面电路包括GaAsHEMT器件、HBT器件、电容电阻等微波集成电路，再生长一层GaN钝化层即是为了保护表面电路，也是为Pt薄膜电阻提供缓冲作用。本发明的目的在于提供了一种解决GaAs基微波器件、微波单片集成电路热损毁问题的方法，该方法在晶圆上改善GaAs功率器件且可避免pHEMT、HBT功率放大器的热引起器件功率降低甚至烧毁。
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公开(公告)号：CN106425099A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611065870.2
申请日：2016-11-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种消除激光叠阵单元光束不均的焊接方法，该方法首先通过焊接仪器设定焊接温度曲线，焊接压力以及焊接对准位置等参数，然后对焊接子层和焊接母层的对准位置进行焊接，焊接形成新的焊接母层，循环操作，层层重叠。焊料材料为铟等软焊料和金锡等硬焊料，焊料状态为镀层、膏状或片状等。本发明通过分层次焊接半导体激光叠阵单元，以此消除半导体激光叠阵在手工排放中的单元相对位置不精确，单元受力控制不均匀等问题，最终实现激光叠阵的自动化高精度层层对接，达到激光叠阵单元均匀、光斑整齐、出光平直、成品率高的要求。层与层之间完成精准焊接，实现激光叠阵自动化高精度焊接，解决激光叠阵单元位置不齐、出光不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN105680318A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610252446.2
申请日：2016-04-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/024
CPC classification number: H01S5/02423
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种光纤传光束冷却装置。该光纤传光束冷却装置包括光纤传光束以及套设在所述光纤传光束的输出端上的冷却模块，所述冷却模块包括冷却模块外壳，所述冷却模块外壳设有从其前端面连通至后端面的输出端安装孔，所述输出端安装孔与所述光纤传光束的输出端相适配，在所述冷却模块外壳的壳体壁中设有若干冷却通道。该光纤传光束冷却装置通过所述冷却模块既可以起保护光纤传光束的输出端的作用，又可以防止激光能量溢出引起封装结构升温而影响单管半导体激光器的正常使用，具有使用寿命长，体积小，操作简单，成本低的优点。
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