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公开(公告)号：CN104752952B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510106790.6
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器，该激光器由GaAs基HBT和VCSEL两部分组成，所述GaAs基HBT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的第一GaAs缓冲层、GaAs集电区、第一GaAs非掺杂间隔层、GaAs P+型掺杂基区、第二GaAs非掺杂间隔层、In0.49Ga0.51P发射区、第一GaAs帽层构成；所述VCSEL由在腐蚀截止层InGaP上依次分子束外延生长的第二GaAs缓冲层、34.5对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As N型下分布布拉格反射镜层、Al0.2Ga0.8As/GaAs有源层、3对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型分布布拉格反射镜层、Al0.98Ga0.02As氧化限制层、21.5对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型上分布布拉格反射镜层、第二GaAs帽层。
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公开(公告)号：CN104162745B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410331642.X
申请日：2014-07-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/382 , B23K26/16
Abstract: 一种GaAs基微波器件、单片集成电路背孔的激光打孔加工方法，属于电子元器件加工技术领域。其使用激光束照射在衬底背面形成背孔；在背面生长一层SiO2保护层，防止折射等杂散激光对衬底表面的影响，并方便去除打孔蒸发的GaAs残留在衬底背面表面；使用抽真空装置防止加工残留物在背孔表面影响平整度及后序镀金工艺；通过指示光结合显微镜和版图主动标定后，根据版图主动控制自动完成4至6英寸晶圆打孔，背孔会通过衬底、缓冲层等外延层使正面电路与背面接地面形成电气连接，并提供必要的散热条件。本发明加工速度快，可以加工出更小锥度、背面孔径更小的背孔，这样增强了晶圆强度可以允许更薄的衬底节省材料，也有助于更进一步的芯片集成。
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公开(公告)号：CN104808715A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510106844.9
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: G05D23/24
Abstract: 一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法，S1利用片内集成的负温度系数的Pt热敏电阻NTC检测管芯温度或结温，将片外可调精密电阻阻值调至NTC参考值，通过检测温度检测点处电压，从而计算出管芯温度；S2通过调节片外可调精密电阻，使温度检测点处电压在极限工作温度时电压满足温度控制模块条件，开启温度控制模块；可调精密电阻Rt使温度控制灵活性更大，以实现较大的温度控制范围；S3温度控制模块通过检测温度检测点处电压，若满足控制条件，则通过降低偏置模块偏置电流，从而使得管芯偏置点降低，进而使芯片工作于低功率状态，从而使得芯片功率管芯不至于过热、或长时间的热积累而烧毁。
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公开(公告)号：CN104752952A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510106790.6
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种GaAs基HBT和垂直腔面发射激光器，该激光器由GaAs基HBT和VCSEL两部分组成，所述GaAs基HBT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的第一GaAs缓冲层、GaAs集电区、第一GaAs非掺杂间隔层、GaAs P+型掺杂基区、第二GaAs非掺杂间隔层、In0.49Ga0.51P发射区、第一GaAs帽层构成；所述VCSEL由在腐蚀截止层InGaP上依次分子束外延生长的第二GaAs缓冲层、34.5对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As N型下分布布拉格反射镜层、Al0.2Ga0.8As/GaAs有源层、3对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型分布布拉格反射镜层、Al0.98Ga0.02As氧化限制层、21.5对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型上分布布拉格反射镜层、第二GaAs帽层。
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公开(公告)号：CN104409420A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410535499.6
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/8252 , H01L21/02
Abstract: 一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺，在GaAs基微波器件的制备工艺过程中，加入Pt薄膜热敏电阻制造工艺环节，并使其完全融入现有微波器件工艺，在晶圆上制备出Pt热敏电阻对器件温度进行实时检测。GaAs衬底作为衬底，承担载荷、散热等作用，生长在上面的外延层是缓冲层，正面电路包括GaAsHEMT器件、HBT器件、电容电阻等微波集成电路，再生长一层GaN钝化层即是为了保护表面电路，也是为Pt薄膜电阻提供缓冲作用。本发明的目的在于提供了一种解决GaAs基微波器件、微波单片集成电路热损毁问题的方法，该方法在晶圆上改善GaAs功率器件且可避免pHEMT、HBT功率放大器的热引起器件功率降低甚至烧毁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104409420B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410535499.6
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/8252 , H01L21/02
Abstract: 一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺，在GaAs基微波器件的制备工艺过程中，加入Pt薄膜热敏电阻制造工艺环节，并使其完全融入现有微波器件工艺，在晶圆上制备出Pt热敏电阻对器件温度进行实时检测。GaAs衬底作为衬底，承担载荷、散热等作用，生长在上面的外延层是缓冲层，正面电路包括GaAsHEMT器件、HBT器件、电容电阻等微波集成电路，再生长一层GaN钝化层即是为了保护表面电路，也是为Pt薄膜电阻提供缓冲作用。本发明的目的在于提供了一种解决GaAs基微波器件、微波单片集成电路热损毁问题的方法，该方法在晶圆上改善GaAs功率器件且可避免pHEMT、HBT功率放大器的热引起器件功率降低甚至烧毁。
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公开(公告)号：CN104821313A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510107060.8
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L25/16 , H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L29/737 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 一种GaAs基HBT和长波长谐振腔单片集成光探测器，该探测器由GaAs基HBT和RCE两部分组成，所述GaAs基HBT和所述RCE被腐蚀截止层InGaP隔开；所述GaAs基HBT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层GaAs、集电区GaAs、非掺杂间隔层GaAs、P+型掺杂基区GaAs、非掺杂间隔层GaAs、发射区In0.49Ga0.51P、盖帽层GaAs构成；所述腐蚀截止层InGaP在所述N型高掺杂盖帽层GaAs上分子束外延生长而成；所述RCE由在腐蚀截止层InGaP上依次分子束外延生长的25对λ0/4光学厚度的GaAs/AlAs DBR反射底镜、p接触层GaAs、扩散阻挡层InAlGaAs、部分耗尽吸收层InGaAs、吸收层In0.5Ga0.5As、漂移增强层InAlGaAs、异变缓冲层/n接触层InAlGaAs和8对GaAs/AlAs DBR反射顶镜构成。
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公开(公告)号：CN104701154A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510107056.1
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/42356 , H01L21/28008 , H01L29/1066
Abstract: 一种使用化学收缩方法实现亚半微米T型栅的制备方法，在GaAs衬底外延层均匀涂上第一层光刻正胶；使用步进投影光刻机进行曝光、显影，在厚度0.35μm的正胶膜上形成第一层胶窗口，即栅光刻的底部窗口；对第一层正胶进行处理，使用Relacs涂布材料涂在底层胶表面使Relacs涂布材料与正胶表面形成一定厚度的稳定的薄膜，使用显影液对形成的薄膜进行显影，保证砷化镓表面残留的Relacs涂布材料能够完全去除干净，这时正胶表面和栅条的侧壁将留下一定厚度的薄膜；涂上负lift-out图形工艺胶；使用步进投影光刻机进行曝光；用电子束蒸发台，淀积Ti/Pt/Au栅金属；使用剥离液剥离所有胶体，形成T型栅。
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公开(公告)号：CN104377125A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410535773.X
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28008 , H01L29/401
Abstract: 一种含自支撑结构的亚百纳米T型栅的制备方法，首先在器件外延层上淀积SiNx薄膜；在SiNx表面涂覆电子束光刻胶；在形成所述细栅线条的区域，所述SiNx表面露出；对所述露出SiNx进行刻蚀；在所述电子束光刻胶层表面和被栅金属填满的细栅线条区域表面一体形成栅金属层；栅金属层表面涂覆光学光刻胶；光学光刻胶层光刻出栅帽；栅金属层进行刻蚀，除去被所述栅帽覆盖的区域之外的栅金属；将残留的电子束光刻胶和光学光刻胶剥离，即在所述外延层上形成了T型栅。本发明提供的T型栅的制备方法不仅能够有效降低T型栅的尺寸、提高T型栅制作的效率，由于有SiNx对细栅脚的支撑作用，还能提高T型栅的机械强度，同时空气隙的存在尽可能降低了SiNx引入的寄生电容。
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公开(公告)号：CN104808715B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510106844.9
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: G05D23/24
Abstract: 一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法，S1利用片内集成的负温度系数的Pt热敏电阻NTC检测管芯温度或结温，将片外可调精密电阻阻值调至NTC参考值，通过检测温度检测点处电压，从而计算出管芯温度；S2通过调节片外可调精密电阻，使温度检测点处电压在极限工作温度时电压满足温度控制模块条件，开启温度控制模块；可调精密电阻Rt使温度控制灵活性更大，以实现较大的温度控制范围；S3温度控制模块通过检测温度检测点处电压，若满足控制条件，则通过降低偏置模块偏置电流，从而使得管芯偏置点降低，进而使芯片工作于低功率状态，从而使得芯片功率管芯不至于过热、或长时间的热积累而烧毁。
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