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公开(公告)号：CN101661944B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810118876.0
申请日：2008-08-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146 , H01L23/522 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L21/768 , H04N5/30
Abstract: 本发明公开了一种紫外图像传感器的像素单元及其制备方法。该传感器像素单元包括一衬底，在衬底上集成两个薄膜晶体管，一个薄膜晶体管为驱动晶体管，包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极、遮光层和钝化层；另一个薄膜晶体管为探测晶体管，该探测晶体管包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极和钝化层。驱动晶体管的栅电极与图像传感器的行扫描线相连，驱动晶体管的漏电极与图像传感器的列数据线相连；探测晶体管的漏电极与驱动晶体管的源电极相连，探测晶体管的源电极接地或接到下一行的行扫描线，探测晶体管的栅电极接地或偏置。本发明不同于传统的单晶半导体器件，具有更强的灵活性和更低的成本，其分辨率和灵敏度得到显著提高。
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公开(公告)号：CN101478005B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910077733.4
申请日：2009-02-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。该晶体管为底栅结构，包括一栅电极，一栅介质层，一沟道区，一源区和一漏区，所述源区和漏区分别在沟道区两端并与沟道区相连，且源漏区与沟道区为同一层金属氧化物半导体薄膜，未偏置状态下，源漏区为高载流子浓度区，而沟道区为低载流子浓度区。该薄膜晶体管的源漏区与沟道区由同一次的薄膜工艺形成，在真空或氢气或氮气气氛下热处理半导体薄膜实现源漏区的高载流子浓度，在氧气气氛下热处理则获得沟道区的低载流子浓度，不需另加源漏金属层工艺步骤，简化了制备工艺。同时，器件的阈值电压由氧气氛下的退火条件所控制，可在线检测，使器件特性的可控性大为提高。
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公开(公告)号：CN101661943A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810118875.6
申请日：2008-08-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种紫外图像传感器及其像素单元以及制备方法。紫外图像传感器包括行扫描/驱动电路、列信号读出/驱动电路和像素阵列，每个像素单元包括信号放大器电路和光探测元件。图像传感器的行扫描/驱动电路、列信号读出/驱动电路和像素单元的信号放大器电路均采用硅CMOS技术制作，同步集成于同一衬底，且光探测元件位于信号放大器电路之上，光探测元件与信号放大器电路之间由介质层隔离，两者通过上述介质层的通孔实现电连接。本发明实现了单片集成，因此具有更高的性能和更低的成本，并显著提高了紫外图像传感器的分辨率和灵敏度。
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公开(公告)号：CN101533858A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910106614.7
申请日：2009-04-03
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括设置在衬底上的栅电极、沟道层、源区和漏区，所述沟道层形成于所述栅电极的上方，所述沟道层在沟道长度方向上的尺寸小于栅电极同方向的长度并处于所述栅电极长度的覆盖范围之内，所述源区和漏区形成于所述栅电极的两侧且与所述栅电极绝缘，所述源区和漏区分别与所述沟道层长度方向的两侧面相接触形成肖特基结。本发明还公开了一种上述薄膜晶体管的制作方法及图像显示装置。本发明薄膜晶体管的沟道层位于栅电极的覆盖范围内，肖特基结能直接受到栅电极的控制和调节。该背栅结构的肖特基型薄膜晶体管可在低温工艺下实现，避免了较高温度所导致的栅与源漏的短路。
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公开(公告)号：CN101533779A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910106613.2
申请日：2009-04-03
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336 , H01L21/306 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成栅电极；在栅电极的上方形成沟道层以及夹持在所述沟道层两侧且与栅电极绝缘的源区和漏区，所述沟道层的形成是利用已形成的栅电极作为掩模图形的自对准光刻方法实现的。本发明还公开了一种图像显示装置的制作方法。本发明由于采用栅电极作为掩模图形的方法对源区和漏区进行刻蚀，使得栅电极和源区及漏区形成自对准，即器件结构自然形成高度对称和各组成部分自然形成高精度对准，摆脱了制造工艺对昂贵的高精度光刻对准设备的依赖，从而降低了成本，提高了成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101419867A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810223906.4
申请日：2008-10-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的纳米复合电极的制备方法，该方法包括：利用阳极氧化的方法首先在透明导电基底上制备TiO2纳米管阵列；然后在TiO2纳米管阵列表面涂布一层TiO2纳米颗粒的分散溶液；最后通过加热的方式使TiO2纳米颗粒与TiO2纳米管结合在一起，并且使分散溶液的溶剂挥发，得到染料敏化太阳能电池的半导体复合电极结构。由于在制备有序纳米管阵列结构的基础上，将TiO2纳米颗粒与TiO2纳米管结合，使相对于单一的纳米管阵列电极的表面积增加，可以吸附更多的染料，从而增加太阳能电池的光电效率；同时，纳米颗粒层可以作为透射过纳米管阵列光线的漫反射层，使得光线在管中传播时间更长，增大了激发染料的概率。
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公开(公告)号：CN101281953A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810105176.8
申请日：2008-04-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料以及阻变存储器，属于半导体非挥发性存储器技术领域。该阻变材料为掺入了银的二氧化硅薄膜或掺入了银的氮化硅薄膜。阻变材料的Ag粒子会朝着电极的方向运动并在电极处堆积。只要外加电压不撤销，堆积的银粒子将越来越多并向另一端的电极延伸。当堆积的银粒子将两端电极连通的时候，阻变层就由高阻态转向了低阻态。因此，本发明阻变材料以Ag粒子运动组合的方式形成导电通道，使阻变材料的电阻转变的稳定性大幅提升。
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公开(公告)号：CN101159314A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710176547.7
申请日：2007-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法，属非挥发性存储器件技术领域。该存储单元包括衬底和位于衬底之上的电阻器，该电阻器由底电极、顶电极和二者之间的绝缘体构成，所述绝缘体为纯的或掺杂其它金属元素的二氧化铈氧化物薄膜。其制备方法是采用溶胶－凝胶旋涂法、化学气相淀积、溅射等各种薄膜制备方法结合退火工艺，首先在衬底上制备导电薄膜作为底电极，再在其上制备纯的或掺杂的二氧化铈氧化物薄膜，最后在氧化物薄膜上制作导电的顶电极，形成了一具有优异稳态电阻转变和记忆特性的电阻式随机存储器的存储单元。
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公开(公告)号：CN101017720A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710001132.6
申请日：2007-01-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种室温铁磁掺钴氧化钛稀磁半导体材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先将Ti氧化物和Co氧化物进行混合，采用固相烧结反应法制备CoxTi1－xO2材料，然后将CoxTi1－xO2材料压制成片，在含有氢气的气氛下进行退火处理，退火后的CoxTi1－xO2材料具有室温铁磁性。采用本发明制得的室温铁磁性的掺钴氧化钛稀磁半导体材料，可用于脉冲激光沉积以及反应溅射等方法制备室温铁磁性CoxTi1－xO2薄膜时的靶材，具有十分重要的研究价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119685752A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411776844.5
申请日：2024-12-05
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高热稳定性的氧化物薄膜的制备方法及其应用，属于集成电路微纳电子器件领域。本发明采用磁控溅射工艺，溅射靶材为氧化铟所占质量比为50‑90％，氧化铝所占质量比为0.1‑10％，氧化锌所占质量比为10‑50％的铟铝锌氧靶材，制备得到的薄膜具有高温热稳定性。即在高温条件下，经过长时间热退火处理，薄膜处于非晶状态，薄膜中的缺陷浓度保持稳定。进一步利用本发明制备得到的氧化物晶体管的性能热稳定性高，且制备工艺步骤简单、成本低。
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